W25N QspiNAND 闪存

            W25N QspiNAND 闪存
  
                    Winbond 的 QspiNAND 闪存提供速度更快、经济高效的代码存储解决方案，密度从 512 Mbit 到 4 Gbit

Winbond W25N QspiNAND 闪存图片 Winbond QspiNAND Flash产品具有标准 SPI 接口和 x1/x2/x4 总线宽度。这些产品的密度为 512 Mb、1 Gb、2 Gb 和 4 Gb，工作标称电压为 1.8 V 或 3.3 V。

为了简化在密度超过 512 Mb 的 NOR Flash 系统上存储代码的过程，华邦还提供具有相同 SPI 接口的 1 Gb 和 2 Gb 密度的 QspiNAND 产品。虽然 NOR 闪存在较低密度下可能更具成本效益，但 NAND 闪存在 512 Mb 及以上的密度下成为更具成本效益的选择。

特性

1 Gb 和 2 Gb 密度
3 V 电源，x8 总线宽度
1.8 V 电源，x8/x16 总线宽度

工业温度范围：-40°C 至 +85°C
封装选择︰48 引脚 TSOP；48/63 焊球 VFBGA

W29N SLC NAND Flash Memory

制造商零件编号	描述	技术	存储容量	存储器组织	可供货数量	价格	查看详情
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W25N512GVBIG	IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA	FLASH - NAND（SLC）	512Mb	64M x 8	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
W25N01GWTCIT	IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA	FLASH - NAND（SLC）	1Gb	128M x 8	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
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