HyperRAM™ 2.0 自刷新 DRAM

Infineon 的 DRAM 采用小型 24 球 BGA 封装

Infineon HyperRAM™ 2.0 自刷新 DRAM 图片Infineon HyperRAM 2.0 是一种高速、低引脚数、自刷新动态 RAM (DRAM) 系列,可增强嵌入式系统的性能。HyperRAM 2.0 具有 HyperBus 和 Octal SPI 接口,它们充分利用了并行和串行接口存储器的传统功能,结合了高性能和低功耗、占用空间小以及 -40°C 至 +105°C 的扩展工作温度范围。它采用 6mm x 8mm 的 24 球 BGA 小封装,因此成为具有有限板载 RAM 的控制器(例如汽车仪表盘、工业 HMI、工业机器视觉和消费类电子显示系统)的理想扩展存储解决方案。

特性
  • 提供符合 JEDEC 扩展 SPI (xSPI) 标准的 HyperBus 和八路接口,广泛的主机控制器和存储器生态系统支持这些接口
  • 提供高达 400 MBps (3,200 Mbps) 的带宽
  • 64 Mb 和 128 Mb 密度选项
  • 工作电压范围:
    • 1.7 V 至 2.0 V
    • 2.7 V 至 3.6 V
  • 工作温度范围
    • 工业温度:-40°C 至 +85°C
    • 工业扩展温度:-40°C 至 +105°C
    • 汽车 2 级(-40°C 至 +105°C)
    • 汽车 3 级(-40°C 至 +85°C)
  • AEC-Q100 合格零件
  • 提供低有功电流
  • 提供混合睡眠模式、深度省电模式和部分存储器阵列刷新功能,以最大程度地降低功耗
应用
  • 汽车仪表组
  • 工业人机界面
  • 工业机器视觉
  • 消费类电子产品的显示系统

资源

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HyperRAM 2.0 ICs

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发布日期: 2020-04-09