IXYS Integrated Circuits Division

SiC MOSFET 和 IGBT 驱动器 9A 峰值输出 – IX4351NE

IXYS, a Littelfuse technology 的 IX4351NE 具有保护功能，包括 UVLO 和热关机检测

IXYS 的 SiC MOSFET 和 IGBT 驱动器 9 A 峰值输出– IX4351NE 图片IXYS, a Littelfuse technology 集成电路事业部设计了一款驱动器，专门用于 SiC MOSFET 和大功率 IGBT。9 A 的独立源极和漏极输出允许量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置，以改善 dv/dt 抗扰度并加快关断速度。

特性
  • 单独的 9 A 峰值拉灌输出
  • 工作电压范围：-10 V 至 +25 V
  • 内部负电荷泵调节器，提供可选的负栅极驱动偏置
  • 使用软关机接收器驱动进行去饱和检测
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 欠压锁定 (UVLO)
  • 热关断
  • 开漏故障输出

SiC MOSFET and IGBT Driver 9 A Peak Output – IX4351NE

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MOSFET IGBT SIC DRIVER 9AIX4351NEMOSFET IGBT SIC DRIVER 9A2108 - 立即发货$17.71查看详情

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EVALUATION BOARD FOR IX4351IX4351-EVALEVALUATION BOARD FOR IX4351栅极驱动器-隔离1 - 立即发货$1,227.39查看详情
更新日期： 2020-06-03
发布日期： 2020-01-17

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