单 FET，MOSFET

结果 : 10
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）11A（Ta）12A（Ta）21A（Ta）22A（Ta）24A（Ta）34A（Ta）44A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 22A，10V5.3 毫欧 @ 17A，10V8.3 毫欧 @ 11A，10V9.9 毫欧 @ 10.5A，10V11 毫欧 @ 12A，10V11.4 毫欧 @ 6A，10V12.9 毫欧 @ 5.5A，10V13.3 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 1mA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V20 nC @ 10 V21 nC @ 10 V27 nC @ 10 V36 nC @ 10 V59 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1700 pF @ 10 V1900 pF @ 10 V2150 pF @ 10 V2500 pF @ 10 V3430 pF @ 10 V5700 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
700mW（Ta），30W（Tc）840mW（Ta）1W（Ta）1.6W（Ta），30W（Tc）1.6W（Ta），45W（Tc）-
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）8-SOP（5.5x6.0）8-TSON Advance（3.3x3.3）PS-8（2.9x2.4）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SMD，扁平引线8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）8-VDFN 裸露焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
12.9 毫欧 @ 5.5A，10V
2.5V @ 1mA
20 nC @ 10 V
±20V
2150 pF @ 10 V
-
840mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
PS-8（2.9x2.4）
8-SMD，扁平引线
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 10.5A，10V
2.3V @ 1mA
20 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 10 V
-
700mW（Ta），30W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-TSON Advance（3.3x3.3）
8-VDFN 裸露焊盘
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta）
4.5V，10V
8.3 毫欧 @ 11A，10V
2.5V @ 1mA
27 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 10 V
-
700mW（Ta），30W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-TSON Advance（3.3x3.3）
8-VDFN 裸露焊盘
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta）
4.5V，10V
8.3 毫欧 @ 11A，10V
2.5V @ 1mA
27 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 10 V
-
700mW（Ta），30W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-TSON Advance（3.3x3.3）
8-VDFN 裸露焊盘
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta）
4.5V，10V
8.3 毫欧 @ 11A，10V
2.5V @ 1mA
27 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 10 V
-
700mW（Ta），30W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-TSON Advance（3.3x3.3）
8-VDFN 裸露焊盘
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
-
11.4 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 1mA
21 nC @ 10 V
-
2150 pF @ 10 V
-
-
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP（5.5x6.0）
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 1mA
21 nC @ 10 V
±20V
2150 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta），30W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
34A（Ta）
4.5V，10V
5.3 毫欧 @ 17A，10V
2.3V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
3430 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta），45W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
44A（Ta）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 22A，10V
2.3V @ 1mA
59 nC @ 10 V
±20V
5700 pF @ 10 V
-
-
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
13.3 毫欧 @ 5A，10V
2.3V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 10 V
肖特基二极管（体）
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP（5.5x6.0）
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。