GaN FETs 结构是什么样，工作原理是什么?

[Alan_Yang]

eGaN 晶体管与硅基横向场效应晶体管 (FETs)非常相似。关于器件和技术的讨论，请参考应用笔记《氮化镓功率晶体管的基本原理》。

以下视频也涵盖了GaN的基础知识:
如何使用氮化镓器件视频 01 - 材料的比较

如何使用氮化镓器件视频 03– 性能特性

EPC 的 GaN 功率晶体管结构

eGaN 场效应晶体管的扫描电子显微镜下的横截面图

在哪里可以找到有关应用EPC增强模GaN功率器件的一般信息？

凭借优越的性能以及合理的成本，EPC的eGaN® FET和IC将在未来几年内迭代其硅基产品。EPC已经发布了一些关于使用这些高性能功率器件的应用说明和白皮书，你可以在设计支持页面上找到。此外，EPC还授权Digi-Key销售多本教科书。 具体如下： - GAN 功率器件和应用（第一版） - GAN FET 书 ——WIPO （第二版） - GAN FET 书 ——DC/DC - GAN …

内容及图片由 EPC’s (Efficient Power Conversion)论坛提供:

What do these GaN FETs look like?

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氮化镓场效应晶体管 GaN FET 基础知识

氮化镓 (GaN) 具更高的电子迁移率使之更适合于高性能、高频率应用。氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 实现了更快的开关速度和更高的工作频率，从而改善了信号控制，实现了截止频率更高的无源滤波器设计，并降低了纹波电流。这样就可以使用更小的电感、电容和变压器，从而减少了整体尺寸和重量。 GaN FET 被称为高电子迁移率晶体管 (HEMT)。高电子迁移率是 FET 结构的一个功能（图 1）。 …