8-VDFN 裸露焊盘 单 FET,MOSFET

结果 : 87
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologies Canada Inc.Micro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageTransphorm
系列
-AlphaMOSSuperGaN®TrenchMOS™U-MOSIVU-MOSV-HU-MOSVIU-MOSVI-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V48 V60 V80 V100 V150 V200 V220 V650 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Ta)2.9A(Ta)5A(Tc)6.5A(Tc)7.3A(Tc)8A8.8A(Tc)11A(Ta),41A(Tc)11A(Ta),50A(Tc)11A(Tc)11.5A(Tc)12.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V4.5V,20V5V,10V6V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.2 毫欧 @ 20A,10V3.6 毫欧 @ 10A,10V3.7 毫欧 @ 10A,10V4 毫欧 @ 20A,10V5 毫欧 @ 20A,10V5.8 毫欧 @ 10A,10V6 毫欧 @ 15A,10V6 毫欧 @ 20A,10V6.2 毫欧 @ 15A,10V6.4 毫欧 @ 13A,10V6.8 毫欧 @ 12.5A,10V7 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.7V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 500µA2.15V @ 1mA2.3V @ 1mA2.3V @ 200µA2.3V @ 500µA2.4V @ 250µA2.5V @ 12.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.2 nC @ 6 V2.7 nC @ 6 V2.8 nC @ 6 V2.9 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 6 V4 nC @ 6 V4.2 nC @ 6 V6.2 nC @ 6 V6.7 nC @ 6 V8.8 nC @ 10 V10 nC @ 10 V12.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+7V, -10V+7V,-1.4V+7V,-6V±10V±12V+20V,-25V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
70 pF @ 400 V85 pF @ 400 V96 pF @ 400 V125 pF @ 400 V132 pF @ 400 V225 pF @ 400 V235 pF @ 400 V314 pF @ 15 V455 pF @ 100 V526 pF @ 15 V632 pF @ 10 V656 pF @ 30 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),22W(Tc)700mW(Ta),27W(Tc)700mW(Ta),30W(Tc)1W(Ta)1.5W(Ta)1.9W(Ta),31W(Tc)2W(Ta),25W(Tc)2.3W(Ta),31W(Tc)2.34W(Ta),21W(Tc)3.2W(Ta),38W(Tc)6W(Ta),25W(Tc)19.8W(Tj)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN(5x6)8-DFN3020(3x2)8-DFN3020B(3x2)8-DFN3333(3.3x3.3)8-HVSON(5x6)8-MLP(3x2)8-PDFN (8x8)8-PQFN(8x8)8-TSON Advance(3.3x3.3)DFN3333DFN3333-8DFN8080-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
87结果
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/ 87
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MCG30N03A-TP
MCG35P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Micro Commercial Co
10,637
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.18983
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
35A
4.5V,10V
25 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
26.6 nC @ 10 V
±20V
1257 pF @ 20 V
-
38W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG20P03-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Micro Commercial Co
12,023
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.39296
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A
4.5V,10V
20 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
28.7 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 15 V
-
21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG53N06A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Micro Commercial Co
2,266
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.70209
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
53A
4.5V,10V
8.2 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 35 V
-
45W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
GAN080-650EBEZ
GAN190-650EBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
2,234
现货
1 : ¥39.08000
剪切带(CT)
2,500 : ¥12.19338
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
11.5A(Tc)
6V
190 毫欧 @ 3.9A,6V
2.5V @ 12.2mA
2.8 nC @ 6 V
+7V,-1.4V
96 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
DFN8080-8
8-VDFN 裸露焊盘
GAN080-650EBEZ
GAN080-650EBEZ
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Nexperia USA Inc.
1,980
现货
1 : ¥72.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥27.48033
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
29A(Tc)
6V
80 毫欧 @ 8A,6V
2.5V @ 30.7mA
6.2 nC @ 6 V
+7V,-6V
225 pF @ 400 V
-
240W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
DFN8080-8
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG20N04-TP
MOSFET N-CH 40V 20A DFN3333-8
Micro Commercial Co
9,973
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.84710
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
20A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
750 pF @ 20 V
-
2.34W(Ta),21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG30N03A-TP
MOSFET N-CH 30V 30A DFN3333
Micro Commercial Co
8,303
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.39296
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
20W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG30P03-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Micro Commercial Co
3,515
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.67901
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Tc)
4.5V,20V
13 毫欧 @ 20A,20V
2.8V @ 250µA
43.8 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 15 V
-
32W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG50N04-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Micro Commercial Co
15,106
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.99221
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
102 nC @ 20 V
±20V
4645 pF @ 20 V
-
75W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG25P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Micro Commercial Co
8,599
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.56241
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A
4.5V,10V
50 毫欧 @ 20A,10V
2.7V @ 250µA
18.7 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
60W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG55P02A-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Micro Commercial Co
13,790
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.09597
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
55A
1.8V,4.5V
8.3 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
149 nC @ 10 V
±10V
6358 pF @ 10 V
-
3.2W(Ta),38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG50N03-TP
MOSFET N-CH 30V 50A DFN3333
Micro Commercial Co
4,198
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.67901
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG30N04HE3-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Micro Commercial Co
10,000
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.35001
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
990 pF @ 25 V
-
24W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG35N04HE3-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Micro Commercial Co
9,995
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.03720
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
35A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 25 V
-
40W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
TPCC8105,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Toshiba Semiconductor and Storage
3,800
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.26995
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
4.5V,10V
7.8 毫欧 @ 11.5A,10V
2V @ 500µA
76 nC @ 10 V
+20V,-25V
3240 pF @ 10 V
-
700mW(Ta),30W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.3x3.3)
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG40N10YHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Micro Commercial Co
9,933
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.63157
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
4.5V,10V
18.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
1220 pF @ 10 V
-
43W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG15P10YHE3-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Micro Commercial Co
6,447
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.65957
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
15A(Tc)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
20.1 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
50W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
TP65H300G4LSGB-TR
TP65H300G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Transphorm
2,979
现货
1 : ¥25.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.30034
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
6.5A(Tc)
6V
312 毫欧 @ 6.5A,6V
2.8V @ 500µA
8.8 nC @ 10 V
±12V
730 pF @ 400 V
-
21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(8x8)
8-VDFN 裸露焊盘
GAN080-650EBEZ
GAN140-650EBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
2,445
现货
1 : ¥54.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥19.14578
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
17A(Tc)
6V
140 毫欧 @ 5A,6V
2.5V @ 17.2mA
3.5 nC @ 6 V
+7V,-1.4V
125 pF @ 400 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
DFN8080-8
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN
PML340SN,118
MOSFET N-CH 220V 7.3A DFN3333-8
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
220 V
7.3A(Tc)
6V,10V
386 毫欧 @ 2.6A,10V
4V @ 1mA
13.2 nC @ 10 V
±20V
656 pF @ 30 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333-8
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN
PSMN017-30LL,115
MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
NXP USA Inc.
0
现货
1,400 : ¥2.49670
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15A(Tc)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 5A,10V
2.15V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
526 pF @ 15 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN3333(3.3x3.3)
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG65N03-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Micro Commercial Co
9,841
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.70551
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
65A
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
92.7 nC @ 10 V
±20V
4498 pF @ 15 V
-
75W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
MCG30N03A-TP
MCG50P03-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Micro Commercial Co
256
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.84886
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A
4.5V,10V
6.2 毫欧 @ 15A,10V
2.8V @ 250µA
111.7 nC @ 10 V
±25V
6464 pF @ 15 V
-
83W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
0
现货
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1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.56852
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
35A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
2718 pF @ 15 V
-
62.5W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
0
现货
查看交期
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.85456
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
50A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1370 pF @ 50 V
-
78W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
显示
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8-VDFN 裸露焊盘 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。