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低损耗超线性 RF 可变衰减器
Renesas 针对宽带通讯系统推出三种低损耗超线性 RF 可变衰减器产品
Renesas 推出三个低损耗超线性 RF 可变衰减器。 Renesas 的 6 位 F1912 和 7 位 F1956 DSA 采用 Renesas 在业界率先推出的突破性 Glitch-Free™ 技术，该技术通过减少最高位 (MSB) 转换期间的瞬态“毛刺”，来消除源自发送和/或接收通道的衰减设置过冲（毛刺），减少幅度可超 95%。 无毛刺响应性能可使用户简化其软件接口、提高可靠性、防止损坏功率放大器等昂贵的子组件，并限制数据转换器的输入超范围。
F2250 是 VVA 的第一个产品系列，其频率为 50 MHz 至 6000 MHz、2 GHz 时的插入损耗为 1.4 dB，具有 65 dBm 的高 IP3I 线性度以及 -40°C 至 105°C 的宽温度范围。 VMODE 特性能让用户选择正或者负衰减控制，并实现高线性度 (dB) 衰减特性。
F1912 的特性
- 串行和 6 位并行接口
- 31.5 dB 控制范围
- 步长 0.5 dB
- 无毛刺 TM 低瞬态过冲
- 3.0 V 至 5.25 V 电源
- 1.8 V 或 3.3 V 控制逻辑电平
- 衰减误差：<0.22 dB @ 2 GHz
- 低插入损耗 <1.6 dB @ 2 GHz
- 超线性度 IIP3 > +59.5 dBm
- IIP2 = +110 dBm（典型值）
- 稳定的随温度变化积分型非线性度
- 低电流消耗 550 μA（典型值）
- -55°C 至 105°C 工作温度
- 4 mm x 4 mm thin QFN 20 引脚封装
F1956 特性
- 串行和 7 位并行接口
- 31.75 dB 范围
- 步长 0.25 dB
- 无毛刺 TM 低瞬态过冲
- 500 ns 建立时间
- 超线性度 >64 dBm IIP3
- 低插入损耗 <1.7 dB @ 4 GHz
- 衰减误差：<0.2 dB @ 4 GHz
- 3.3V 或 5 V 电源
- 1.8 V 或 3.3 V 控制逻辑电平
- -40°C 至 105°C 工作温度
F2250 的特性
- 低插入损耗 <1.4 dB @ 2000 MHz
- 典型/最小 IIP3：65 dBm/47 dBm
- 典型/最小 IIP2：95 dBm/87 dBm
- 33.6 dB 衰减范围
- 双向 RF 端口
- +34.4 dBm 输入 P1dB 压缩
- VMODE 引脚允许选择正或负衰减控制响应
- 线性 (dB) 衰减特性
- 电源电压：3.15 V 至 5.25 V
- VCTRL 范围：0 V 至 2.8 V
- +105°C 最高工作温度
- 3 mm x 3 mm 16 引脚 TQFN 封装
Low-Loss Ultra-Linear RF Variable Attenuator
发布日期： 2015-09-01
中国