在大功率开关电源应用中通常用两个或者三个SIC MOS并联使用，如果PCB layout不好，同一桥壁mos开通或者关断瞬间会互相干扰，使得关断的负压产品尖峰，有可能会到Vgsth引起直通炸机，波形如下图。
负压尖峰产生的原因是dv/dt或者di/dt过大。
解决方案有如下几种:1.增大栅极电阻，降低开关速度。
2.优化驱动电路，pwm和gnd采用差分对走线。
3.gs之间加RC吸收。
4.增加米勒嵌位，建议采用带米勒嵌位的驱动芯片。
5.gs之间加tvs进行嵌位，保证mos管之间的Vgs正压或者负压不超过MOS管能承受的范围。