可实现业内最佳 48 V DC/DC 的 100 V eGaN FET 家族器件

EPC2053 GaN FET

EPC2053 3.1 mΩ

EPC2045 GaN FET

EPC2045 5.6 mΩ

EPC2052 GaN FET

EPC2052 10 mΩ

EPC2051 GaN FET

EPC2051 20 mΩ

更高效 • 更小巧 • 成本更低

新兴的计算应用要求在更小外形内提供更多的电源。 除了服务器市场不断扩宽的要求外，一些最具挑战性的应用是多用户游戏系统、自动驾驶车辆和智慧农业。

此外，汽车系统正从 12 V 配电系统迁移至 48 V 系统。 促成这一变化的原因是随着电子器件驱动型高耗电功能的不断增多和自主驾驶车辆的出现，使得诸如激光雷达、雷达和超声波传感器等系统对汽车配电系统提出了更多需求。

这些高级应用对电源转换器提出了更高的要求，而基于硅的电源转换却跟不上这一发展步伐。

最新一代 100 V GaN 器件提高了 48 V 电源系统的能效，减小了体积并降低了系统成本。

 

48 V = GaN：在所有具有 48 VIN 的拓扑结构中，只有采用 GaN 器件才能达到最高能效。

零件编号 配置 VDS 最大 RDS(ON) (mΩ) (VGS=5V) QG典型值 (nC) QGS典型值 (nC) QGD典型值 (nC) QOSS典型值 (nC) 最大 峰值脉冲 ID(A)（s5°C，Tpulse = 300µs） 封装 (mm) 半桥开发板 48 V 参考设计 How2AppNote
EPC2053 单 100 3.8 12 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093 EPC9138 48 V - 6 V、900 W LLC
48 V - 12 V、900 W LLC
EPC2045 单 100 7 5.9 1.9 0.8 25 130 BGA 2.5 x 1.5 EPC9078 EPC9141 48 V - 12 V、60 A 多相
EPC9205 EPC9130 48 V 至 5 - 12 V DC/DC
EPC2052 单 100 13.5 3.6 1.5 0.5 13 74 BGA 1.5 x 1.5 EPC9092    
EPC2051 单 100 25 1.7 0.6 0.3 7.3 37 BGA 0.85 x 1.3 EPC9091    
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