布设高频eGaN电路的技巧

一般来说,eGaN FET应该被视为其他类型的Mos管,请注意,它确实能够支持更高性能的操作,因为它的总栅极电荷(Qg)和CRSS相对较低。一些一般准则:

  • 用5V驱动栅极,保持最大栅极电压低于5.5 V。你可以使用有几种IC来简化这项任务。
  • 最小化栅源电路阻抗。建议尽量缩小栅源环路的大小,即使以延长漏极电路的路径为代价。
  • 使用低阻抗驱动器
  • 厂商专为优化eGaN FET的性能开发了驱动器IC电路。如需查看目前可用的eGaN FET优化IC,请参见eGaN驱动器和控制器页面。

使用增强模 GaN-on-Silicon 功率 FET应用说明提供了更多信息。此外,你还可以在eGaN FET和IC产品选择器指南页面上的所有EPC规格书中找到最小化阻抗的焊盘布局。《Efficient Power Conversion的GaN晶体管》第3章中对此内容进行了详细说明。如需详细了解最小化开关时间和电压超调的布局技术,请参见白皮书寄生对性能的影响和白皮书优化PCB布局。你也可以观看相关的视频:“如何使用GaN 05:设计基本信息——布局”

 

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个人的一些小tips,抛砖引玉:
1、引线弯折越少越好,最好采用全直线或45度折线或圆弧转折,以减少高频信号对外的发射和相互间的耦合‌;
2、引线层间交替越少越好,减少过孔数量,因为每个过孔会带来约0.5pF的分布电容,减少过孔数能显著提高速度和减少数据出错的可能性‌;
3、信号线尽可能短,以减少辐射强度和耦合到其他元器件的可能性‌;
4、同一层内的平行走线几乎无法避免,但在相邻的两个层,走线的方向应相互垂直‌;
5、采用多层板设计,降低干扰;
6、发热元件应均匀分布,温度敏感器件应远离发热量大的元器件‌。