REF80000B1NAJT是TI公司去年发布的一款集成温控的深埋齐纳基准电压芯片，其对标的是ADI公司的LTZ1000超级电压基准。从去年开始我就关注这款芯片了，它吸引我的地方就是不需要复杂的外围电路就能拥有和LTZ1000一样的性能，可以极大的简化设计和节约成本。
当然，是否能达到手册标称的性能还需要用户在实际使用环境中实测验证，所以我一直在等一些大佬的实测数据，奈何观望了很久都一直没看到国内有人发布过相关的测试内容。
国外已经有人对该芯片进行开盖拍图分析了，从图中来看，该芯片内部非常复杂，集成了ADC、运放、电阻阵列、温度控制器等硬件。
结合其公布的专利，根据大佬的描述，该芯片非常像一颗自校准电压源。
从内部图中的细节可以看到，该芯片上还印有洛克希德·马丁公司的标志，估计是两家公司联合研发的，并且发布的这款是A1版芯片，猜测后续还会有5V、10V的A2、A3版本。
我手上这颗REF80是原价从群友处购买的原厂样片，丝印为“REF80A1”，应该是最终的量产版芯片，官方的评估板上的芯片丝印是“XREF80A1”，可能是早期生产的性能评估版本。
