前瞻性思维推动能源基础设施发展 - onsemi

onsemi 在生产可靠、高效和优质下一代功率半导体方面具有数十年创新技术经验，可缩短开发时间，提供高功率密度，节省功率损耗预算。大家都在创造更加美好的世界，我们也愿付出努力，助贵方及制造团队一臂之力。

电动汽车充电站
储能/UPS
太阳能逆变器

EliteSiC MOSFET

650 V EliteSiC MOSFET

碳化硅 (SiC) MOSFET 采用的全新技术实现了比硅器件更出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸也确保了低电容和低栅极电荷。因此具有了许多系统优势，包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

特性

低 RDSon
高结温
100% 通过 UIL 测试
符合 RoHS 规范
高速开关和低电容
650 V 额定值
提供符合 AEC−Q101 标准的版本

应用

DC-DC 转换器
升压逆变器
汽车 DC/DC
汽车 PFC

终端产品

UPS
太阳能
电源
车载充电器
用于 EV/PHEV 的汽车 DC/DC 转换器

650 V EliteSiC MOSFET

制造商零件编号	说明	查看详情
NTBG015N065SC1	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL	查看详情
NTBG045N065SC1	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL	查看详情
NTH4L015N065SC1	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL	查看详情
NTH4L045N065SC1	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL	查看详情
NTH4L015N065SC1	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL	查看详情

900 V EliteSiC MOSFET

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特性

900 V 额定电压
低导通电阻
紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷
高速开关和低电容
100% 通过 UIL 测试
符合 AEC-Q101 汽车标准要求

应用

PFC
OBC
升压逆变器
电动汽车充电
用于 EV/PHEV 的汽车 DC/DC 转换器
车载充电器
汽车辅助电机驱动器
网络电源
服务器电源

900 V EliteSiC MOSFET

制造商零件编号	说明	查看详情
NTBG020N090SC1	SICFET N-CH 900 V 9.8A/112A D2PAK	查看详情
NTHL020N090SC1	SICFET N-CH 900 V 118A TO247-3	查看详情
NTHL060N090SC1	SICFET N-CH 900V 46A TO247-3	查看详情
NVBG020N090SC1	SICFET N-CH 900 V 9.8A/112A D2PAK	查看详情
NVHL020N090SC1	SICFET N-CH 900 V 118A TO247-3	查看详情

1200 V EliteSiC MOSFET

1200 V M3S 平面 EliteSiC MOSFET 新系列针对快速开关应用优化。平面技术能在负栅极电压驱动、栅极关断尖峰电压下可靠工作。该系列在使用 18 V 栅极驱动时具有最佳性能，但在 15 V 栅极驱动时也能很好工作。

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特性

提供 TO-247-3LD、4LD 和 D2PAK7LD 封装选项
15V 至 18V 栅极驱动
新 M3S 技术：22 mΩ RDS (ON)，具有低 EON 和 EOFF 损耗
100% 通过雪崩测试

优点

减少 EON 损失
18 V 时性能最佳；15 V 时与 IGBT 驱动电路兼容
提高功率密度
提高了面对意外输入电压尖峰或瞬时振荡时的稳健性

应用

AC/DC 转换
DC/AC 转换
DC/DC 转换

终端产品

UPS
电动汽车充电器
太阳能逆变器
储能系统

1200 V EliteSiC MOSFET

制造商零件编号	说明	查看详情
NTBG020N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 8.6A/98A D2PAK	查看详情
NTHL020N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 103A TO247-3	查看详情
NVHL020N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 103A TO247-3	查看详情
NTHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 44A TO247-3	查看详情
NVBG020N120SC1	MOSFET N-CH 1200 V 8.6A/98A D2PAK	查看详情
NVHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 44A TO247-3	查看详情

EliteSiC 二极管

650 V EliteSiC 二极管

onsemi 的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用的技术使其具有比硅器件更出色的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、不受温度影响的开关特性和出色的热性能，使得碳化硅成为了下一代功率半导体材料。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI、更低的系统尺寸和成本。

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特性

易于并联
高浪涌电流电容
最高结温：+175°C
无反向恢复/无正向恢复
开关频率更高
低正向电压 (VF)
正温度系数
符合 AEC-Q101 标准，支持 PPAP

优点

汽车 HEV-EV DC/DC 转换器
汽车 HEV-EV 车载充电器
工业电源
PFC
太阳能
UPS
焊接

650 V EliteSiC 二极管

制造商零件编号	说明	查看详情
FFSB0665B	650V 6A EliteSiC SBD GEN1.5	查看详情
FFSB0865B	650 V 8A EliteSiC SBD GEN1.5	查看详情
FFSP08120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2	查看详情
FFSP10120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2	查看详情
FFSP15120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2	查看详情
FFSH20120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2	查看详情
FFSP3065A	DIODE SCHOTTKY 650 V 30A TO220-2	查看详情
FFSM0665A	650V 6A EliteSiC SBD	查看详情
FFSD1065A	650V 10A EliteSiC SBD	查看详情
FFSB1065B-F085	650V 10A EliteSiC SBD GEN1.5	查看详情
FFSB2065B-F085	EliteSiC 二极管，650V	查看详情
FFSM1265A	650V 12A EliteSiC SBD	查看详情
FFSD08120A	1200 V 8A EliteSiC SBD	查看详情
FFSD10120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO252	查看详情
FFSD1065B-F085	650V 10A EliteSiC SBD GEN1.5	查看详情
FFSB3065B-F085	650V 30A EliteSiC SBD GEN1.5	查看详情
FFSB10120A-F085	1200 V 10A 汽车 EliteSiC SBD	查看详情
FFSB20120A-F085	1200 V 20A 汽车 EliteSiC SBD	查看详情
FFSP05120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO220-2	查看详情
FFSP20120A	DIODE SCHOT 1200V 20A TO220-2L	查看详情

1200 V EliteSiC 二极管

onsemi 的 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用的技术可提供比硅器件更出色的开关性能和更高的可靠性。低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。系统优势包括高效率、更快的工作频率、更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

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特性

额定电压 1200 V
低导通电阻
紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷
高速开关和低电容
100% 通过 UIL 测试
符合 AEC-Q101 汽车标准要求

应用

PFC
OBC
升压逆变器
电动汽车充电器
用于 EV/PHEV 的汽车 DC/DC 转换器
车载充电器
汽车辅助电机驱动器
太阳能逆变器
网络电源
服务器电源

1200 V EliteSiC 二极管

制造商零件编号	说明	查看详情
NTBG020N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 8.6A/98A D2PAK	查看详情
NTHL020N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 103A TO247-3	查看详情
NVHL020N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 103A TO247-3	查看详情
NTHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 44A TO247-3	查看详情
NVBG020N120SC1	MOSFET N-CH 1200 V 8.6A/98A D2PAK	查看详情
NVHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 44A TO247-3	查看详情

1700 V EliteSiC 二极管

onsemi 的 1700 V EliteSiC 肖特基二极管采用的技术使其具有比硅器件更出色的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、不受温度影响的开关特性和出色的热性能，使得 EliteSiC 成为了下一代功率半导体。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI、更低的系统尺寸和成本。

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特性

易于并联
高浪涌电流电容
最高结温：+175°C
无反向恢复/无正向恢复
开关频率更高
低正向电压 (V_F)
正温度系数
符合 AEC-Q101 标准，支持 PPAP

应用

汽车 HEV-EV DC-DC 转换器
汽车 HEV-EV 车载充电器
工业电源
PFC
太阳能
UPS
焊接

1700 V EliteSiC 二极管

制造商零件编号	说明	查看详情
NDSH25170A	EliteSiC JBS 1700V 25A TO247	查看详情

EliteSiC 驱动器

onsemi 的 NCx51705 低压侧单通道 6 A 高速驱动器主要为驱动 EliteSiC MOSFET 晶体管而设计。为了实现尽可能低的传导损耗，驱动器能够将允许的最大栅极电压施加到 EliteSiC MOSFET 器件上。通过在导通和关断期间提供高峰值电流，还可将开关损耗降至最低。为了提高可靠性、dV/dt 抗扰度以及实现更快的关断速度，NCx51705 可以利用其板载充电泵生成用户可选的负电压轨。对于隔离型应用，NCx51705 还提供了一个可外部访问的 5 V 电源轨，用于为数字或高速光隔离器的次级侧供电。

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特性

分流输出级具有大峰值输出电流
扩展的正电压额定值，最高可达 28 V
用户可调的内置负充电泵（-3.3 V 至 -8 V）
可访问的 5 V 基准电压/偏置电压轨
可调欠压锁定
快速去饱和功能
QFN24 封装 4 mm x 4 mm
允许独立的开/关调整
导通期间高效 EliteSiC MOSFET 运行
快速关断和强大的 dV/dt 抗扰度
降低隔离式栅极驱动应用中偏置电源的复杂性
充足的 VGS 振幅以匹配 EliteSiC 最佳性能
设计的自我保护
小型和低寄生电感封装

应用

高性能逆变器
大功率电机驱动器
推拉输出电路 PFC
工业和电机驱动
UPS 和太阳能逆变器
大功率直流充电器

EliteSiC 驱动器

制造商零件编号	说明	查看详情
NCP51705MNTXG	IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN	查看详情
NCV51705MNTWG	IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN	查看详情

隔离式大电流栅极驱动器

onsemi 的栅极驱动器产品组合包括 GaN、IGBT、FET、MOSFET、H 桥 MOSFET 和 EliteSiC MOSFET 反相和非反相驱动器，非常适合开关应用。

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隔离式大电流栅极驱动器

制造商零件编号	说明	查看详情
NCD57000DWR2G	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	查看详情
NCD57001DWR2G	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	查看详情
NCV57001DWR2G	IC IGBT GATE DRIVER	查看详情
NCV57000DWR2G	IC IGBT GATE DRIVER	查看详情

电源模块和 EliteSiC 混合模块

特性

优化以实现卓越性能
热阻比分立器件低
易于安装的封装，适应行业标准的引脚分配

零件编号	说明	查看详情
NXH006P120MNF2PTG	EliteSiC 模块，半桥 2-PACK 1200 V，6 mΩ EliteSiC MOSFET，F2 封装	查看详情

IGBT

onsemi 的 IGBT 通过平衡 VCE(sat)、Eoff 损耗以及可控关断 Vce 过冲来提供最佳性能。它们还通过正温度系数、低饱和电压 (VCE(sat))、非常低的开关和传导损耗，以及快速开关来提供最大的可靠性和性能。它们非常适合高性能电源转换应用，并且经过精心设计，符合汽车和工业应用的要求。

零件编号	说明	查看详情
FGHL75T65MQD	IGBT - 650 V 75 A FS4 中等开关速度 IGBT	查看详情
FGY75T95SQDT	IGBT - 950 V 75 A 场截止沟槽式 IGBT	查看详情
FGY60T120SQDN	IGBT, 超场截止 -1200V 60A	查看详情

电流隔离栅极驱动器

onsemi 的栅极驱动器产品组合包括 GaN、IGBT、FET、MOSFET、H 桥 MOSFET 和 EliteSiC MOSFET 反相和非反相驱动器，非常适合开关应用。

零件编号	说明	查看详情
NCD57000DWR2G	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	查看详情
NCD57001DWR2G	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	查看详情
NCV57001DWR2G	IC IGBT GATE DRIVER	查看详情
NCV57000DWR2G	IC IGBT GATE DRIVER	查看详情

电流检测放大器

电流检测放大器通过监测电流消耗提供关键信息来协助系统的安全和诊断功能。它们集成了外部电阻器，以实现更高的精度、更小的基底面，以支持独立的运算放大器。

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零件编号	说明	查看详情
NCS2002SN1T1G	IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 6TSOP	查看详情
NCS2002SN2T1G	IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 6TSOP	查看详情
NCS2004SQ3T2G	IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC88A	查看详情
NCS211RMUTAG	IC CURR SENSE 1 CIRCUIT 10UQFN	查看详情

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零件编号	说明	查看详情
STR-CURRENT-SENSE-GEVB	电流检测放大器评估	查看详情
SECO-1KW-MDK-GEVK	1KW 600V INDUSTRIAL MOTOR DEVELOP	查看详情
NCS2200AGEVB	BOARD EVAL NCS2200A COMP UDFN6	查看详情
NCS2220AGEVB	BOARD EVAL FOR NCS2220A UDFN6	查看详情

运算放大器：电压和电流检测

CMOS 放大器提供了轨到轨操作，从而提供了更大的动态范围。不同的系统要求，以及从 270 kHz 到 10 MHz 的频率范围为系统设计人员提供了放大器选择的灵活性。它们还提供多种节省空间的封装，满足了现代系统设计的功率和空间限制。

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零件编号	说明	查看详情
NCS20166SN2T1G	IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC74A	查看详情
NCV20062DR2G	IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC	查看详情
NCS2333MUTBG	IC OPAMP ZERO-DRIFT 2 CIRC 8UDFN	查看详情

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稳压器 (LDO)

线性稳压器 (LDO) 为低功耗、注重空间和低噪声的设计要求提供了最佳解决方案。设计简单，只需很少的外部元件，因此很容易集成到最终产品中。这一广泛的产品组合具有高 PSRR、低噪声、低静态电流 (Iq)、低压降和宽输入电压范围。作为市场领导者，我们具有稳健的设计能力、高质量的制造能力，可为行业提供最佳性能的产品。封装选项包括业界最小尺寸到更大的功率封装，为汽车、工业和消费类应用提供理想的解决方案。

零件编号	说明	查看详情
NCP164	300mA LDO 稳压器、超低噪声、高 PSRR 和电源良好	查看详情
NCP715	LDO 稳压器、50 mA、超低 Iq	查看详情
NCP730	LDO 稳压器、150 mA、38 V、1 uA IQ、带 PG	查看详情

AC-DC、DC-DC 稳压器/转换器

onsemi 拥有完整的离线 AC-DC 和 DC-DC 控制器/稳压器产品组合，以及可实现高有源模式效率、低待机模式消耗和功率因数校正的功率因数和次级侧控制器。

特性

离线开关控制器；包括固定频率反激和正激 PWM 控制器，以及电流模式和电压模式控制器。
离线、开关稳压器，包括电流模式、电压模式和门控振荡器器件。
启用功率因数校正的可变 CRM、CCM 和 DCM 功率因数控制器。
次级侧同步整流控制器。
用于 DC-DC 电源转换电路的电流模式/电压模式 DC-DC 控制器。

零件编号	说明	查看详情
NCP10670	IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 8SOIC	查看详情
FSL336	IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 7DIP	查看详情
FSL337	IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 7DIP	查看详情
FSL518A/H	IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP	查看详情
FSL538A/H	IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP	查看详情

EliteSiC MOSFET