TPCC8002-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage | 分立半导体产品

TPCC8002-H(TE12L,Q
DigiKey 零件编号	TPCC8002-H(TE12LQTR-ND - 卷带（TR） TPCC8002-H(TE12LQCT-ND - 剪切带（CT） TPCC8002-H(TE12LQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TPCC8002-H(TE12L,Q
描述	MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSV-H
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	22A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.3 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2500 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta），30W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘
基本产品编号	TPCC8002

TPCC8002-H(TE12L,Q