M 系列 650 V IGBT

STMicroelectronics 全新的 M 系列 650 V IGBT 为设计人员提供了一种快速、经济的方式，来提高 HVAC 电机驱动器、不间断电源、太阳能电源转换器和所有功率转换应用的效率，工作频率高达 20 kHz，采用硬开关电路拓扑结构。

M 系列 IGBT 使用 ST 的第三代沟槽式栅极场截止低损耗技术构建，采用全新的沟槽式栅极和经过特殊设计的 N-P-P 垂直结构，这些因素加在一起在导通和关断损耗之间实现理想的平衡，并显著提升了这些器件的总体性能。 具有最短 6 µs 的短路耐受时间（150°C 启动结温时）、175°C 的扩展最大工作结温以及宽安全工作区域 (SOA) 延长服务寿命，并提升了在需要高功率耗散应用中的可靠性。

而且，这些器件采用的封装中包括了针对快速恢复能力优化的新一代续流二极管，同时保持低正向压降和高柔性水平。 这提供了出色的 EMI 防护，同时降低了导通损耗。 正 V_CE(sat) 温度系数加上紧参数分布，使得器件能够安全地并联，从而获得更高的功率要求。

特性：