200 V 超结 X3 系列 HiPerFET™ 功率 MOSFET

IXYS Corporation/Littelfuse 的 200 V 超结 X3 系列 HiPerFET™ MOSFET 额定电流范围为 36 A 至 300 A，有多种国际标准封装器件可供选择。

这些 MOSFET 采用电荷补偿原理和 IXYS/Littelfuse 专有的工艺技术制造，具有目前业内最低的导通电阻（例如，SOT-227 封装为 3.5 毫欧，TO-264 封装为 4 毫欧）。除了低至 21 纳库伦的栅极电荷外，这些器件还可在各种高速功率转换应用中实现高功率密度和能效。

器件的快速二极管经过优化，具有低反向恢复电荷和时间，从而抑制瞬态并实现低噪声、高效率的电源开关。此外，这些 MOSFET 具有雪崩功能，并具有出色的 dv/dt 性能（高达 20 V/ns)。

目标应用包括同步整流、轻型电动车 (LEV) 电池充电器、电机控制（48 V 至 110 V 系统）、DC-DC 转换器、不间断电源、电动叉车、逆变器、电源固态继电器和 D 类音频放大器。