网络研讨会 – 基于氮化镓的设计：克服不断增加的功率挑战

随着人工智能、数据、自动化、军事、汽车和航空航天行业不断扩张，它们对功率的需求也在持续增加，因此需要宽带隙技术来实现出色的性能。凭借更高的电压转换能力、更小的外形尺寸和更大的功率效率，氮化镓 (GaN) 功率器件成为攻克这些挑战的核心解决方案，而精心筛选 GaN HEMT 器件是相关组件及驱动级的成功设计进而实现可靠运行和理想布局的关键。

Analog Devices 营销经理 Nixon Mathew 和高级产品经理 Tae Han 将共同主持本次网络研讨会，探讨在增强驱动现代大功率自动化系统的严苛应用设计中 GaN 技术所起的重要作用。同时还将提供用于优化高效、可靠设计的成熟策略和有用工具。

此次一小时的在线网络研讨会于美国中部夏令时 2025 年 3 月 27 日星期四上午 10 点举行。如果您无法参加直播会议，也务请注册，以便我们在会议结束后给您发送录播链接。

注册网址：https://event.on24.com/wcc/r/4851418/471D540EB04D0C5C0C390FAA893CCE68?partnerref=blog