Stackpole Electronics, Inc.

RMAN 厚膜高功率氮化铝基底片式电阻器

Stackpole 厚膜高功率片式电阻器在保持性能的同时，可提供卓越的功率密度

Stackpole RMAN 厚膜高功率氮化铝基底片式电阻器图片基于氧化铝基底的厚膜片式电阻器在性能、稳定性、可靠性和成本方面取得了平衡，因此长期以来一直占据市场主导地位。但是，氧化铝有限的导热率限制了这类电阻器所能达到的功率水平。Stackpole RMAN 系列通过使用具有更高导热率的氮化铝基底克服了这一限制。这项进步使得厚膜电阻器能够在保持客户期望的性能和可靠性的同时，大幅提高功率容量。

RMAN 系列具有卓越的功率密度，其中 1206 封装的额定功率为 2.4 W，2512 封装的额定功率为 3.4 W。在保持热点和端子温度在安全工作范围内的同时达到这些功率水平，这是氧化铝基底的传统高功率芯片难以实现的性能。

特性
  • 基于氮化铝基底的厚膜技术
  • 高额定功率
  • 高可靠性、高稳定性
  • 容差：1% 和 5%
  • TCR：150 ppm
  • 符合 RoHs 和 REACH 标准，且无卤素

RMAN Thick-Film High-Power Aluminum Nitride Substrate Chip Resistors

图片制造商零件编号描述电阻功率 (W)可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2026-01-28