VS-SCx 碳化硅肖特基势垒二极管

Vishay 二极管大幅降低传导损耗,提高效率

Vishay VS-SCx 碳化硅肖特基势垒二极管图片Vishay 650 V 和 1,200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用行业标准 SOT-227 封装,旨在为高频应用提供高速和高效率。在同类二极管中,Vishay 器件在电容电荷 (QC) 和正向压降之间实现了最佳平衡。二极管的低正向压降大大降低了传导损耗,从而提高了效率,同时其低 QC 允许进行高速开关。为了进一步提高效率,这些器件提供了比硅基二极管更好的反向恢复参数,并且几乎没有恢复尾部。该器件采用行业标准封装,可提供竞争解决方案的直接替代品。

特性
  • 采用行业标准 SOT-227 封装
  • 可用配置和正向电流:
    • 两个独立二极管,并联引脚分配:40 A 至 240 A
    • 单相桥:50 A 和 90 A
  • 基于最先进的薄晶圆技术
  • 低至 56 nC 的 QC
  • 低正向电压降:低至 1.36 V
  • 最高工作温度高达 +175°C
  • 具有正温度系数,易于并联
  • UL 批准文件 E78996
  • 端子间爬电距离大
  • 简化机械设计、快速装配
应用
  • 用于光伏系统的 FBPS 和 LLC 转换器中的 AC/DC PFC 和 DC/DC 超高频输出整流
  • 充电站
  • 工业 UPS
  • 电信电源

VS-SCx Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

图片制造商零件编号描述电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)可供货数量价格查看详情
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1 : ¥932.74
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发布日期: 2025-02-12