功率 CSP MOSFET
Panasonic 的高级 110 nm 细沟槽单元硅技术
全球领先的半导体产品制造商 Panasonic 宣布推出 FJ3P02100L 和 FK3P02110L 系列 Power CSP MOSFET。 功率 CSP MOSFET 系列采用 Power Mount CSP 封装 (PMCP),这种封装融合了独特的焊盘设计和漏极夹技术。 因此,相比传统解决方案,热耗散性能提升了 5%,尺寸减小了 80%。 Panasonic 在单元技术和晶圆薄化制造领域的优势推动硅技术发展,相比同尺寸的传统芯片,其 110 nm 细沟槽式单元的 RDS(on) 降低了 47%。 通过这项技术,这种 MOSFET 系列实现了更高的能效,同时还降低了功耗。
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Power CSP MOSFETs
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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FK3P02110L | MOSFET N CH 24V 3A PMCP | 24 V | 3A(Ta) | 5508 - 立即发货 | $4.63 | 查看详情 |