G3VM MOSFET 继电器

Omron 的 G3VM MOSFET 继电器系列包括 160 多个处理各种电压和电流的器件。 它们非常适用于自动化测试设备、医疗设备、仪器仪表、安全设备、自动抄表、汽车诊断设备和通信。 提供采用 PCB、SMT、DIP、SOP、SSOP、USOP、VSON 和 SVSON 封装的单极点配置。 精选型号在单个封装中提供 2 个独立可控输出。 其他型号包括限流、高介电耐压性、常开和常闭触头、高电压和电流负载处理以及高速开关。

多种封装： DIP、SOP、SSOP、USOP、VSON 以及行业中最小的封装 S-VSON： 2 x 1.45 x 1.65 mm 单触头和双触头型号，可采用导通电阻低至 5 mΩ （典型值）的常开和常闭触头。 关断状态电容低至 0.3 pF（典型值）。 触发 LED 正向电流低至 0.2 mA，开关时间低至 0.2 ms。 还提供包含电流限值功能且可连续运行 100,000 小时型号。 介电强度高达 5,000 Vac/1 秒。 小封装型号的开关电流高达 10A*。

*连接 C 的情况下，连续负载电流

G3VM S-VSON 实现世界最小的封装

越来越小
DIP(SMD&THD) 双列直插式封装
DIP(SMD&THD)
双列直插式封装		 SOP(SMD) 小型封装
SOP(SMD)
小型封装		 SSOP(SMD) 紧缩型小封装
SSOP(SMD)
紧缩型小
封装		 USOP(SMD) 超小型封装
USOP(SMD)
超小型
封装		 VSON(SMD) 较小型封装，无引脚
VSON(SMD)
较小型
封装，无引脚		 S-VSON(SMD) 极小型封装，无引脚
S-VSON(SMD)
极小型
封装，无引脚
VSON （现有）
由 2 层芯片叠层结构组成的小型扁平轮廓 (LED & PDA)		 S-VSON*（全新）
由 3 层芯片叠层结构
组成的更小的安装面积 (LED & PDA & MOSFET)
安装面积 3.56mm2 安装面积 2.9mm2
VSON 和 S-VSON 图示

*面积小但介电强度高。 500V/min（输入与输出之间）

超小尺寸和重量

除了 SSOP 和 USOP 以外，我们还推出了超紧凑型 VSON 和 S-VSON 封装来缩小器件尺寸。

高隔离能力

MOSFET 继电器的工作原理使其具备了良好的 I/O 隔离能力。 它将电压转换为光，并通过光信号传输；因此，输入和输出隔离开来。 标准型号在输入和输出之间提供 2,500 Vrms 的隔离。 还提供了优质的 5,000 VAC 产品。 SOP 封装系列也增加了 3,750 VAC 产品。

低驱动电流

2-15 mA 标准驱动电流可实现节能。 也可提供驱动电流低至 0.2 mA（最大值）的超灵敏型号。

静音工作

由于 MOSFET 继电器不具有机械触头，可通过使用 MOSFET 继电器代替机电式继电器来消除应用中的开关噪声。

工作寿命长

MOSFET 继电器使用光信号代替可移动触头，避免了触头磨损导致的寿命减少，从而显著延长工作寿命。

高速开关

与机械式继电器 3 至 5 ms 的开关时间相比，其开关时间缩短至 0.2 ms（SSOP、USOP、VSON）。 具有快速响应性能。

低漏电流

可承受外部浪涌电流，而无需添加吸收电路。 在正常条件下，典型的漏电电流约为 1 nA 或以下。

正确控制微型模拟信号

与双向可控硅相比，MOSFET 大大地减少了死区。 与双向可控硅开关不同，微型模拟信号的输入波形没有失真，它基本上被转换成无失真输出波形。

出色的抗冲击性能

所有内部零件均采用铸造方式，并且没有可移动零件，因此具有良好的抗冲击和抗振动能力。