onsemi 的宽带隙

高效智能电源解决方案

onsemi 采用在恶劣环境条件下能提供卓越稳健性，并获得过专利的端接结构，帮助客户打造完整的 WBG 生态系统。多种电源元件允许客户为每个设计选择尺寸、成本和效率限制都最为合适的电源拓扑。新的 1200V SiC 二极管系列最大限度地降低了传导和开关损耗，而 1200V M3S MOSFET 在硬开关应用中可将功率损耗降低 20%。我们的全 EliteSiC 和混合 EliteSiC 模块选型经过优化，采用的封装方便安装，适应行业标准的引脚布局，从而实现了卓越的性能。从内部制造到用于仿真的物理器件模型，onsemi 能确保所有碳化硅 (SiC) 器件（包括分立器件和模块）的可靠性。

碳化硅 (SiC) 技术优势

  • 与硅器件相比，EliteSiC 器件的介电击穿场强高 10 倍，电子饱和速度高 2 倍，能带隙高 3 倍，导热率高 3 倍。

 

高可靠性

  • onsemi EliteSiC 器件具有获得专利的端接结构，可在恶劣的环境条件下提供卓越的稳健性
  • H3TRB 测试（高温/湿度/偏压），85C/85% RH/85% V (960V)

稳健性

  • EliteSiC 二极管的稳健性－浪涌和雪崩

性能稳健

  • onsemi 肖特基势垒 EliteSiC 二极管始终保持一流的泄漏特性
  • H3TRB 测试（高温/湿度/偏压），85C/85% RH/85% V (960V)

 

宽带隙技术

宽带隙技术

 

650 V EliteSiC MOSFET

onsemi 650V EliteSiC MOSFET

与硅器件相比，碳化硅 (SiC) MOSFET 采用的全新技术实现了更出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸也确保了低电容和低栅极电荷。因此具有了许多系统优势，包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

特性

  • 低 RDSon
  • 高结温
  • 100% 通过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 规范
  • 高速开关和低电容
  • 额定电压 650V
  • 提供符合 AEC−Q101 标准的版本

应用

  • DC-DC 转换器
  • 升压逆变器
  • 汽车 DC/DC
  • 汽车 PFC

终端产品

  • UPS
  • 太阳能
  • 电源
  • 车载充电器
  • 用于 EV/PHEV 的汽车 DC/DC 转换器

650 V EliteSiC MOSFET

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NTBG015N065SC1 EliteSiC MOSFET，N 沟道，650V 查看详情
NTBG045N065SC1 EliteSiC MOSFET，N 沟道，650V 查看详情
NTH4L015N065SC1 EliteSiC MOSFET，N 沟道，650V 查看详情
NTH4L045N065SC1 EliteSiC MOSFET，N 沟道，650V 查看详情
NTH4L015N065SC1 EliteSiC MOSFET，N 沟道，650V 查看详情

900 V EliteSiC MOSFET

onsemi 900V EliteSiC MOSFET

与硅相比，碳化硅 (SiC) MOSFET 所使用的技术实现了出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸也确保了低电容和低栅极电荷。因此具有许多系统优势，包括高效率、更快的工作频率、更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

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特性

  • 900 V 额定电压
  • 低导通电阻
  • 紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷
  • 高速开关和低电容
  • 100% 通过 UIL 测试
  • 符合 AEC-Q101 汽车标准要求

应用

  • PFC
  • OBC
  • 升压逆变器
  • 电动汽车充电
  • 用于 EV/PHEV 的汽车 DC/DC 转换器
  • 汽车车载充电器
  • 汽车辅助电机驱动器
  • 网络电源
  • 服务器电源

900 V EliteSiC MOSFET

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NTBG020N090SC1 EliteSiC MOSFET，N 沟道，900V，9.8A/112A 查看详情
NTHL020N090SC1 EliteSiC MOSFET，N 沟道，900V，118A 查看详情
NTHL060N090SC1 EliteSiC MOSFET，N 沟道，900V，46A 查看详情
NVBG020N090SC1 EliteSiC MOSFET，N 沟道，900V，9.8A/112A 查看详情
NVHL020N090SC1 EliteSiC MOSFET，N 沟道，900V，118A 查看详情

M3S 1200 V EliteSiC MOSFET

onsemi 1200V EliteSiC MOSFET

新系列 1200 V M3S 平面 SiC MOSFET 系列针对快速开关应用进行了优化。平面技术能在负栅极电压驱动、栅极上的关断尖峰电压下可靠地工作。该系列在使用 18 V 栅极驱动时具有最佳的性能，在 15 V 栅极驱动时也能很好地工作。

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特性

  • 用于低共源电感的 TO247-4LD 封装
  • 15V 至 18V 栅极驱动
  • 新 M3S 技术：22 mΩ RDS (ON)，具有低 EON 和 EOFF 损耗
  • 100% 通过雪崩测试

优势

  • 减少 EON 损失
  • 18 V 时获得最佳性能； 15 V 时与 IGBT 驱动电路兼容
  • 提高功率密度
  • 提高了对意外输入电压尖峰或瞬时振荡的稳健性

应用

  • AC/DC 转换
  • DC/AC 转换
  • DC/DC 转换

终端产品

  • UPS
  • 电动汽车充电器
  • 太阳能逆变器
  • 储能系统

1200 V EliteSiC MOSFET

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NTBG020N120SC1 EliteSiCFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 查看详情
NTHL020N120SC1 EliteSiCFET N-CH 1200V 103A TO247-3 查看详情
NVHL020N120SC1 EliteSiCFET N-CH 1200V 103A TO247-3 查看详情
NTHL080N120SC1 EliteSiCFET N-CH 1200V 44A TO247-3 查看详情
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 查看详情
NVHL080N120SC1 EliteSiCFET N-CH 1200V 44A TO247-3 查看详情

650 V EliteSiC 二极管

650V EliteSiC 二极管

与硅器件相比，onsemi 的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用的技术使其具有了更出色的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、不受温度影响的开关特性和出色的热性能，使得碳化硅成为了下一代功率半导体材料。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI、更低的系统尺寸和成本。

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特性

  • 易于并联
  • 高浪涌电流电容
  • 最高结温：+175°C
  • 没有反向恢复/没有正向恢复
  • 开关频率更高
  • 低正向电压 (VF)
  • 正温度系数
  • 符合 AEC-Q101 标准，支持 PPAP

优势

  • 汽车 HEV-EV DC/DC 转换器
  • 汽车 HEV-EV 车载充电器
  • 工业电源
  • PFC
  • 太阳能
  • UPS
  • 焊接

650 V EliteSiC 二极管

制造商零件编号 说明 查看详情
FFSB0665B EliteSiC，650V，6A SBD GEN1.5 查看详情
FFSB0865B EliteSiC，650V，8A SBD GEN1.5 查看详情
FFSP08120A EliteSiC 肖特基二极管，1.2KV，8A 查看详情
FFSP10120A EliteSiC 肖特基二极管，1.2KV，10A 查看详情
FFSP15120A EliteSiC 肖特基二极管，1.2KV，15A 查看详情
FFSH20120A EliteSiC 肖特基二极管，1.2KV，30A 查看详情
FFSP3065A EliteSiC 肖特基二极管，650V，30A 查看详情
FFSM0665A EliteSiC，650V，6A SBD 查看详情
FFSD1065A EliteSiC，650V，10A SBD 查看详情
FFSB1065B-F085 EliteSiC，650V，10A SBD GEN1.5 查看详情
FFSB2065B-F085 EliteSiC 二极管，650V 查看详情
FFSM1265A EliteSiC，650V，12A SIC SBD 查看详情
FFSD08120A EliteSiC，1200V，8A SIC SBD 查看详情
FFSD10120A EliteSiC 肖特基二极管，1.2KV 查看详情
FFSD1065B-F085 EliteSiC，650V，10A SBD GEN1.5 查看详情
FFSB3065B-F085 EliteSiC，650V，30A SBD GEN1.5 查看详情
FFSB10120A-F085 EliteSiC，1200V，10A 汽车用 SBD 查看详情
FFSB20120A-F085 EliteSiC，1200V，20A 汽车用 SBD 查看详情
FFSP05120A EliteSiC 肖特基二极管，1.2KV 查看详情
FFSP20120A EliteSiC 肖特基二极管，1200V，20A 查看详情

1200 V EliteSiC 二极管

1200V EliteSiC 二极管

与硅器件相比，onsemi 1200 V 的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用的技术使其具有了更出色的开关性能和更高的可靠性。低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。系统优势包括高效率、更快的工作频率、更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

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特性

  • 额定电压 1200 V
  • 低导通电阻
  • 紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷
  • 高速开关和低电容
  • 100% 通过 UIL 测试
  • 符合 AEC-Q101 汽车标准要求

应用

  • PFC
  • OBC
  • 升压逆变器
  • 电动汽车充电器
  • 用于 EV/PHEV 的汽车 DC/DC 转换器
  • 汽车车载充电器
  • 汽车辅助电机驱动器
  • 太阳能逆变器
  • 网络电源
  • 服务器电源

1200 V EliteSiC 二极管

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NTBG020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 查看详情
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 查看详情
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 查看详情
NTHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 查看详情
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 查看详情
NVHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 查看详情

1700 V EliteSiC 二极管

1700V EliteSiC 二极管

与硅器件相比，onsemi 的 1700 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用的技术使其具有了更出色的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、不受温度影响的开关特性和出色的热性能，使得 EliteSiC 成为了下一代功率半导体。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI、更低的系统尺寸和成本。

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特性

  • 易于并联
  • 高浪涌电流电容
  • 最高结温：+175°C
  • 没有反向恢复/没有正向恢复
  • 开关频率更高
  • 低正向电压 (VF)
  • 正温度系数
  • 符合 AEC-Q101 标准，支持 PPAP

应用

  • 汽车 HEV-EV DC-DC 转换器
  • 汽车 HEV-EV 车载充电器
  • 工业电源
  • PFC
  • 太阳能
  • UPS
  • 焊接

1700V EliteSiC 二极管

制造商零件编号 说明 查看详情
NDSH25170A EliteSiC JBS, 1700V, 25A 查看详情

碳化硅 (SiC) 驱动器

EliteSiC 驱动器

onsemi 的 NCx51705 低压侧单通道 6 A 高速驱动器主要为驱动 EliteSiC MOSFET 晶体管而设计。为了实现尽可能低的传导损耗，驱动器能够将允许的最大栅极电压施加到 EliteSiC MOSFET 器件上。通过在导通和关断期间提供高峰值电流，还可将开关损耗降至最低。为了提高可靠性、dV/dt 抗扰度以及实现更快的关断速度，NCx51705 可以利用其板载充电泵生成用户可选的负电压轨。对于隔离型应用，NCx51705 还提供了一个外部可访问的 5 V 电源轨，用于为数字或高速光隔离器的次级侧供电。

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特性

  • 分流输出级的高峰值输出电流
  • 扩展的正电压额定值，最高可达 28 V
  • 用户可调的内置负充电泵（-3.3 V 至 -8 V）
  • 可访问的 5 V 基准电压/偏置电压轨
  • 可调欠压锁定
  • 快速去饱和功能
  • QFN24 封装 4 mm x 4 mm
  • 允许独立的开/关调整
  • 导通期间高效 EliteSiC MOSFET 运行
  • 快速关断和强大的 dV/dt 抗扰度
  • 降低隔离式栅极驱动应用中偏置电源的复杂性
  • 足够的 VGS 振幅以匹配 EliteSiC 最佳性能
  • 设计的自我保护
  • 小型和低寄生电感封装

应用

  • 高性能逆变器
  • 大功率电机驱动器
  • 推拉输出电路 PFC
  • 工业和电机驱动
  • UPS 和太阳能逆变器
  • 大功率直流充电器

碳化硅 (SiC) 驱动器

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NCP51705MNTXG IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN 查看详情
NCV51705MNTWG IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN 查看详情

隔离式大电流栅极驱动器

隔离式大电流栅极驱动器

onsemi 的栅极驱动器产品组合包括 GaN、IGBT、FET、MOSFET、H 桥 MOSFET 和 EliteSiC MOSFET 反相和非反相驱动器，非常适合开关应用。

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隔离式大电流栅极驱动器

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NCD57000DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC 查看详情
NCD57000DWR2G IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC 查看详情
NCD57000DWR2G IC IGBT GATE DRIVER 查看详情
NCD57000DWR2G IC IGBT GATE DRIVER 查看详情

NCP51820 用于 GaN 电源开关的高性能 150 V 半桥栅极驱动器

QFN15-485FN

NCP51810 和 NCP51820 高速栅极驱动器旨在满足离线半桥电源拓扑中驱动增强模式 (e-mode) 和栅极注入晶体管 (GIT) (NCP51820) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高侧驱动提供短且匹配的传播延迟，以及 −3.5 V 至 +150 V（典型值）共模电压范围；NCP51820 为高侧驱动提供短且匹配的传播延迟，以及 −3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了充分保护 GaN 功率晶体管的栅极免受过大的电压应力，两个驱动级均采用专用的稳压器来精确保持栅极－源极驱动信号的幅值。NCP51810 和 NCP51820 均提供重要的保护功能，例如独立的欠压锁定 (UVLO) 和 IC 热关断。

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应用说明

特性

  • 150 V，高侧和低侧栅极驱动器
  • 最大 50 ns 的快速传播延迟
  • 最大 50 ns 的快速传播延迟
  • 所有 SW 和 PGND 参考电路的 200 V/ns dv/dt 额定值
  • 源极和漏极输出引脚独立
  • 带有独立 UVLO 的稳压 5.2 V 栅极驱动器，用于高侧和低侧输出级
  • QFN 4 mm x 4 mm 15 引脚封装和优化的引脚分配

优势

  • 支持 48V 输入设计，安全余量充足
  • 适合高频工作
  • 效率更高并允许并行工作
  • 高开关频率应用的稳健设计
  • 允许控制上升和下降时间以进行 EMI 调谐
  • GaN 电源开关最佳驱动和简化的设计
  • PCB 占板面积小，减少了寄生电流，适合高频工作

应用

  • 谐振转换器
  • 半桥和全桥转换器
  • 有源箝位反激式转换器
  • 非隔离降压转换器

终端产品

  • 数据中心 48 V 至低压中间总线转换器
  • 48 V 至 PoL 转换器

GaN 驱动器

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NCP51810AMNTWG 高速半桥驱动器 FO 查看详情