用于电源管理的 PSMNxRx MOSFET

Nexperia PSMN2R3-100SSE 和 PSMN1R9-80SSE 高性能 N 沟道 MOSFET 旨在为电源管理应用提供卓越的效率和可靠性。这些 MOSFET 是 Nexperia 应用特定 MOSFET (ASFET) 的一部分，适用于热插拔和软启动应用，具有增强的安全工作区 (SOA) 性能。PSMN2R3-100SSE 具有 100V 最大漏源电压 (V_DS) 和 2.3 mΩ 超低 R_DS(ON)，而 PSMN1R9-80SSE 则具有 80 V V_DS 和 1.9 mΩ R_DS(ON)。这两款器件均采用紧凑且高可靠性的 LFPAK88 (SOT1235) 封装，可确保出色的热性能和稳健性。这些 MOSFET 非常适合基于 48 V 背板或电源轨的电信和计算系统中的热插拔、负载开关、软启动和电子保险丝等应用。PSMN2R3-100SSE 和 PSMN1R9-80SSE 具有低传导损耗、高电流处理能力和强大的线性模式操作，是严苛的电源管理设计的完美选择。