随着宽禁带技术在电力电子行业的发展，类似碳化硅MOSFET在注重效率的产品(例如光伏转换设备)中将会成为主流功率器件，本次试用将通过测量相同电流条件下MOSFET漏极-源极压降、导通/关断时间两个测试实验，展示碳化硅MOSFET(MSC035SMA070B)相比于传统的硅基MOSFET(IRFP450)的优势
1） 传统硅基MOSFET（IRFP450）漏极-源极压降测试结果为1.22V，如下图所示
2） 碳化硅MOSFET(MSC035SMA070B)漏极-源极压降为0.312V，如下图所示
测试结果表明，在流过相同电流Id时，碳化硅MOSFET(MSC035SMA070B)相比传统硅基MOSFET（IRFP450）的具有更低的漏极-源极压降，也侧面印证碳化硅MOSFET(MSC035SMA070B)相比传统硅基MOSFET有更低的导通电阻，这在光伏等产品中是至关重要的
下面通过测试MOSFET的导通时间和关断时间，首先测试传统硅基MOSFET的导通时间和关断时间
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