LPDDR4/4X 移动版 SDRAM

ISSI 的 LPDDR4/4X 使用双倍传输速率架构来实现高速工作

ISSI LPDDR4/4X 移动版 SDRAM 的图片ISSI 的 LPDDR4 和 LPDDR4X 是低压存储器件,具有 2 Gb、4 Gb 和 8 Gb 密度。这些器件被组织为每个器件 1/2 个通道,每通道 8 个存储体 16 位。LPDDR4 和 LPDDR4X 使用双倍传输速率架构来实现高速工作。这种双倍传输速率架构本质上是 16N 预取架构,具有在 I/O 引脚上每时钟周期传输两个数据字的接口。

LPDDR4 和 LPDDR4X 具有完全同步的工作模式,以时钟的上升沿和下降沿为基准。数据路径是内部流水线式和 16N 位预取式,用于达到很高的带宽。LPDDR4 和 LPDDR4X 均具有可编程实时猝发长度的可编程读写延迟。这些器件的低压内核和 I/O 使它们成为移动应用的理想选择。

特性
  • 低电压
    • LPDDR4: 1.8 V
    • LPDDR4X: 1.1 V
  • 低压 I/O
    • LPDDR4: 1.1 V
    • LPDDR4X: 0.6 V
  • 10 MHz 至 1600 MHz 频率范围
  • 每个 I/O 传输速率 20 Mbps 至 3200 Mbps
  • 16N 预取 DDR 架构
  • 每个通道八个内部存储体,用于并行工作
  • 多路复用,双倍传输速率,指令/地址输入
  • 移动功能可降低功耗
  • 可编程的实时猝发长度(BL = 16 或 32)
  • 可编程的读写延迟
  • 片载温度传感器可实现有效的自刷新控制
  • ZQ 校准
  • 可调驱动强度
  • 局部阵列自刷新 (PASR)
  • 10 mm x 14.5 mm BGA-200 封装
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 内存格式:DRAM
  • 内存接口:并行
  • 内存类型:易失性
  • 安装类型:表面贴装
  • 工作温度:-40°C 至 95°C (TC)
  • 封装/外壳:200-TFBGA 至 200-WFBGA
  • 技术:SDRAM 移动版 LPDDR4
  • 电源电压:1.06 V 至 1.17 V,1.7 V 至 1.95 V
应用
  • 移动计算
  • 平板电脑

LPDDR4/4X Mobile SDRAM

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发布日期: 2020-08-14