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CoolGaN ™ BDS 高效 40 V GaN 电源解决方案
Infineon Technologies 的 CoolGaN BDS 高效 40 V GaN 电源解决方案专为下一代低压设计而设计
Infineon Technologies 的 CoolGaN BDS 40 V G3 系列将氮化镓 (GaN) 技术的优势带入低压电源应用领域，与传统的硅 MOSFET 相比，可显著降低开关损耗，实现超快的开关速度，并提高了整体效率。这些器件针对高频运行进行了优化，使设计人员能够在保持优异性能的同时缩小系统尺寸。
CoolGaN BDS 40 V G3 产品组合旨在支持各种电源转换拓扑结构，具有低 RDS(on)、低栅极电荷和卓越的品质因数 (FOM)。这种组合可以实现更高的功率密度和更高的热效率，使这些器件成为紧凑型高性能设计的理想选择。
为加快开发速度，Infineon 提供了评估板和参考设计，帮助工程师快速实施和验证基于 CoolGaN 的解决方案，从而缩短产品上市时间并降低设计复杂性。
特性
- 低 RDS(on) 可减少传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 高速开关能力
- 与硅 MOSFET 相比，开关损耗低
- 优异的 FOM (RDS(on) x Qg)
- 针对高频运行进行了优化
- 紧凑型封装选择适合空间受限的设计
- 性能稳健可靠
优势
- 更高的系统效率和更低的能耗
- 通过提高开关频率减小了系统尺寸
- 更低的发热量和更好的热管理
- 功率密度更高
- 减小了无源元器件的尺寸和成本
- 提升了整体系统性能
应用
- 负载点 (POL) 转换器
- 同步降压转换器
- 电池供电型系统
- 低压电机驱动（风扇、泵）
- 机器人和无人机
- 服务器和电信电力传输
- 消费类电子产品
CoolGaN™ BDS High-Efficiency 40 V GaN Power Solutions
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IGK048B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA | 4.8 毫欧 @ 5A，5V | 9.1 nC @ 5 V | 600 pF @ 20 V | 3959 - 立即发货 | $11.08 | 查看详情 |
| | IGK120B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA | 12 毫欧 @ 5A，5V | 4.4 nC @ 5 V | 290 pF @ 20 V | 3975 - 立即发货 | $5.21 | 查看详情 |
发布日期： 2026-04-13
