STMicroelectronics

适用于下一代设计的 MasterGaN 系列集成 GaN 电源解决方案

STMicroelectronics MasterGaN 系列转换器非常适合需要极低空载功率耗散的高频开关应用

STMicroelectronics 适用于下一代设计的 MasterGaN 系列集成 GaN 电源解决方案图片STMicroelectronics MasterGaN 系列提供了一种先进的系统级封装 (SiP) 电源解决方案，将一个栅极驱动器与两个增强模式 GaN 晶体管集成在半桥配置中。该系列产品采用坚固的 600 V GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 构建，充分利用 GaN 技术的优势，实现了更高的转换效率、更小的尺寸和显著提高的功率密度。

MasterGaN-L 系列针对谐振拓扑进行了优化，旨在降低功耗并加快导通时间 (TON)，因而非常适合需要极低空载功率耗散的高频开关应用。

特性
  • 集成 GaN 电源
  • 嵌入式栅极驱动器
  • 优化的 TON 延迟（MasterGaN-L 系列）
  • 采用 GQFN 9 mm x 9 mm 封装的智能解决方案
  • 可扩展电源，引脚兼容
  • 用于关断功能的专用引脚
  • 精确的内部时序匹配
  • VCC 上提供 UVLO 保护
  • 联锁功能
  • 超温保护
  • 功率损耗更低，功耗更低，超越严格的能源要求
应用
  • LED 照明
  • 智能充电器和适配器
  • 工业电源
  • 服务器和电信电源

MasterGaN Series Integrated GaN Power Solutions

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发布日期： 2026-03-30