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线性和逻辑器件解决方案
Texas Instruments 提供全面而广泛的产品组合，包括寄存器、缓冲器、开关、驱动器、栅极、比较器、触发器和电压转换器。 TI 的线性和逻辑器件解决方案提供了应用灵活性，提升了性能并延长了设计寿命。小尺寸逻辑器件逻辑器件线性器件 ESD/ EMI 模拟开关负载开关 I²C 转换器小尺寸逻辑器件 Texas Instruments (TI) 的小尺寸逻辑器件让您的设计难题迎刃而解，占得当今市场先机。尺寸更小，上市速度更快种类多样，一站式选择每一件产品，每一次完美质量更优，客户更满意 SN74AUP1G06DRYR 具有开漏输出的低功耗单路逆变器缓冲器/驱动器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装低静态功耗（I_CC = 0.9 µA，最大值）低动态功耗（3.3 V 时，C_pd = 1 pF，典型值）低输入电容（C_i = 1.5 pF，典型值）低噪声 – 过冲和下冲 < 10% V_CC I_off 支持部分省电工作模式输入滞后允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力（3.3 V 时，V_hys = 250 mV，典型值）宽工作 V_CC 范围：0.8 V 至 3.6 V 针对 3.3 V 电源供电进行了优化 3.6 V I/O 容差，支持混模信号操作 3.3 V 时，t_pd = 3.6 ns（最大值）适合点对点应用闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74AUP1G07DRYR 具有开漏输出的低功耗单路缓冲器/驱动器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装低静态功耗（I_CC = 0.9 µA，最大值）低动态功耗（3.3 V 时，C_pd = 1 pF，典型值）低输入电容（C_i = 1.5 pF，典型值）低噪声 – 过冲和下冲 < 10% V_CC I_off 支持部分省电工作模式输入滞后允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力（3.3 V 时，V_hys = 250 mV，典型值）宽工作 V_CC 范围：0.8 V 至 3.6 V 针对 3.3 V 电源供电进行了优化 3.6 V I/O 容差，支持混模信号操作 3.3 V 时，t_pd = 3.3 ns（最大值）适合点对点应用闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74AUP1G80DRYR 低功耗单路正边沿触发 D 型触发器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装低静态功耗（I_CC = 0.9 µA，最大值）低动态功耗（3.3 V 时，C_pd = 4.3 pF，典型值）低输入电容（C_i = 1.5 pF，典型值）低噪声 – 过冲和下冲 < 10% V_CC I_off 支持部分省电工作模式施密特触发器作用允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力（3.3 V 时，Vhys = 250 mV，典型值）宽工作 V_CC 范围：0.8 V 至 3.6 V 针对 3.3 V 电源供电进行了优化 3.6 V I/O 容差，支持混模信号操作 3.3 V 时，t_pd = 4.4 ns（最大值）适合点对点应用闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74AUP1G00DSFR 低功耗单路双输入正“与非”门单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装低静态功耗（I_CC = 0.9 µA，最大值）低动态功耗（3.3 V 时，C_pd = 4 pF，典型值）低输入电容（C_i = 1.5 pF，典型值）低噪声：过冲和下冲 < 10% V_CC I_off 支持部分省电工作模式输入滞后允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力（3.3 V 时，V_hys = 250 mV，典型值）宽工作 V_CC 范围：0.8 V 至 3.6 V 针对 3.3 V 电源供电进行了优化 3.6 V I/O 容差，支持混模信号操作 3.3 V 时，t_pd = 4.8 ns（最大值）适合点对点应用闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74AUP1G02DSFR 低功耗单路双输入正“或非”门单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装低静态功耗（I_CC = 0.9 µA，最大值）低动态功耗（3.3 V 时，C_pd = 4.3 pF，典型值）低输入电容（C_i = 1.5 pF，典型值）低噪声 – 过冲和下冲 < 10% V_CC I_off 支持部分省电工作模式输入滞后允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力（3.3 V 时，V_hys = 250 mV，典型值）宽工作 V_CC 范围：0.8 V 至 3.6 V 针对 3.3 V 电源供电进行了优化 3.6 V I/O 容差，支持混模信号操作 3.3 V 时，t_pd = 4.6 ns（最大值）适合点对点应用闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74AUP1G07DSFR 具有开漏输出的低功耗单路缓冲器/驱动器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装低静态功耗（I_CC = 0.9 µA，最大值）低动态功耗（3.3 V 时，C_pd = 1 pF，典型值）低输入电容（C_i = 1.5 pF，典型值）低噪声 – 过冲和下冲 < 10% V_CC I_off 支持部分省电工作模式输入滞后允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力（3.3 V 时，V_hys = 250 mV，典型值）宽工作 V_CC 范围：0.8 V 至 3.6 V 针对 3.3 V 电源供电进行了优化 3.6 V I/O 容差，支持混模信号操作 3.3 V 时，t_pd = 3.3 ns（最大值）适合点对点应用闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74AUP1G32 低功耗单路双输入正“或”门单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装低静态功耗（I_CC = 0.9 µA，最大值）低动态功耗（3.3 V 时，C_pd = 4.3 pF，典型值）低输入电容（C_I = 1.5 pF，典型值）低噪声 – 过冲和下冲 < 10% V_CC I_off 支持部分省电工作模式输入滞后允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力（3.3 V 时，V_hys = 250 mV，典型值）宽工作 V_CC 范围：0.8 V 至 3.6 V 针对 3.3 V 电源供电进行了优化 3.6 V I/O 容差，支持混模信号操作 3.3 V 时，t_pd = 4.6 ns（最大值）适合点对点应用闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74AUP1G74 低功耗单路正边沿触发 D 型触发器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装低静态功耗：I_CC = 0.9 µA（最大值）低动态功耗：3.3 V 时，C_pd = 5.5 pF（典型值）低输入电容：C_i = 1.5 pF（典型值）低噪声 – 过冲和下冲 < 10% V_CC I_off 支持部分省电工作模式施密特触发器作用允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力（3.3 V 时，V_hys = 250 mV，典型值）宽工作 V_CC 范围：0.8 V 至 3.6 V 针对 3.3 V 电源供电进行了优化 3.6 V I/O 容差，支持混模信号操作 3.3 V 时，t_pd = 5 ns（最大值）适合点对点应用闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74AUP1G79 低功耗单路正边沿触发 D 型触发器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装低静态功耗： I_CC = 0.9 µA（最大值）低动态功耗：3.3 V 时， C_pd = 3 pF（典型值）低输入电容： C_i = 1.5 pF（典型值）低噪声：过冲和下冲 < 10% V_CC I_off 支持部分省电工作模式输入滞后允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力（3.3 V 时，V_hys = 250 mV，典型值）宽工作 V_CC 范围：0.8 V 至 3.6 V 针对 3.3 V 电源供电进行了优化 3.6 V I/O 容差，支持混模信号操作 3.3 V 时，t_pd = 4 ns（最大值）适合点对点应用闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC1G04 单逆变器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoFree™ 封装支持 5 V V_CC 工作模式输入可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 3.3 ns 低功耗，I_CC 最高仅为 10 µA 3.3 V 时，输出驱动电流为 ±24 mA I_off 支持带电插入、部分省电工作模式和反向驱动保护闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC1G07 具有开漏输出的单路缓冲器/驱动器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoFree 封装支持 5 V V_CC 工作模式输入和开漏输出可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 4.2 ns 低功耗，I_CC 最高仅为 10 µA 3.3 V 时，输出驱动电流为 ±24 mA I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC1G08 单路双输入正“与”门单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoFree™ 封装支持 5 V V_CC 工作模式输入可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 3.6 ns 低功耗，I_CC 最高仅为 10 µA 3.3 V 时，输出驱动电流为 ±24 mA I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC1G14 单路施密特触发器逆变器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar 和 NanoFree 封装支持 5 V V_CC 工作模式输入可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 4.6 ns 低功耗，I_CC 最高仅为 10 µA 3.3 V 时，输出驱动电流为 ±24 mA I_off 支持带电插入、部分省电工作模式和反向驱动保护闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC1G17 单路施密特触发器缓冲器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoFree 封装支持 5 V V_CC 工作模式输入可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 4.6 ns 低功耗，I_CC 最高仅为 10 µA 3.3 V 时，输出驱动电流为 ±24 mA I_off 支持带电插入、部分省电工作模式和反向驱动保护闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC1G32 单路双输入正“或”门单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 和 NanoFree™ 封装支持 5 V V_CC 工作模式输入可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 3.6 ns 低功耗，I_C _C 最高仅为 10 µA 3.3 V 时，输出驱动电流为 ±24 mA I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC1G123 具有施密特触发器输入的单路可再触发单稳多谐振荡器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoFree™ 封装支持 5 V V_CC 工作模式输入可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 8 ns 所有端口都支持在混模电压工作模式 A 和 B 输入端带有施密特触发器电路，可实现缓慢的输入转换速率通过高电平有效或低电平有效栅极逻辑输入实现边沿触发当出现较长输出脉冲时可再触发，占空比最高为 100% 超驰清除会终止输出脉冲输出端可进行无毛刺上电复位 I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC1G125 具有三态输出的单路总线缓冲闸单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoFree™ 封装支持 5 V V_CC 工作模式输入可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 3.7 ns 低功耗，I_CC 最高仅为 10 µA 3.3 V 时，输出驱动电流为 ±24 mA I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC1G332 单路三输入正“或”门单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 和 NanoFree™ 封装支持 5 V V_CC 工作模式输入可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 4.5 ns 低功耗，I_CC 最高仅为 10 µA 3.3 V 时，输出驱动电流为 ±24 mA I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC2G08 双路双输入正“与”门单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoFree™ 封装支持 5 V V_CC 工作模式输入可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 4.7 ns 低功耗，I_CC 最高仅为 10 µA 3.3 V 时，输出驱动电流为 ±24 mA V_CC = 3.3 V、T_A = 25°C 时，典型 V_OLP（输出接地跳动）< 0.8 V V_CC = 3.3 V、T_A = 25°C 时，典型 V_OHV（输出 V_OH 下冲）> 2 V I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准）逻辑器件作为全球领先的逻辑器件生产商，Texas Instruments (TI) 提供各种逻辑功能和逻辑技术，从成熟的双极和双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 系列，到最新推出的先进 CMOS 系列，不一而足。 TI 提供具有当今电子市场所需的逻辑性能和特性的工艺技术，同时继续支持传统逻辑产品。 TI 提供的产品包括以下工艺技术或器件系列： AC、ACT、AHC、AHCT、ALVC、AUC、AUP、AVC、FCT、HC、HCT、LV-A、LV-AT、LVC、TVC ABT、ABTE、ALB、ALVT、BCT、HSTL、LVT BTA、CB3Q、CB3T、CBT、CBT-C、CBTLV、FB、FIFO、GTL、GTLP、JTAG、I²C、VME ALS、AS、F、LS、S、TTL SN74LVC00ARGYR 四路双输入正“与非”门单击了解详情。工作电压范围为 1.65 V 至 3.6 V 指定工作温度范围为 -40°C 至 85°C、-40°C 至 125°C 以及 -55°C 至 125°C 输入可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 4.3 ns V_CC = 3.3 V、T_A = 25°C 时，典型 V_OLP（输出接地跳动）< 0.8 V V_CC = 3.3 V、T_A = 25°C 时，典型 V_OHV（输出 V_OH 下冲）> 2 V 闩锁性能超过 JESD 17 标准规定的 250 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC06ARGYR 带开漏输出的六路逆变器缓冲器/驱动器单击了解详情。工作电压范围为 1.65 V 至 3.6 V 指定工作温度范围为 -40°C 至 85°C、-40°C 至 125°C 以及 -55°C 至 125°C 输入和开漏输出可接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 3.7 ns I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 17 标准规定的 250 mA SN74LVC08ARGYR 四路双输入正“与”门单击了解详情。工作电压范围为 1.65 V 至 3.6 V 指定工作温度范围为 -40°C 至 85°C、-40°C 至 125°C 以及 -55°C 至 125°C 输入接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 4.1 ns V_CC = 3.3 V、T_A = 25°C 时，典型 V_OLP（输出接地跳动）< 0.8 V V_CC = 3.3 V、T_A = 25°C 时，典型 V_OHV（输出 V_OH 下冲）> 2 V 闩锁性能超过 JESD 17 标准规定的 250 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） TS3L110 四路 SPDT 宽带宽 10/100 Base-T 局域网开关差分 8 至 4 多路复用器/解复用器单击了解详情。宽带宽（BW = 500 Mhz，典型值）低串扰（X_TALK = –30 dB，典型值）双向数据流，传播延迟几乎为零低而平坦的导通电阻 (r_on = 4 Ω) 接通数据 I/O 端口（0 至 5 V） V_CC 工作电压范围为 3 V 至 3.6 V I_off 支持部分省电工作模式数据和控制输入具有下冲箝位二极管闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准）适合用于 10 Base-T/100 Base-T 信号 CD4011B CMOS 四路双输入“与非”门单击了解详情。 C_L = 50 pF、V_DD = 10 V 时，传播延迟时间 = 60 ns（典型值）缓冲输入和输出标准化对称输出特性在全封装温度范围内，18 V 时最大输入电流为 1 µA；25°C、18 V 时，最大输入电流为 100 nA 在 20 V 电压下经过 100% 的静态电流测试参数额定电压为 5 V、10 V 和 15 V 噪声容限（超过封装最大温度范围）： V_DD = 5 V 时，为 1 V；V_DD = 10 V 时，为 2 V；V_DD = 15 V 时，为 2.5 V 符合 JEDEC 第 13B 号暂行标准 “‘B’ 系列 CMOS 器件描述标准规范”的所有要求 CD4013B CMOS 双路 D 型触发器单击了解详情。设置-复位功能静态触发器运行 — 无限期保持状态，时钟等级为“高”或“低” 中速运行 — 10 V 时，时钟切换速率为 16MHz（典型值）标准化对称输出特性在 20 V 电压下经过 100% 的静态电流测试在全封装温度范围内，18 V 时最大输入电流为 1 µA；25°C、18 V 时，最大输入电流为 100 nA 噪声容限（超过封装最大温度范围）： V_DD = 5 V 时，为 1 V V_DD = 10 V 时，为 2 V V_DD = 15 V 时，为 2.5 V 参数额定电压为 5 V、10 V 和 15 V 符合 JEDEC 第 13B 号暂行标准 “‘B’ 系列 CMOS 器件描述标准规范”的所有要求应用：寄存器、计数器、控制电路 CD4017B 具有 10 路解码输出的 CMOS 十进制计数器单击了解详情。全静态运行中速运行：V_DD = 10 V 时，为 10 Mhz（典型值）标准化对称输出特性在 20 V 电压下经过 100% 的静态电流测试参数额定电压为 5 V、10 V 和 15 V 符合 JEDEC 第 13B 号暂行标准 “‘B’ 系列 CMOS 器件描述标准规范”的所有要求应用：十进制计数器/十进制解码显示屏 (CD4017B) 二进制计数器/解码器频分计数器控制/定时器 N 分频计数有关更多应用信息，请参阅 ICAN-6166《COS/MOS MSI 计数器和寄存器的设计及应用》 CD4049UB CMOS 六路反向缓冲器/转换器单击了解详情。 CD4049UB 逆变 CD4050B 非逆变驱动 2 路 TTL 负载的高灌电流高至低电平逻辑转换在 20 V 电压下经过 100% 的静态电流测试在全封装温度范围内，18V 时最大输入电流为 1µA；25°C、18V 时，最大输入电流为 100nA 参数化额定电压为 5 V、10 V 和 15 V 应用 CMOS 至 DTL/TTL 六路转换器 CMOS 电流“阱”或“源”驱动器 CMOS 高至低逻辑电平转换器 CD4051B 具有逻辑电平转换的 CMOS 单路 8 通道模拟多路复用器/解复用器单击了解详情。宽数字和模拟信号电平范围数字...3V 至 20V 模拟...≤20V_P-P 低导通电阻：V_DD–V_EE = 18V 时，15V_P-P 信号输入范围的导通电阻仅为 125Ω（典型值）高断态电阻：V_DD–V_EE = 18V 时，通道漏电量为 ±100pA（典型值）具有逻辑电平转换功能，适用于 3V 至 20V 的数字寻址信号（V_DD–V_SS = 3V 至 20V）以及高达 20V_P-P 的开关模拟信号 (V_DD–V_EE = 20V) 匹配的开关特性：V_DD–V_EE = 15V 时，r_ON = 5Ω（典型值）在全数字控制输入和供电条件下，静态功率耗散极低：V_DD–V_SS = V_DD–V_EE = 10V 时，为 0.2µW（典型值）片上二进制地址解码参数化额定电压为 5 V、10 V 和 15 V 在 20 V 电压下经过 10% 的静态电流测试在全封装温度范围内，18V 时最大输入电流为 1µA；25°C、18V 时，最大输入电流为 100nA 先开后合式开关可消除通道重叠应用模拟和数字多路复用及解复用模数和数模转换信号选通 CD4060B CMOS 14 级纹波进位二进制计数器/分频器和振荡器单击了解详情。 15 V 时，时钟速率为 12 Mhz 公共复位全静态运行缓冲输入和输出施密特触发器输入脉冲线路在 20 V 电压下经过 100% 的静态电流测试标准化对称输出特性参数额定电压为 5 V、10 V 和 15 V 符合 JEDEC 第 13B 号暂行标准 “‘B’ 系列 CMOS 器件描述标准规范”的所有要求振荡器特性：片上均为有源元件 RC 或晶体振荡器配置 15 V 时，RC 振荡器最低频率为 690 kHz 应用控制计数器定时器分频器延时电路 CD4066B CMOS 四路双向开关单击了解详情。 15 V 数字开关或 ±7.5 V 峰间开关在 15 V 工作模式下，典型导通电阻为 125 Ω 在 15 V 信号输入范围内，开关导通电阻保持在 5 Ω 以内在全峰间信号范围内，导通电阻平坦开/关输出电压比高：f_is = 10 kHz，R_L = 1 kΩ 时，为 80 dB（典型值）高线性度：f_is = 1 kHz、V_is = 5 V p-p、V_DD–V_SS Ω 时，典型失真 < 0.5% 断态开关漏电量极低，使得失调电流极低而有效断态电阻高：V_DD–V_SS = 10 V、T_A = 25°C 时，为 10 pA（典型值）极高控制输入阻抗（控制电路与信号电路隔离）：10¹² Ω（典型值）开关间串扰低：f_is = 8 MHz、R_L = 1 kΩ 时，为 -50 dB（典型值）匹配的控制输入至信号输出电容：可减少输出信号瞬态导通频率响应 = 40 Mhz（典型值）在 20 V 电压下经过 100% 的静态电流测试参数额定电压为 5 V、10 V 和 15 V 符合 JEDEC 第 13B 号暂行标准 B 系列 CMOS 器件描述标准规范的所有要求应用：模拟信号开关/多路复用：信号选通、调制器、静噪控制、解调器、斩波、换向开关数字信号开关/多路复用传输门逻辑实现模数和数模转换频率、阻抗、相位和模拟信号增益的数字控制 CD4093B CMOS 四路双输入与非施密特触发器单击了解详情。每路输入都有施密特触发器作用，无需外部元件 V_DD = 5 V 时，典型滞后电压为 0.9 V；V_DD = 10 V 时，典型滞后电压为 2.3 V 抗噪能力高于 50% 输入上升和下降时间无限制标准化对称输出特性在 20 V 电压下经过 100% 的静态电流测试在全封装温度范围内，18 V 时最大输入电流为 1 µA；25°C、18 V 时，最大输入电流为 100 nA 参数额定电压为 5 V、10 V 和 15 V 符合 JEDEC 第 13B 号暂行标准 “‘B’ 系列 CMOS 器件描述标准规范”的所有要求应用：波形和脉冲整形器高噪声环境系统单稳多谐振荡器非稳多谐振荡器 “与非”逻辑 CD74HC154 高速 CMOS 逻辑 4 至 16 线路解码器/解复用器单击了解详情。两路使能输入，有助于实现解复用和级联功能扇出（在温度范围内）标准输出. . . . . . 10 路 LSTTL 负载总线驱动器输出. . . 15 路 LSTTL 负载宽工作温度范围. . . -55°C 至 125°C 平衡的传播延迟时间和转换时间功耗比 LSTTL 逻辑 IC 低很多 HC 类型工作电压为 2V 至 6V 高抗噪能力：V_CC = 5V 时，N_IL= 30%，N_IH = 30% V_CC HCT 类型工作电压为 4.5V 至 5.5V 直接兼容 LSTTL 输入逻辑，V_IL = 0.8V（最大值），V_IH = 2V（最小值）兼容 CMOS 输入，V_OL 和 V_OH 时，I_l 1µA SN7400 四路双输入正“与非”门单击了解详情。封装选择包括塑料小型 (D/NS/PS) 封装、收缩小型 (DB) 封装、陶瓷扁平 (W) 封装、陶瓷贴片载体 (FK) 封装、标准塑料 (N) DIP 和标准陶瓷 (J) DIP 还提供采用小型 (PS) 封装的双路双输入正“与非”门 SN7404 六路逆变器单击了解详情。值得信赖的 Texas Instruments 质量和可靠性 SN74HC14 六路施密特触发器逆变器单击了解详情。宽工作电压范围：2 V 至 6 V 输出最多可驱动 10 路 LSTTL 负载低功耗，I_CC 最高仅为 20 µA t_pd = 11 ns（典型值） 5 V 时，输出驱动电流为 ±4-mA 低输入电流：最高为 1 µA SN74LS00 四路双输入正“与非”门单击了解详情。封装选择包括塑料小型 (D/NS/PS) 封装、收缩小型 (DB) 封装、陶瓷扁平 (W) 封装、陶瓷贴片载体 (FK) 封装、标准塑料 (N) DIP 和标准陶瓷 (J) DIP 还提供采用小型 (PS) 封装的双路双输入正“与非”门 SN74LS04 六路逆变器单击了解详情。值得信赖的 Texas Instruments 质量和可靠性 SN74LS08 四路双输入正“与”门单击了解详情。封装选择包括塑料“小型”封装、陶瓷贴片载体封装、陶瓷扁平封装、塑料 DIP 和陶瓷 DIP 值得信赖的 Texas Instruments 质量和可靠性 SN74CB3Q16211 24 位 FET 2.5 V/3.3 V 低压高带宽总线开关单击了解详情。是 Texas Instruments Widebus™ 系列产品之一高带宽数据路径（高达 500 MHz）在器件上电或断电状态下，I/O 有 5 V 容差在工作电压范围内，导通电阻 (r_on) 低而平坦（r_on = 5 Ω，典型值）数据 I/O 端口支持轨至轨开关 3.3 V V_CC 时，支持 0 V 至 5 V 开关 2.5-V V_CC 时，支持 0 V 至 3.3 V 开关双向数据流，传播延迟几乎为零低输入/输出电容最大限度减少了负载和信号失真（C_io(OFF) = 4 pF，典型值）开关频率快（f_OE\ = 20 Mhz，最大值）数据输入和控制输入提供下冲箝位二极管低功耗（I_CC = 1 mA，典型值） V_CC 工作电压范围为 2.3 V 至 3.6 V 数据 I/O 支持 0 V 至 5 V 信号电平（0.8 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V、5 V）控制输入可由 TTL 或 5 V/3.3 V CMOS 输出驱动 I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74LVC138A 3 至 8 线路解码器/解复用器单击了解详情。工作电压范围为 1.65 V 至 3.6 V 输入接受高达 5.5 V 的电压 3.3 V 时，t_pd 最高为 5.8 ns V_CC = 3.3 V、T_A = 25°C 时，典型 V_OLP（输出接地跳动） < 0.8 V V_CC = 3.3 V、T_A = 25°C 时，典型 V_OHV（输出 V_OH 下冲） > 2 V 闩锁性能超过 JESD 17 标准规定的 250 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准）标准线性器件 TI 针对模拟市场的产品属于跨市场通用产品，包括信号调节电路、电源管理、接口产品和数据转换器。 TI 开发出业内最广泛、能够满足大量应用的低功耗、低电压模拟零件。 TI 的标准线性产品具有以下特点：小型封装高性能大容量支持多种应用 LMV339 四通道低电压通用比较器单击了解详情。 2.7 V 和 5 V 性能低供电电流 LMV331. . . 130 µA（典型值） LMV393. . . 210 µA（典型值） LMV339. . . 410 µA（典型值）共模输入电压范围包括地电位低输出饱和电压：200 mV（典型值）开集输出可实现最大的灵活性 LMV393 双通道低电压通用比较器单击了解详情。 2.7 V 和 5 V 性能低供电电流 LMV331. . . 130 µA（典型值） LMV393. . . 210 µA（典型值） LMV339. . . 410 µA（典型值）共模输入电压范围包括地电位低输出饱和电压：200 mV（典型值）开集输出可实现最大的灵活性 LMV331 单通道低电压通用比较器单击了解详情。 2.7 V 和 5 V 性能低供电电流 LMV331. . . 130 µA（典型值） LMV393. . . 210 µA（典型值） LMV339. . . 410 µA（典型值）共模输入电压范围包括地电位低输出饱和电压：200 mV（典型值）开集输出可实现最大的灵活性 LM311 具有选通功能的差分比较器单击了解详情。快速响应时间选通能力最大输入偏置电流. . . 300 nA 最大输入失调电流. . . 70 nA 可使用 5 V 单电源采用 Q-Temp 汽车级标准高可靠性汽车应用配置控制/打印支持符合汽车标准的资质 LM358 双通道运算放大器单击了解详情。宽供电范围：单电源. . . 3 V 至 32 V （对于 Lm2904，为 26 V）或双电源. . . ±1.5 V 至 ±16 V （对于 Lm2904，为 ±13 V）低漏极供电电流（与供电电压无关）. . . 0.7 mA（典型值）共模输入电压范围包括地电位，可在接近地面的位置进行直接感应输入偏置和失调参数低：输入失调电压...3 mV（典型值） A 版本...2 mV（典型值）输入失调电流...2 nA（典型值）输入偏置电流. . . 20 nA（典型值） A 版本. . . 15 nA（典型值）差分输入电压范围等于最大额定供电电压. . . ±32 V （对于 Lm2904，为 26 V）开环差分电压放大. . . 100 V/mV（典型值）内部频率补偿 LM4040A25 2.5 V 精密微功率分路电压基准，精度 0.1% 单击了解详情。输出电压固定为 2.048 V、2.5 V、3 V、4.096 V、5 V、8.192 V 和 10 V 输出容差范围小，温度系数低最大 0.1%，100 ppm/°C - A 级最大 0.2%，100 ppm/°C - B 级最大 0.5%，100 ppm/°C - C 级最大 1.0%，150 ppm/°C - D 级低输出噪声. . .35 µV_RMS（典型值）宽工作电流范围. . .45 µA（典型值）至 15 mA 面对各种容性负载都具有稳定性；无需输出电容器适用于更宽的温度范围. . .-40°C 至 125°C 应用数据采集系统电源和电源监控器仪器和测试设备过程控制精密音频汽车电子能源管理电池供电型设备 LT1013 双精度运算放大器单击了解详情。单电源供电 - 输入电压范围包括地电位 - 灌入电流时，输出摆动至地电位输入失调电压 - 25°C 时，最高 150 µV (LT1013A) 失调电压温度系数 - 最高 2.5 µV/°C (LT1013A) 输入失调电流 - 25°C 时，最高 0.8 nA (LT1013A) 高增益. . . 对于 LT1013A，最高 1.5 V/µV (RL = 2 kΩ) 或 0.8 V/µV (RL = 600 kΩ) 低供电电流. . . TA = 25°C 时，最高 0.5 mA (LT1013A) 低峰间噪声电压. . . 0.55 µV（典型值）低电流噪声. . . 0.07 pA/√Hz（典型值） NE5532 双通道低噪声高速音频运算放大器单击了解详情。等效输入噪声电压：1 kHz 时，为 5 nV/√Hz（典型值）单位增益带宽：10 MHz（典型值）共模抑制比：100 dB（典型值）高直流电压增益：100 V/mV（典型值） V_CC± = ±15 V、R_L = 600 Ω 时，峰间输出电压摆幅为 26 V（典型值）高压摆率：9 V/µs（典型值） RC4558 双通道通用运算放大器单击了解详情。连续短路保护宽共模差分电压范围无需频率补偿低功耗无闩锁单位增益带宽. . . 3 Mhz（典型值）放大器间的增益和相位匹配低噪声. . . 1 kHz 时，为 8 nV/√Hz（典型值） TL431 可调精密并联稳压器单击了解详情。工作温度范围为 −40°C 至 125°C 25°C 时的基准电压公差 0.5%. . . B 级 1%. . . A 级 2%. . . 标准级典型温度漂移 (TL431B) 6 mV（C 温度） 14 mV（I 温度，Q 温度）低输出噪声典型输出阻抗为 0.2 Ω 灌电流能力. . . 1 mA 至 100 mA 可调节输出电压. . . Vref 高至 36 V TL072 双通道低噪声 JFET 输入通用运算放大器单击了解详情。低功耗宽共模差分电压范围输入偏置和失调电流低输出短路保护低总谐波失真... 0.003%（典型值）低噪声：f = 1 kHz 时， V_n = 18 nV/√Hz（典型值）高输入阻抗. . . JFET 输入级内部频率补偿工作时不会发生闩锁现象高压摆率. . . 13 V/µs（典型值）共模输入电压范围包括 V_CC+ TL074 四通道低噪声 JFET 输入通用运算放大器单击了解详情。低功耗宽共模差分电压范围输入偏置和失调电流低输出短路保护低总谐波失真... 0.003%（典型值）低噪声：f = 1 kHz 时， V_n = 18 nV/√Hz（典型值）高输入阻抗. . . JFET 输入级内部频率补偿工作时不会发生闩锁现象高压摆率. . . 13 V/µs（典型值）共模输入电压范围包括 V_CC+ TL084 JFET 输入运算放大器单击了解详情。低功耗宽共模差分电压范围输入偏置和失调电流低输出短路保护低总谐波失真...0.003%（典型值）高输入阻抗...JFET 输入级工作时不会发生闩锁现象高压摆率...13 V/µs（典型值）共模输入电压范围包括 V_CC+ UA741 通用运算放大器单击了解详情。短路保护失调电压零点功能宽共模差分电压范围无需频率补偿低功耗无闩锁可与 Fairchild uA741 互换 L293D 四路半高驱动器单击了解详情。采用现属于 Texas Instruments 的 Unitrode L293 和 L293D 产品宽供电电压范围：4.5 V 至 36 V 独立的输入逻辑电源内部 ESD 保护热关断具有高抗噪能力的输入可成为 SGS L293 和 SGS L293D 的功能性替代品每通道的输出电流为 1 A（对于 L293D，为 600 mA）每通道的峰值输出电流为 2 A（对于 L293D，为 1.2 A）输出箝位二极管可实现电感瞬态抑制 (L293D) LMV321 单路低压轨至轨输出运算放大器单击了解详情。 2.7 V 和 5 V 性能工作温度范围为 -40°C 至 125°C 低功耗关断模式 (LMV324S) 无交越失真低供电电流 LMV321. . . 130 µA（典型值） LMV358. . . 210 µA（典型值） LMV324. . . 410 µA（典型值） LMV324S. . . 410 µA（典型值）轨至轨输出摆幅 ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） MAX232 双路 EIA-232 驱动器/接收器单击了解详情。符合或超过 TIA/EIA-232-F 标准和国际电信联盟 (ITU) 建议的 V.28 标准使用 5 V 单电源操作，带有 1.0 µF 充电泵电容器工作速度高达 120 kb/s 两个驱动器和两个接收器 ±30 V 输入电平低供电电流...8 mA（典型值） ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准）升级改善了 ESD 性能 (15-kV HBM)；随 MAX202 提供 0.1 µF 充电泵电容器应用 TIA/EIA-232-F、电池供电系统、端子、调制解调器和计算机 OP07C 低失调电压运算放大器单击了解详情。低噪声无需外部元件以更低成本取代斩波放大器宽输入电压范围 . . . 0 至 ±14 V（典型值）宽供电电压范围 . . . ±3 V 至 ±18 V ESD/EMI 在当今世界，系统级的静电放电 (ESD) 保护变得非常重要，因为设备日益便携化，包含多个接口连接器，使用触摸屏，并需要不断对外界开放。一次 ESD 尖峰即可对产品造成永久损坏，因此，ESD 保护是系统设计的一个关键组成部分。电磁干扰 (EMI) 是系统设计常常面临的另一个挑战。 EMI 是一种射频 (RF)（800 Mhz 至 2 GHz）扰动，由于外部来源的电磁传导而影响电路。 Texas Instruments 制造同时具有 ESD 和 EMI 保护功能的器件，为保护大多数连接外界的外部连接提供了解决方案。 TPD4E001 低电容 4 通道 +/-15 kV ESD 保护阵列单击了解详情。 4 通道 ESD 箝位阵列可增强系统级 ESD 保护超过 IEC61000-4-2（4 级）的 ESD 保护要求 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电 ±15 kV IEC 61000-4-2 气隙放电 ±15 kV 人体模型 (HBM) 5.5 A 峰值脉冲电流（8/20 µs 脉冲） 1.5 pF 低输入电容 TPD4S014 完整的单芯片解决方案，用于 USB 充电器端口保护单击了解详情。当 VBUS 电压达到 28V 时会提供输入电压保护低导通电阻 nFET 开关支持大于 2A 的充电电流具有过压和欠压锁定功能 TPD4E001 低电容 4 通道 +/-15 kV ESD 保护阵列，用于高速数据接口单击了解详情。 4 通道 ESD 箝位阵列可增强系统级 ESD 保护超过 IEC61000-4-2（4 级）的 ESD 保护要求 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电 ±15 kV IEC 61000-4-2 气隙放电 ±15 kV 人体模型 (HBM) 5.5 A 峰值脉冲电流（8/20 µs 脉冲） 1.5 pF 低输入电容低漏电电流：1 nA（最大值） 0.9 V 至 5.5 V 供电电压范围节省空间的 DRL、DBV、DCK 和 DRS 封装选择提供 2 通道、3 通道和 6 通道替代选择：TPD2E001、TPD3E001 和 TPD6E001 TPD8E003 8 通道 ESD 阵列，用于便携式小空间应用单击了解详情。 8 通道 ESD 箝位阵列可增强系统级的 ESD 保护超过 IEC61000-4-2（4 级）的 ESD 保护要求 ±12kV IEC 61000-4-2 接触放电 ±15 kV IEC 61000-4-2 气隙放电 3.5 A 峰值脉冲电流（8/20 µs 脉冲） ±15 kV 人体模型 (HBM) 低击穿电压：6 V 低漏电电流采用节省空间的小型超薄无铅 [WSON (DQD)] 封装（间距 0.4 mm）应用小键盘触摸屏接口存储器接口对接连接器接口 TPD7S019 7 通道集成式 ESD 解决方案，用于带有集成式电平位移器的 VGA 端口单击了解详情。 7 通道 ESD 保护包括 ESD 保护、电平位移、缓冲和同步阻抗匹配超过 IEC61000-4-2（4 级）标准的外部引脚 ESD 保护要求 ±15 kV 人体模型 (HBM) ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电 VIDEO 线路上 ESD 保护二极管产生的负载电容极低（仅为 2.5 pF） 5 V 驱动器用于 HSYNC 和 VSYNC 线路同步线路集成了阻抗匹配电阻器： TPD7S019-65：65-Ω 端接 TPD7S019-15：15-Ω 端接 TPD7S019-55：55-Ω 端接提供了适用于 DDC_CLK 和 DDC_DATA 通道的双向电平位移 N 沟道 FET 采用直通单列直插式引脚映射，可确保对连接器附近的芯片提供 ESD 保护时不会造成额外的电路板布局负担应用以下设备的 VGA 和 DVI-I 端口：台式电脑和笔记本电脑图形卡机顶盒电视 TPD2S017 具有串联电阻器隔离的 2 通道超低箝位电压 ESD 解决方案单击了解详情。超低箝位电压可确保在 ESD 事件期间为超低压核心芯片组提供保护超过 IEC61000-4-2（4 级）标准的 ESD 保护要求匹配串联电阻器 (R =1 Ω)：±8 mΩ（典型值）匹配差分通道输入电容：0.02 pF（典型值）高数据速率，高频时会产生 EMI 滤波器作用（–3 dB 带宽，≈3 GHz）采用 6 引脚小型晶体管 [SOT (DBV)] 封装对高速线路采用直通单列直插式引脚映射，可确保对连接器附近的芯片提供 ESD 保护时不会造成额外的电路板布局负担应用高速 USB IEEE 1394 接口低压差分信号发送 (LVDS) 移动显示数字接口 (MDDI)/移动行业处理器接口 (MIPI) 高速信号 TPD12S015A HDMI 配套芯片，具有升压型 DC-DC I2C 电平位移器和高速 ESD 箝位，适合便携式应用单击了解详情。无需任何外部元件即可通过 HDMI 合规性测试支持 HDMI 1.4 数据速率匹配 D 类和 C 类引脚映射每个差分信号对具有出色的匹配电容 (0.05pF) 内部升压转换器可通过 2.3 至 5.5 V 的电池电压产生 5 V 电压 CEC、SDA 和 SCL 路径具有自动方向感应电平位移功能符合 IEC 61000-4-2（4 级）的系统级 ESD 要求业内畅销的 TPD12S015 的改进型直接替代品工业温度范围：–40°C 至 85°C TPD1E10B09 采用 0402 封装的单通道 ESD 保护器件，电容为 10pF，击穿电压为 9V 单击了解详情。为低压 IO 接口提供系统级的 ESD 保护符合 IEC 61000-4-2 4 级标准 ±20kV（气隙放电） ±20kV（接触放电）符合 IEC 61000-4-5 标准（电涌）：4.5A (8/20µs) IO 电容为 10pF（典型值） R_DYN 0.5Ω（典型值） DC 击穿电压 ±9.5V（最小值）超低漏电电流 100nA（典型值） 13V 箝位电压（I_PP = 1A 时最高）工业温度范围：–40°C 至 125°C 节省空间的 0402 基底面 (1mm x 0.6mm x 0.5mm) TPD1E10B06 采用 0402 封装的单通道 ESD 保护，电容为 10pF，击穿电压为 6V 单击了解详情。为低压 IO 接口提供系统级的 ESD 保护符合 IEC 61000-4-2 4 级标准 ±30kV（气隙放电） ±30kV（接触放电） IEC 61000-4-5（电涌）：6A (8/20µs) IO 电容 12pF（典型值） R_DYN 0.4Ω（典型值） DC 击穿电压 ±6V（最小值）超低漏电电流 100nA（最大值） 10V 箝位电压（I_PP = 1A 时最高）工业温度范围：–40°C 至 125°C 节省空间的 0402 基底面 (1mm x 0.6mm x 0.5mm) 模拟开关在当今竞争激烈的环境中，迫切需要的是不断提升性能。优化系统性能的一种常见方法是，使用 FET 开关或信号开关在 DSP、CPU、行业标准总线、存储器和外设之间提供高速双向总线接口。 Texas Instruments 的信号开关产品组合包括数字开关、模拟开关和专用开关，当无需信号缓冲时，为标准总线接口器件提供了高性能低功耗替代产品。模拟开关 TS3DDR3812 适用于高速应用的 12 通道 1:2 复用器/解复用器开关单击了解详情。宽带宽：1.675 GHz 低传播延迟（t_pd = 40 ps，典型值）低位间失真（t_sk(o) = 6 ps，最大值） V_CC 工作电压范围为 3 V 至 3.6 V TS5USBA224 具有负信号能力的 USB 2.0 高速 (480 Mbps) 音频开关单击了解详情。 4 Ω 高速 USB 开关： R_DSON（典型值） 12.5 pF C_ON（典型值） 650 MHz 带宽 (–3 dB) 音频开关： 3 Ω R_DSON（典型值）负电压轨能力低 THD：<0.05% 内部分流电阻器可抑制喀嗒声从 V_AUDIO 供电（2.7 V 至 5.5 V） 1.8 V 兼容控制输入（A_SEL 和 V_BUS）阈值经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 TS5A22362 具有负电压轨能力的 0.65 欧姆双路 SPDT 模拟开关单击了解详情。专用的先开后合式开关负信号发送能力：最大电压摆幅为 –2.75 V 至 2.75 V (V₊ = 2.75 V) 内部分路开关可防止在两个电源之间切换时听到喀嗒声 (TS5A22364) 低导通电阻（0.65 Ω，典型值）低电荷注入出色的导通电阻匹配 2.3 V 至 5.5 V 电源 (V₊) 闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2500-V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1500-V 带电器件模型（符合 C101 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准）应用手机 PDA 便携式仪器音频路由医学成像 TS3USB221 具有单路使能的高速 USB 2.0 (480 Mbps) 1:2 多路复用器/解复用器开关单击了解详情。 V_CC 工作电压为 2.5 V 和 3.3 V V_I/O 接受电压高达 5.5 V 的信号 1.8 V 兼容控制引脚输入在 OE 禁用的情况下，为低功耗模式 (1 µA) r_ON = 6 Ω（最大值） Δr_ON = 0.2 Ω（典型值） C_io(on) = 6 pF（最大值）低功耗（最高 30 µA） ESD > 2000 V 人体模型 (HBM) 高带宽（1.1 GHz，典型值）应用 USB 1.0、1.1 和 2.0 信号路由移动行业处理器接口 (MIPI) 信号路由 TS3USB30 具有单路使能的高速 USB 2.0 (480 Mbps) 1:2 多路复用器/解复用器开关单击了解详情。 V_CC工作电压为 3 V 和 4.3 V 1.8 V 兼容控制引脚输入 I_OFF 支持部分省电工作模式 r_on = 10 Ω（最大值） Δr_on <0.35 Ω（典型值） C_io(ON) = 7 pF（典型值）低功耗（最高 1 µA）经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 6000 V 人体模型 (HBM) （符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） 250-V 机器模型（符合 A115-A 标准） –3-dB 带宽 = 955 MHz（典型值）采用 10 引脚 TQFN (1.4 mm x 1.8 mm) 封装应用 USB 1.0、1.1 和 2.0 信号路由移动行业处理器接口 (MIPI) 信号路由 TS5A23159 1 欧姆双路 SPDT 模拟开关 5 V/3.3 V 双通道 2:1 多路复用器/解复用器单击了解详情。在省电模式下隔离，V₊ = 0 专用的先开后合式开关低导通电阻 (1 Ω) 控制输入有 5.5 V 容差低电荷注入出色的导通电阻匹配低总谐波失真 (THD) 采用 1.65 V 至 5.5 V 单电源供电闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准）应用手机 PDA 便携式仪器音频和视频信号路由低压数据采集系统通信电路调制解调器 TS5USBA224 具有负信号能力的 USB 2.0 高速 (480 Mbps) 音频开关单击了解详情。高速 USB 开关： 4 Ω R_DSON（典型值） 12.5 pF C_ON（典型值） 650 MHz 带宽 (–3 dB) 音频开关： 3 Ω R_DSON（典型值）负电压轨能力低 THD：<0.05% 内部分流电阻器可抑制喀嗒声从 V_AUDIO 供电（2.7 V 至 5.5 V） 1.8 V 兼容控制输入（A_SEL 和 V_BUS）阈值 I_OFF 支持部分省电工作模式经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准）应用蜂窝电话个人数码助理 (PDA) 便携式仪器 TSU6111 集成了阻抗和充电器检测功能的双路 SP2T 微型 USB 开关单击了解详情。双路 SP2T USB 和 UART 路径支持高速 USB 2.0 智能检测插入/拔出检测 USB 充电器检测阻抗检测检测功能符合 CEA-936A 标准（四线协议，UART 接口）充电器检测符合 USB BCDv1.1 标准 VBUS 检测数据触头检测主级和次级检测兼容的配件 USB 电缆 UART 电缆 USB 充电器 BCDv1.1 标准其他特性 I²C 用于连接主机处理器支持用于制造的控制信号（JIG、BOOT）可中断以进行配件连接和断开 TS3A24159 0.3 欧姆双路 SPDT 模拟开关双通道 2:1 多路复用器/解复用器单击了解详情。专用的先开后合式开关低导通电阻（最高 0.3 Ω）低电荷注入出色的导通电阻匹配低总谐波失真 (THD) 采用 1.65 V 至 3.6 V 单电源供电控制输入兼容 1.8 V 逻辑闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准）负载开关 TI 的 TPS229xx 系列集成式负载开关能够降低泄漏电流，是一种用于系统内电源优化的简易解决方案。该系列开关是专为便携式电源管理设计人员提供的解决方案，帮助他们应对设计中遇到的各种难题。该系列产品将分立负载开关的所有主要功能集于单个芯片上，能够为最终用户提供最佳的性能和灵活性。借助集成负载开关，可轻松实施分布式电源管理架构，并让不使用的应用进入省电模式。 TPS22946 超低功耗低输入电压限流负载开关单击了解详情。 V_IN = 1.8 V 时，静态电流超低，仅为 1 µA（典型值）输入电压范围：1.62 V 至 5.5 V 低导通电阻 V_IN = 5.5 V 时，r_ON = 300 mΩ V_IN = 3.3 V 时，r_ON = 400 mΩ V_IN = 2.5 V 时，r_ON = 500 mΩ V_IN = 1.8 V 时，r_ON = 600 mΩ 可选最低电流限制： 155 mA、70 mA 或 30 mA 集成涌流超时 (8 ms) 关断电流：< 1 µA 热关断故障消隐自动重启过流状况超时（当出现持久过流状况时，会自动禁用） 1.8 V 兼容控制输入经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 6000-V 人体模型（符合 A114-B II 类标准）采用微型 1.4mm &timews; 0.9 mm WCSP 封装 (YZP) 应用指纹识别模块保护 TPS22941 具有关断和自动重启功能的低输入电压 40mA 限流负载开关单击了解详情。输入电压范围：1.62 V 至 5.5 V 低导通电阻 V_IN = 5.5 V 时，r_ON = 0.4 Ω V_IN = 3.3 V 时，r_ON = 0.5 Ω V_IN = 2.5 V 时，r_ON = 0.6 Ω V_IN = 1.8 V 时，r_ON = 0.8 Ω 最低电流限制：40 mA 或 100 mA 欠压锁定热关断关断电流 < 1 µA 快速限流响应时间故障消隐自动重启 1.8 V 兼容控制输入阈值经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 4000-V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准）微型 SC-70 (DCK) 封装应用低电流传感器保护 TPS22904 具有快速输出放电功能的超小型低输入电压低导通电阻负载开关单击了解详情。输入电压：1.1 V 至 3.6 V 超低导通电阻 V_IN = 3.6 V 时，r_ON = 66 mΩ V_IN = 2.5 V 时，r_ON = 75 mΩ V_IN = 1.8 V 时，r_ON = 90 mΩ V_IN = 1.2 V 时，r_ON = 135 mΩ 最大连续开关电流为 500 mA 静态电流 < 1 µA 关断电流 < 1 µA 控制输入阈值低，因此可使用 1.2 V/1.8 V/2.5 V/3.3 V 逻辑受控压摆率（3.6 V 时，最高为 5 µs）快速输出放电（仅限 TPS22904）经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准）四端子晶圆芯片级封装 (WCSP) 0.8 mm × 0.8 mm，间距 0.4 mm，高 0.5 mm 应用 PDA 手机 TPS22929D 低输入电压 1.8 A 单通道受控导通负载开关单击了解详情。集成式单通道负载开关采用小型 SOT23-6 封装输入电压范围：1.4 至 5.5 V 低导通电阻 VIN = 5 V 时，r_ON = 115 mΩ VIN = 3.3 V 时，r_ON = 115 mΩ VIN = 2.5 V 时，r_ON = 118 mΩ VIN = 1.5 V 时，r_ON = 129 mΩ 连续开关电流为 1.8 A（25°C 时）低阈值控制输入受控压摆率选择欠压锁定快速输出放电晶体管反向电流保护 TPS22913C 超小型低导通电阻 2 A 单通道受控导通负载开关单击了解详情。集成式单通道负载开关采用超小型 0.9mm × 0.9mm CSP-4 封装，间距 0.5mm 输入电压范围：1.4 至 5.5 V 低导通电阻 VIN = 5 V 时，r_ON = 60 mΩ VIN = 3.3 V 时，r_ON = 61 mΩ VIN = 1.8 V 时，r_ON = 74 mΩ VIN = 1.5 V 时，r_ON = 84 mΩ 最大连续开关电流为 2 A 低阈值控制输入受控压摆率选择欠压锁定快速输出放电晶体管反向电流保护 TPS22912C 低输入电压 2A 单通道受控导通负载开关单击了解详情。集成式单通道负载开关采用超小型 0.9mm × 0.9mm CSP-4 封装，间距 0.5mm 输入电压范围：1.4 至 5.5 V 低导通电阻 VIN = 5 V 时，r_ON = 60 mΩ VIN = 3.3 V 时，r_ON = 61 mΩ VIN = 1.8 V 时，r_ON = 74 mΩ VIN = 1.5 V 时，r_ON = 84 mΩ 最大连续开关电流为 2 A 低阈值控制输入受控压摆率选择欠压锁定反向电流保护 TPS22910A 超小型低导通电阻 2 A 单通道受控导通负载开关单击了解详情。集成式单通道负载开关采用超小型 0.9mm × 0.9mm CSP-4 封装，间距 0.5mm 输入电压范围：1.4 至 5.5 V 低导通电阻 VIN = 5 V 时，r_ON = 60 mΩ VIN = 3.3 V 时，r_ON = 61 mΩ VIN = 1.8 V 时，r_ON = 74 mΩ VIN = 1.5 V 时，r_ON = 84 mΩ 最大连续开关电流为 2 A 低阈值控制输入受控压摆率选择欠压锁定反向电流保护 I²C 随着许多外设连接所用的电路变得越来越复杂，市场急需一种可简化设计并降低成本的方法。 I2C 总线可满足这一要求，因为它限制了所用的印刷电路板 (PCB) 印制线数量，并减少了通用输入输出 (GPIO) 在微处理器上的应用。利用 Texas Instruments 的 I/O 扩展器、多路复用器、缓冲器和中继器，系统设计人员可通过成熟的 I²C 器件实现子系统的高效通信和连接。内部集成电路 I²C 总线由两条有源电线组成，一条为双向串行总线 (SDA)，一条为双向串行时钟 (SCL) 线。 TI 的 I²C 产品组合包括 TCA、PCA 和 PCF 技术。 TCA5405 低压 5 位自定时单线输出扩展器单击了解详情。工作电源电压范围为 1.65 V 至 3.6 V 五路独立的推挽输出单路输入 (DIN) 控制所有输出的状态高电流驱动输出，可最大限度提高直接驱动 LED 的能力闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA TCA6416A 低压 16 位 I²C 和 SMBus I/O 扩展器单击了解详情。工作电源电压范围为 1.65 V 至 5.5 V I²C 至并口扩展器待机电流消耗低：仅 3 μA 施密特触发器作用允许缓慢输入转换，并使 SCL 和 SDA 输入端具有更好的抗开关噪声能力 PCA9306 双路双向 I2C 总线和 SMBus 电压电平转换器单击了解详情。一款 2 位双向转换器，适合混模 I²C 应用中的 SDA 和 SCL 线路兼容 I²C 和 SMBus 最大传播延迟小于 1.5 ns，适用于标准模式和快速模式 I²C 器件以及多主系统允许以下电压之间的电压电平转换： 1.2-V V_REF1 和 1.8-V、2.5-V、3.3-V 或 5-V V_REF2 1.8-V V_REF1 和 2.5-V、3.3-V 或 5-V V_REF2 2.5-V V_REF1 和 3.3-V 或 5-V V_REF2 3.3-V V_REF1 和 5-V V_REF2 提供无方向引脚的双向电压转换可在输入端口和输出端口之间实现 3.5 Ω 的低导通电阻连接，从而减少信号失真开漏 I²C I/O 端口（SCL1、SDA1、SCL2 和 SDA2） 5 V 容差 I²C I/O 端口支持混模信号工作高阻抗 SCL1、SDA1、SCL2 和 SDA2 引脚，适合 EN 低的情况当 EN 低时，无锁定工作状态可实现隔离直通引脚分配，方便进行印刷电路板印制线布线闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） TCA6408A 低压 8 位 I2C 和 SMBus I/O 扩展器单击了解详情。工作电源电压范围为 1.65 V 至 5.5 V 允许以下端口之间的双向电压电平转换和 GPIO 扩展： 1.8 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、 3.3 V 或 5 V P 端口 2.5 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、 3.3 V 或 5 V P 端口 3.3 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、 3.3 V 或 5 V P 端口 5 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、 3.3 V 或 5 V P 端口 I²C 至并口扩展器待机电流消耗低：仅 1 μA 施密特触发器作用允许缓慢输入转换，并使 SCL 和 SDA 输入端具有更好的抗开关噪声能力 1.8 V 时，V_hys = 0.18 V（典型值） 2.5 V 时，V_hys = 0.25 V（典型值） 3.3 V 时，V_hys = 0.33 V（典型值） 5 V 时，V_hys = 0.5 V（典型值） 5 V 容差 I/O 端口低电平有效复位 (RESET) 输入开漏低电平有效中断 (INT) 输出 400 kHz 快速 I²C 总线输入/输出配置寄存器极性反转寄存器内部上电复位 TCA6424A 低压 24 位 I2C 和 SMBus I/O 扩展器单击了解详情。工作电源电压范围为 1.65 V 至 5.5 V 允许以下端口之间的双向电压电平转换和 GPIO 扩展： 1.8 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、3.3 V 或 5 V P 端口 2.5 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、3.3 V 或 5 V P 端口 3.3 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、3.3 V 或 5 V P 端口 5 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、3.3 V 或 5 V P 端口 I²C 至并口扩展器待机电流消耗低：仅 1 μA 施密特触发器作用允许缓慢输入转换，并使 SCL 和 SDA 输入端具有更好的抗开关噪声能力 1.8 V 时，V_hys = 0.18 V（典型值） 2.5 V 时，V_hys = 0.25 V（典型值） 3.3 V 时，V_hys = 0.33 V（典型值） 5 V 时，V_hys = 0.5 V（典型值） 5 V 容差 I/O 端口低电平有效复位输入 (RESET) 开漏低电平有效中断输出 (INT) 400 kHz 快速 I²C 总线输入/输出配置寄存器极性反转寄存器内部上电复位 TCA6507 低电压 7 位 I2C 和 SMBus LED 驱动器，具有强度控制和关断功能单击了解详情。七路 LED 驱动器输出：开、关、闪烁、以可编程速率渐明/渐暗开漏输出可直接将 LED 电流推至最大 40 mA 可配置为两个独立的 LED 驱动器组高度可编程的闪烁速率、渐明/渐暗速率和最大强度使用脉冲宽度调制 (PWM) 进行 LED 强度设置不用作 LED 驱动器的输出可用作常规通用开漏输出 16 阶最大强度控制：从全关到全开状态渐明或渐暗状态具有 256 个强度等级，可实现可察觉而又平稳的亮度转变工作电源电压范围为 1.65 V 至 3.6 V 提供 EVM 施密特触发器作用允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力 1.8 V 时，V_hys = 0.18 V（典型值） 2.5 V 时，V_hys = 0.25 V（典型值） 3.3 V 时，V_hys = 0.33 V（典型值） 5.5 V 容差开漏输出具有低待机电流和关断能力，更加省电内部上电复位内置振荡器，无需外部元件通过兼容 SMBus 的 I²C 总线接口逻辑进行编程 400 kHz 快速 I²C 总线 TCA9555 具有中断输出和配置寄存器的远程 16 位 I2C 和 SMBus I/O 扩展器单击了解详情。待机电流消耗低：最高仅为 3 μA I²C 至并口扩展器开漏低电平有效中断输出 5 V 容差 I/O 端口兼容大多数微控制器 400 kHz 快速 I²C 总线通过三个硬件地址引脚进行寻址，最多可使用八个器件极性反转寄存器锁存输出具有高电流驱动能力，可直接驱动 LED 闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） TCA7408 具有中断输出复位 I/O 方向寄存器的低电压 8 位 I2C I/O 扩展器单击了解详情。工作电源电压范围为 1.65V 至 3.6V 允许以下端口之间的双向电压电平转换和 GPIO 扩展： 1.8 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、3.3 V GPIO 端口 2.5 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、3.3 V GPIO 端口 3.3 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、3.3 V GPIO 端口 5 V SCL/SDA 和 1.8 V、2.5 V、3.3 V GPIO 端口 1.8V 时，待机电流消耗 < 2 µA 有源电流消耗： < 2 µA（采用 1.8 V 100 kHz 时钟时） < 5 µA（采用 1.8 V 400 kHz 时钟时） 100 kHz 和 400 kHz 快速模式内部上电复位和看门狗定时器具有故障保险功能的 I²C、INT 和 RESET 线路 SCL/SDA 和输入端带有噪声滤波器施密特触发器作用允许缓慢输入转换，并使 SCL 和 SDA 输入端具有更好的抗开关噪声能力 1.8V 时，V_hys = 0.18V（典型值） 2.5V 时，V_hys = 0.25V（典型值） 3.3V 时，V_hys = 0.33V（典型值）低电平有效复位 (RESET) 输入开漏低电平有效中断 (INT) 输出 TCA9509 电平转换 I2C 总线中继器单击了解详情。双通道双向缓冲兼容 I²C 总线和 SMBus B 侧的工作电源电压范围为 2.7 V 至 5.5 V A 侧的工作电压范围为 0.9 V 至 V_CCB (1 V) 可在 0.9 V 和 V_CCB (1 V) 以及 2.7 V 和 5.5 V 之间进行电压电平转换高电平有效中继器使能输入低压端口 A 无需外部上拉电阻器开漏 I²C I/O 5.5 V 容差 I²C 和使能输入端口支持混模信号操作工作时不会出现锁定现象适用于标准模式和快速模式 I²C 器件以及多主系统支持跨中继器仲裁和时钟拉伸不带电高阻抗 I²C 总线引脚支持 400 kHz 快速 I²C 总线工作速度采用：高 0.4mm、间距 0.5mm 的 1.6mm x 1.6mm QFN 封装 3mm x 3mm 行业标准 MSOP 封装闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准）转换器如今，同一个电路板上可混合使用或同时使用不同的工作电源电压电平，因此需要进行电压电平转换。电压电平转换器（或称电平位移器）能够消除在同一电路板上同时使用不同电源电压电平造成的各种危害。 Texas Instruments 提供业内最丰富的电平转换产品组合，能够满足您的电平位移器需求。 TXS4555 一款用于连接无线基带处理器的完整 SIM 卡解决方案单击了解详情。电平转换器 V_CC 电压范围为 1.65 V 至 3.3 V V_BATT 电压范围为 2.3 V 至 5.5 V 低压差 (LDO) 稳压器具有使能输入的 50 mA LDO 稳压器 1.8 V 或 2.95 V 可选输出电压 2.3 V 至 5.5 V 输入电压范围较低压差：50mA 时，100mV（最大值） TXS0102 适合开漏应用的 2 位双向电压电平转换器单击了解详情。无需方向控制信号最大数据速率 24 Mbps（推挽） 2 Mbps（开漏）采用 Texas Instruments NanoFree™ 封装 A 端口的电压范围为 1.65 V 至 3.6 V，B 端口的电压范围为 2.3 V 至 5.5 V (V_CCA ≤ V_CCB) TXB0104 具有自动方向感应和 +/-15 kV ESD 保护功能的 4 位双向电压电平转换器单击了解详情。 A 端口的电压范围为 1.2 V 至 3.6 V， B 端口的电压范围为 1.65 V 至 5.5 V (V_CCA ≤ V_CCB) V_CC 隔离功能 – 如果任一 V_CC 输入接地，则所有输出都将处于高阻抗状态 OE 输入电路以 V_CCA 为基准低功耗，I_CC 最高仅为 5 µA I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 A 端口 2500-V 人体模型（符合 A114-B 标准） 1500-V 带电器件模型（符合 C101 标准） B 端口 ±15 kV 人体模型（符合 A114-B 标准） 1500-V 带电器件模型（符合 C101 标准） TXS0104E 适合开漏应用的 4 位双向电压电平转换器单击了解详情。无需方向控制信号最大数据速率 24 Mbps（推挽） 2 Mbps（开漏）采用 Texas Instruments NanoFree 封装 A 端口的电压范围为 1.65 V 至 3.6 V，B 端口的电压范围为 2.3 V 至 5.5 V (V_CCA ≤ V_CCB) 无需电源定序 – V_CCA 或 V_CCB 可先斜坡上升闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 A 端口：2000 V 人体模型（符合 A114-B 标准）、200 V 机器模型（符合 A115-A 标准）、1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） B 端口：15 kV 人体模型（符合 A114-B 标准）、200 V 机器模型（符合 A115-A 标准）、1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） IEC 61000-4-2 ESD（B 端口） ±8 kV 接触放电 ±10 kV 气隙放电 SN74LVC1T45 具有可配置电压转换功能和三态输出的单位双电源总线收发器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoFree™ 封装利用完全可配置的双轨设计，各个端口均可在 1.65 V 至 5.5 V 电源电压范围内工作 V_CC 隔离功能 – 如果任一 V_CC 输入接地，则两个端口都将处于高阻抗状态 DIR 输入电路以 V_CCA 为基准低功耗，I_CC 最高仅为 4 µA 3.3 V 时，输出驱动电流为 ±24 mA I_off 支持部分省电工作模式最大数据速率 420 Mbps（3.3 V 转换为 5 V） 210 Mbps（转换为 3.3 V） 140 Mbps（转换为 2.5 V） 75 Mbps（转换为 1.8 V）闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74AVC2T45 具有可配置电压转换功能和三态输出的双位双电源总线收发器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoFree™ 封装控制输入 V_IH/V_IL 电平以 V_CCA 电压为基准利用完全可配置的双轨设计，各个端口均可在 1.2 V 至 3.6 V 电源电压范围内工作 I/O 具有 4.6 V 容差 I_off 支持部分省电工作模式最大数据速率 500 Mbps（1.8 V 转换为 3.3 V） 320 Mbps（1.8 V 以下转换为 3.3-V） 320 Mbps（转换为 2.5 V 或 1.8 V） 280 Mbps（转换为 1.5 V） 240 Mbps（转换为 1.2 V）闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 8000-V 人体模型（符合 A114-A 标准） 200 V 机器模型（符合 A115-A 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准） SN74AUP1T97 单电源电压转换器单击了解详情。采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装单电源电压转换器 1.8 V 转换为 3.3 V（V_CC = 3.3 V 时） 2.5 V 转换为 3.3 V（V_CC = 3.3 V 时） 1.8 V 转换为 2.5 V（V_CC = 2.5 V 时） 3.3 V 转换为 2.5 V（V_CC = 2.5 V 时）九个可配置的门逻辑功能施密特触发器输入可抑制输入噪声并提高输出信号完整性 I_off 支持部分省电工作模式，而且漏电电流低（仅 0.5 µA）极低的静态和动态功耗采用无铅封装：SON（DRY 或 DSF）、 SOT-23 (DBV)、SC-70 (DCK) 和 NanoStar WCSP 闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA 经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准 2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准）相关器件：SN74AUP1T98、SN74AUP1T57 和 SN74AUP1T58 TXB0304 具有 0.9 V 至 3.6 V 完全对称电压范围和自动方向感应功能的 4 位双向转换器单击了解详情。完全对称的供电电压。 A 端口：0.9 V 转换为 3.6 V；B 端口：0.9 V 转换为 3.6 V V_CC 隔离功能 – 如果任一 _VCC 输入接地，则所有输出都将处于高阻抗状态 OE 输入电路以 V_CCA 为基准低功耗：最高仅为 5 µA（I_CCA 或 I_CCB） I_off 支持部分省电工作模式闩锁性能超过 JESD 78 II 类标准规定的 100 mA ESD 保护超过 JESD 22 标准 8000-V 人体模型（符合 A114-B 标准） 1000 V 带电器件模型（符合 C101 标准）	Texas Instruments 按以下条件筛选结果：库存现货无铅符合 RoHS 规范按类别列出零件搜索结果符合 RoHS 规范且无铅 RoHS 合规证书制造商链接指南 I²C 指南模拟开关指南标准线性器件指南小尺寸逻辑器件指南逻辑器件指南转换指南精选视频 TS3A225E 耳麦音频开关演示产品培训模块模拟开关解决方案 ESD/EMI 保护 I²C 和 SMBus 解决方案电压电平转换

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