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网络研讨会 - 哪种宽带隙技术最适合高能效应用？
宽带隙 (WBG) 半导体是当今热门技术中至关重要的器件，具体应用包括电动汽车、绿色能源等。您可能已经听说过氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 晶体管，但它们与传统的硅基功率晶体管相比有什么优势呢？GaN 和 SiC 有什么区别？这些就是 STMicroelectronics 的 John Keller 和 Steven Stein 在这次网络研讨会上要为您解答的问题。
此次网络研讨会将于 2023 年 6 月 7 日美国中部夏令时上午 11 点举行，到时如果您不方便参加也不用担心。请先行注册，我们会在网络研讨会结束后向您发送网络研讨会的录播视频。
注册网址：https://event.on24.com/wcc/r/4222127/7BF6B23EE5A4414174E2C0F1846A2F4F?partnerref=blog
关于此作者
Ashley Awalt 是一名应用工程技术人员，自 2011 年以来一直在 DigiKey 工作。她通过 DigiKey 奖学金计划获得了北国社区技术学院电子技术和自动化系的应用科学副学士学位。其目前的职责是协助创建独特的技术项目，记录流程并最终参与项目视频媒体报道的制作。在业余时间，Ashley 喜欢——哦哦，等等，当要照顾孩子的时候，还有空闲时间吗？
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