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TP65B110HRU 650 V 110 mΩ 高压 GaN 双向开关
Renesas 的 TP65B110HRU 650 V 110 mΩ 高压 GaN 双向开关提供具有低电压降的内置续流二极管
TP65B110HRU 是一款基于 Renesas SuperGaN® Gen I 双向平台构建的 650 V 110 mΩ 共漏极双向开关 (BDS)。它具有最小的外形和优异的开关品质因数，能够在两个方向上导通电流并阻断电压。该器件结合了单片式双向高压耗尽型 GaN 和常关型低压硅 MOSFET，具有卓越的性能、实现标准栅极驱动兼容性的高阈值和强大的可靠性，而且易于集成，适用于高级电源应用。
特性
- ±650 V 连续峰值交流和直流额定电压，±800 V 瞬态额定电压
- 具有高阈值电压 (VTH) 的绝缘栅极
- 具有低电压降的内置续流二极管
- 零反向恢复电荷
- 低栅极电荷 (Qg) 和低输出电荷 (Qoss)
- dv/dt 抗扰度高
- di/dt 抗扰度高
- 软硬开关能力
- 瞬态过压能力
- 2 kV 防静电能力（HBM 和 CDM）
- JEDEC 认证氮化镓技术
- 符合 RoHS 规范且无卤素的封装
TP65B110HRU 650 V 110 mΩ High-Voltage GaN Bidirectional Switch
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TP65B110HRU-TR | 650V, 110 M GAN BDS IN TOLT | 0 - 立即发货 | $65.99 | 查看详情 |
Evaluation Board
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | RTDACHB0000RS-MF-1 | AC-AC HALF BRIDGE CONVERSION EVB | 0 - 立即发货 | $5,595.53 | 查看详情 |
发布日期： 2026-04-29
