PERSYST xSPI MRAM：面向关键任务应用的高可靠性存储器

Everspin Technologies 推出 PERSYST xSPI MRAM，这是一系列高可靠性存储器，专为航空航天、国防、新空间和其他需要在极端环境和操作条件下保持可靠数据的关键任务系统而设计。它基于 Everspin 经验证的自旋转移矩磁阻随机存取存储器 (STT MRAM) 技术构建，可提供真正的非易失性、快速随机访问以及业界领先的耐久性，无需电池、刷新周期、磨损均衡，没有处于风险状态的数据。

PERSYST 的这些新增产品增强了 Everspin 标准 MRAM 器件，并增加了针对高可靠性环境量身定制的筛选和鉴定步骤。每个器件都要经过 48 小时的老化测试过程，旨在发现并消除早期故障，提高任务持续期间的可靠性，并实现可预测的长期性能。这些器件支持 -40°C 至 +125°C 的工作温度范围，能够在航空电子模块、高空平台、推进控制系统和高温工业设备中常见的恶劣热条件下运行。它们按照 AEC-Q100 1 级规范进行制造和测试。

为了支持受辐射影响的应用，Everspin 提供了辐射特征化报告，详细说明超过 1 Mrad 的电离总剂量 (TID) 性能、单粒子效应 (SEE) 测试以及相关的运行限值数据。该报告有助于系统设计人员评估要求在辐射环境中具有可预测性能的空间、航空航天、医疗和其他战略级项目的部件。

作为 PERSYST xSPI MRAM 系列可直接替换的高可靠性扩展产品，这些器件为传统 FRAM、SRAM 和 nvSRAM 系统的现代化改造提供了一条无缝途径。这些器件具有几乎无限的耐久性和即时非易失性，消除了与基于闪存和 EEPROM 的解决方案相关的复杂性，简化了固件开发，同时提高了系统的长期弹性。加固型设计、增强筛选，搭配在各种温度和辐射条件下可预测的性能，为那些需要毫不妥协的可靠性的设计人员提供了支持。