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BM60212 高低压侧驱动器
ROHM 的驱动器工作电压最高1200 V，可驱动 N 沟道功率 MOSFET 和 IGBT
ROHM 的 BM60212FV-C 是高压侧和低压侧驱动器 IC，工作电压最高 1200 V，具有自举运行，可驱动 N 沟道功率 MOSFET 和 IGBT。内置欠压锁定 (UVLO) 功能和米勒钳位功能。
特性
- 通过 AEC-Q100 鉴定
- 高侧浮动电源电压 1200 V
- 有源米勒钳位
- 欠压锁定功能
- 3.3 V 和 5.0 V 输入逻辑兼容 1 级
- 最大栅极驱动电压：24 V
- MOSFET 栅极驱动器
- IGBT 栅极驱动器
- 高侧浮动电源电压：1200 V
- 开启/关闭时间：75 ns（最大值）
- 逻辑输入最小脉冲宽度：60 ns
典型应用电路
BM60212 High- and Low-Side Driver
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | BM60212FV-CE2 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP | 3050 - 立即发货 | $41.79 | 查看详情 |
发布日期： 2019-08-12
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