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TVS 二极管使用我们广泛的瞬态电压抑制器保护您的设计 |
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Littelfuse® 瞬态电压抑制器Littelfuse TVS 二极管用于保护半导体元件免受高压瞬态的影响。 该系列 p-n 结的横截面积大于普通二极管，能够将大电流接地且无持续性损坏。 Littelfuse 提供额定峰值功率为 200W 至 15kW、反向断态电压为 5V 至 495V 的 TVS 二极管。
TVS 二极管是什么，它们的不同之处是什么？ TVS 二极管定义。TVS 二极管是用于保护敏感型电子设备免受高压瞬态损坏的电子元件。 与大多数其它类型的电路保护器件相比，TVS 二极管能够更快地响应过压事件，并以各种表面贴装和通孔电路板安装方式提供。 TVS 二极管的 p-n 结横截面积大于普通二极管，能够将大电流接地，而不会造成损坏，从而将电压限制在某个电平（称为“箝位”器件）。 TVS 二极管通常用于保护传输线路或数据线路以及电子电路避免因雷击、电感负载开关和静电放电 (ESD) 等引起电气过压。 Littelfuse TVS 二极管适合广泛的电路保护应用，但主要应用于保护电信和工业设备、计算机及消费类电子产品的 I/O 接口。
如需详细了解其它瞬态抑制技术及不同之处，请参考 Littelfuse 应用说明 AN9768。 与其它二极管技术之比较：
按工作特性比较：
按器件结构比较： 肖特基二极管由金属-半导体结组成。通过多数载流子输送电荷，具有较快的响应速度、较低的漏泄电流和较低的正向偏置电压 (VF)。 肖特基二极管广泛用于高频电路。 齐纳二极管由重掺杂 P-N 半导体结组成。 具有两种可称为齐纳状态的物理效应（齐纳效应和雪崩效应）。 当施加了低反向电压的 p-n 结因量子效应导通时，会发生齐纳效应。 当 p-n 结两端施加 5.5 V 以上反向电压使生成的电子空穴对与晶格发生碰撞时，会发生雪崩效应。 基于齐纳效应的齐纳二极管广泛用作电子电路的电压基准源。 SPA 代表 Silicon Protection Array（硅保护阵列）。 该二极管阵列将集成的 p-n 结、SCR 或其它硅保护结构封装在多引脚结构中。 SPA 可在具有多重保护机制的电信、一般电子设备和数字消费市场中用作提供 ESD、闪电和 EFT 保护的集成解决方案。 例如，可用于 HDMI、USB 和以太网端口的 ESD 保护。 查找零件
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