GaN FET - Nexperia

            氮化镓场效应晶体管
  
                    Nexperia 的氮化镓场效应晶体管可提高性能、效率和可靠性

Nexperia 的氮化镓场效应晶体管可实现更小、更快、更低温、更轻的系统，并降低总体系统成本。高效使用能源是关键的工业挑战，也是创新的驱动力。社会压力和立法要求提高电源转换和控制的效率。对于某些应用，电源转换效率和功率密度对于市场普及至关重要。主要例子包括汽车电气化、高压通信和工业基础设施领域的趋势。

特性

阈值电压为 4 V，易于驱动
出色的体二极管（低 V_F）以减少反向传导模式下的损耗
超低 Q_RR 快速切换

800 V 瞬态过压能力
坚固的栅氧化层（±20 V 处理能力）

应用

服务器和电信电源
电池存储和 UPS
工业自动化

板载充电器 (OBC)
DC/DC 电源转换
牵引逆变器

GaN FETs

	图片	制造商零件编号	描述	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	可供货数量	价格	查看详情
		GAN063-650WSAQ	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3	650 V	34.5A（Tc）	10V	570 - 立即发货	$167.55	查看详情
		GAN041-650WSBQ	GAN041-650WSB/SOT429/TO-247	650 V	47.2A（Tc）	10V	269 - 立即发货	$148.01	查看详情