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NVBYST 系列 MOSFET
与底部冷却的 10 mm x 12 mm 型号相比，onsemi NVBYST 系列单 N 沟道功率 MOSFET 的热阻提高了约 30% 至 40%
onsemi 的 NVBYST 系列汽车级 PowerTrench® T10 80 V MOSFET 采用 TCPAK1012 顶部冷却封装。这些 MOSFET 符合 AEC-Q101 认证标准，并支持 PPAP，适用于高效汽车电源设计。
特性
- 出色的低导通电阻 RDS(on)，仅 0.56 mΩ
- 与底部冷却的 10 mm x 12 mm 型号相比，热阻提高了约 30% 至 40%
- 与底部冷却的 10 mm x 12 mm 型号相比，热阻抗最多降低了 ~50%，确保了出色的脉冲处理能力
- 最大裸焊盘面积：55 mm2
- 紧凑设计：封装尺寸为 10 mm x 12 mm
- 负高度差
- 符合高于 AEC-Q101 的认证标准
- 支持 PPAP
应用
- 48 V 至 12 V DC/DC 转换器
- 电动两轮车和三轮车的电机控制器
- 电池管理系统
- 48 V 皮带起动机发电机 (BSG)
- 同步整流器 - 车载充电器
NVBYST Series MOSFETs
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NVBYST0D6N08XTXG | POWERTRENCH T10 80V IN TCPAK1012 | 0 - 立即发货 | $71.29 | 查看详情 |
| | NVBYST0D8N08XTXG | POWERTRENCH T10 80V IN TCPAK1012 | 0 - 立即发货 | $62.77 | 查看详情 |
| | NVBYST001N08XTXG | MOSFET N-CH 80V 467A 16TCPAK | 0 - 立即发货 | $45.07 | 查看详情 |
| | NVBYST1D4N08XTXG | MOSFET N-CH 80V 396A 16TCPAK | 1500 - 立即发货 | $41.35 | 查看详情 |
发布日期： 2026-03-30
