SiC 肖特基势垒二极管

PANJIT 的第一代碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 专为电气工程师设计热耗散更低，而性能更高的系统而开发。快速恢复二极管 (FRD) 在关断操作时有一些反向恢复电流，当主开关打开时会产生额外的开关损耗。相比之下，肖特基势垒二极管没有反向恢复电流，因此可以在更高的开关频率下使用，但它的缺点是由于漏电较高，因而击穿电压较低

SiC 器件具有比硅器件更高的带隙能量，这意味着漏电电流非常低。SiC 器件还具有更高的电子速度，这带来了优于硅器件的开关性能。

PANJIT 的 SiC SBD 第一代器件经过优化，正向电压 (V_F) 具有低温度依赖性，以便在较高温度操作中抑制传导损耗。

PANJIT 的 SiC SBD 第一代器件通过在金属接触区域添加 P+层，具有结势垒肖特基 (JBS) 结构。因此，浪涌电流容量可以显著提高，这有助于确保冷启动系统运行的系统级可靠性。

PANJIT 的 SiC SBD 第一代系列具有 650 V 和 1,200 V 的击穿电压、4 A 至 20 A 的额定电流以及各种分立封装，例如 TO-220AC、TO-263 和 TO-252AA。