IS34ML/MW 单层单元 (SLC) NAND 闪存

ISSI 的闪存器件非常适合需要高可靠性的性能导向应用

ISSI 的 IS34ML/MW SLC NAND 闪存的图片ISSI 的 IS34ML 和 IS34MW 系列 NAND 产品为嵌入式市场补充了串行和并行 NOR 产品。ML (3.0 V) 系列和 MW (1.8 V) 系列 SLC NAND 器件的密度分别为 1 Gb、2 Gb 和 4 Gb。

SLC NAND 闪存器件非常适合需要高可靠性的性能导向应用。SLC 每个存储单元存储 1 位数据,并提供快速读写功能。这些产品适用于要求 1 位或 4 位 ECC 算法的系统,并提供 100 K 周期的耐久性和 10 年的保留期。

特性
  • 供电电压:
    • VCC: 2.7 V 至 3.6 V(IS34ML 系列)
    • VCC: 1.7 V 至 1.95 V(IS34MW 系列)
  • 灵活的 x8 或 x16 选择
  • 均匀的高性价比块
  • 块擦除时间:3 ms(典型值)
  • 自动读操作
  • 硬件数据保护
  • 100 K 编程/擦除周期
  • 数据保持时间:10 年
  • 支持每 512 字节 1 位或 4 位 ECC
  • 工业温度范围:-40°C 至 +85°C
  • 扩展温度范围:-40°C 至 105°C
  • 行业标准封装:48 引脚 TSOP 和 63 引脚 (9 mm x 11 mm BGA)
应用
  • 汽车信息娱乐
  • 仪表组
  • ADAS
  • 工业仪表
  • 工业传感器
  • M2M
  • POS 终端
  • 智能计量
  • 游戏机
  • 打印机
  • 数码相机
  • 数字电视
  • 机顶盒

IS34ML-MW SLC NAND Flash

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发布日期: 2019-03-27