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M3S 1200 V 碳化硅 MOSFET

onsemi 的 EliteSiC MOSFET 提高了对意外输入电压尖峰或瞬时振荡的稳健性

onsemi M3S 1200 V 碳化硅 MOSFET 图片onsemi 的 1200 V M3S 平面 EliteSiC MOSFET 系列针对快速开关应用进行了优化。平面技术能在负栅极电压驱动、栅极上的关断尖峰电压下可靠地工作。该系列在 18 V 栅极驱动时具有最佳性能，但也适用于 15 V 栅极驱动。

特性
  • 用于低共源电感的 TO247-4LD 封装
  • 15 V 至 18 V 栅极驱动
  • M3S 技术：22 mΩ RDS(ON)，低 EON 和 EOFF 损耗
  • 100% 通过雪崩测试
  • 更小的 EON 损耗
  • 18 V 时获得最佳性能； 15 V 与 IGBT 驱动电路兼容
  • 更高的功率密度
  • 提高了对意外输入电压尖峰或瞬时振荡的稳健性
应用
  • AC/DC 转换
  • DC/AC 转换
  • DC/DC 转换
  • UPS
  • 电动汽车充电器
  • 太阳能逆变器
  • 储能系统
发布日期： 2021-10-25

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