22A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

EPC2010C GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE EPC	6,133 现货	1 : ¥53.85000 剪切带（CT） 2,500 : ¥28.63407 卷带（TR）	eGaN®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	GaNFET（氮化镓）	200 V	22A（Ta）	5V	25 毫欧 @ 12A，5V	2.5V @ 3mA	5.3 nC @ 5 V	+6V，-4V	540 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	模具	模具
CSD15571Q2 MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Texas Instruments	5,675 现货	1 : ¥3.61000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.20316 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	22A（Ta）	4.5V，10V	15 毫欧 @ 5A，10V	1.9V @ 250µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	419 pF @ 10 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-SON（2x2）	6-WDFN 裸露焊盘
CSD17571Q2 MOSFET N-CH 30V 22A 6SON Texas Instruments	24,351 现货	1 : ¥3.94000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.32633 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	22A（Ta）	4.5V，10V	29 毫欧 @ 5A，4.5V	2V @ 250µA	3.1 nC @ 4.5 V	±20V	468 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-SON（2x2）	6-WDFN 裸露焊盘
CSD13202Q2 MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON Texas Instruments	10,474 现货	1 : ¥4.60000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.55318 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	12 V	22A（Ta）	2.5V，4.5V	9.3 毫欧 @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.6 nC @ 4.5 V	±8V	997 pF @ 6 V	-	2.7W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-WSON（2x2）	6-WDFN 裸露焊盘
RD3L220SNTL1 MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Rohm Semiconductor	10,335 现货	1 : ¥13.38000 剪切带（CT） 2,500 : ¥6.04313 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta）	4V，10V	26 毫欧 @ 22A，10V	3V @ 1mA	30 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 10 V	-	20W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TPH7R506NH,L1Q MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	26,187 现货	1 : ¥11.66000 剪切带（CT） 5,000 : ¥4.58101 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta）	10V	7.5 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 300µA	31 nC @ 10 V	±20V	2320 pF @ 30 V	-	1.6W（Ta），45W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5）	8-PowerVDFN
RD3L220SNFRATL MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Rohm Semiconductor	2,265 现货	1 : ¥16.58000 剪切带（CT） 2,500 : ¥7.47671 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta）	4V，10V	26 毫欧 @ 22A，10V	3V @ 1mA	30 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 10 V	-	20W（Tc）	150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-252	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NVMFS5C645NLWFAFT1G MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN onsemi	1,182 现货	1 : ¥23.48000 剪切带（CT） 1,500 : ¥11.14369 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta）	4.5V，10V	4 毫欧 @ 50A，10V	2V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	2200 pF @ 50 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装，可润湿侧翼	5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）	8-PowerTDFN，5 引线
TK22A65X,S5X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Toshiba Semiconductor and Storage	183 现货	1 : ¥30.29000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	22A（Ta）	10V	150 毫欧 @ 11A，10V	3.5V @ 1.1mA	50 nC @ 10 V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK22V65X5,LQ PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN Toshiba Semiconductor and Storage	2,500 现货	1 : ¥44.74000 剪切带（CT） 2,500 : ¥21.76626 卷带（TR）	DTMOSIV-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	22A（Ta）	10V	170 毫欧 @ 11A，10V	4.5V @ 1.1mA	50 nC @ 10 V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（Tc）	150°C	-	-	表面贴装型	4-DFN-EP（8x8）	4-VSFN 裸露焊盘
NTP22N06 MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta）	10V	60 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	60W（Tj）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
NTB22N06T4 MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta）	10V	60 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	60W（Tj）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
NTP22N06L MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta）	5V	65 毫欧 @ 11A，5V	2V @ 250µA	20 nC @ 5 V	±10V	690 pF @ 25 V	-	60W（Tj）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
TK22A65X5,S5X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Toshiba Semiconductor and Storage	28 现货	1 : ¥32.51000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	22A（Ta）	10V	160 毫欧 @ 11A，10V	4.5V @ 1.1mA	50 nC @ 10 V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
DMN1003UFDE-13 MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Diodes Incorporated	0 现货查看交期	10,000 : ¥1.50888 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	12 V	22A（Ta）	2.5V，4.5V	3 毫欧 @ 15A，4.5V	1V @ 250µA	45 nC @ 8 V	±8V	2551 pF @ 6 V	-	800mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	U-DFN2020-6（E 类）	6-PowerUDFN
DMN1003UFDE-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Diodes Incorporated	0 现货 219,000 工厂查看交期	3,000 : ¥1.73242 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	12 V	22A（Ta）	2.5V，4.5V	3 毫欧 @ 15A，4.5V	1V @ 250µA	45 nC @ 8 V	±8V	2551 pF @ 6 V	-	800mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	U-DFN2020-6（E 类）	6-PowerUDFN
GKI03026 MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN Sanken Electric USA Inc.	15 现货	1 : ¥17.65000 剪切带（CT）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	22A（Ta）	4.5V，10V	2.6 毫欧 @ 68A，10V	2.5V @ 1mA	64 nC @ 10 V	±20V	4010 pF @ 15 V	-	3.1W（Ta），77W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-DFN（5x6）	8-PowerTDFN
NTB22N06LT4 MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta）	5V	65 毫欧 @ 11A，5V	2V @ 250µA	20 nC @ 5 V	±10V	690 pF @ 25 V	-	60W（Tj）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFP22N60C3PBF MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3 Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	22A（Ta）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
FDP2570 MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	22A（Ta）	6V，10V	80 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	1911 pF @ 75 V	-	93W（Tc）	-65°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FDB2570 MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	22A（Ta）	6V，10V	80 毫欧 @ 11A，10V	4V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	1911 pF @ 75 V	-	93W（Tc）	-65°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FDZ5047N MOSFET N-CH 30V 22A 36BGA onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	22A（Ta）	4.5V，10V	2.9 毫欧 @ 22A，10V	3V @ 250µA	73 nC @ 5 V	±20V	4993 pF @ 15 V	-	2.8W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	36-BGA（5x5.5）	36-VFBGA
TPCC8001-H(TE12LQM MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	U-MOSV-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	22A（Ta）	4.5V，10V	8.3 毫欧 @ 11A，10V	2.5V @ 1mA	27 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 10 V	-	700mW（Ta），30W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-TSON Advance（3.3x3.3）	8-VDFN 裸露焊盘
TPCC8002-H(TE12L,Q MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	U-MOSV-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	22A（Ta）	4.5V，10V	8.3 毫欧 @ 11A，10V	2.5V @ 1mA	27 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 10 V	-	700mW（Ta），30W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-TSON Advance（3.3x3.3）	8-VDFN 裸露焊盘
TPCC8002-H(TE12LQM MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	U-MOSV-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	22A（Ta）	4.5V，10V	8.3 毫欧 @ 11A，10V	2.5V @ 1mA	27 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 10 V	-	700mW（Ta），30W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-TSON Advance（3.3x3.3）	8-VDFN 裸露焊盘