基于 SAM G Cortex™-M4 的 MCU

Microchip 的 SAM G 产品族包括 SAM G51 和 SAM G53 两个系列。 这些器件完全兼容，甚至向下兼容 WLCSP 封装。 SAM G 系列全部着眼于低功耗。 SAM G 针对三个主要方面进行了优化：活动状态、SRAM 处于保持状态的深度睡眠和唤醒时间。 对于大多数电池供电型应用，正是这三个指标影响着系统功耗。 G51 和 G53 均嵌入了具有浮点单元 (FPU) 功能 cortex-M4 CPU。 这可确保最大的吞吐量；这很重要，因为它允许您最大限度降低有效功耗，并更快地进入睡眠状态，从而降低了总体功耗。 该器件采用 16 个 DMA 通道，可提供极高吞吐量。 超低功耗、快速唤醒时间和高吞吐量的组合让 SAM G 切中了如传感器集线器之类空间和功率受限型消费电子应用的要害。 它能快速唤醒，相同吞吐量所需处于活动模式的时间减少了许多，让 SRAM 更多地回到睡眠模式，从而节省了电能。 这样实现了最佳的性能和最长的电池续航时间。 SAM G 系列器件是满载工作时，包括闪存读取和写入以及全 ADC 操作，电压低至 1.62 V。 这样就能实现更灵活的电源方案，让每一节电池拥有更长的运行时间。

特性

• 低至 100 µA/MHz 活动模式
• 深度睡眠时低于 7 µA，且 SRAM 处于保持状态
• 唤醒速度快，从深度睡眠到进入活动模式执行第一条指令只需 3 µs
• 16 个 DMA 通道
• 满载工作电压低至 1.62 V（包括闪存读/写操作和全 ADC 操作）