这篇文章提供了有关Digi-Key所代理的绝缘栅双极晶体管（IGBT）的信息。
缩略词词汇表
| 首字母缩略词 | 定义 |
|---|---|
| FET | 场效应晶体管 |
| MOSFET | 金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| NTC | 负温度系数 |
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如开关电源、牵引电机控制和感应加热。
来源：维基百科-Insulated-gate_bipolar_transistor
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IGBT 阵列
产品属性
A. IGBT 类型
B. 配置
C. 电压 - 集射极击穿（最大值）
D. 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
E. 功率 - 最大值
F. 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
G. 电流 - 集电极截止（最大值）
H. 不同 Vce 时输入电容 (Cies)
I. 工作温度
J. 安装类型
K. 封装/外壳
L. 供应商器件封装
产品示例：
i4-Pac™-5 半桥
| 制造商产品编号 | FII40-06D | |
|---|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | FII40-06D-ND | |
| 制造商 | IXYS | |
| 详细描述 | IGBT 阵列 NPT 半桥 600 V 40 A 125 W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™ |
IGBT 模块
产品属性
A. IGBT 类型
B. 配置
C. 电压 - 集射极击穿（最大值）
D. 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
E. 功率 - 最大值
F. 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
G. 电流 - 集电极截止（最大值）
H. 不同 Vce 时输入电容 (Cies)
I. 输入
J. NTC 热敏电阻
K. 工作温度
L. 安装类型
M. 封装/外壳
N. 供应商器件封装
产品示例
底座安装模块
| 制造商产品编号 | IXYN100N65C3H1 | |
|---|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | IXYN100N65C3H1-ND | |
| 制造商 | IXYS | |
| 详细描述 | IGBT 模块 PT 单路 650 V 166 A 600 W 底座，接线柱安装 SOT-227B | |
| 规格书 | 点击此处 |
通孔NPT 型和场截止型模块
| 制造商产品编号 | APTGFQ25H120T2G | |
|---|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | 150-APTGFQ25H120T2G-ND | |
| 制造商 | Microsemi Corporation | |
| 详细描述 | IGBT 模块 NPT 型和场截止型 全桥 1200 V 40 A 227 W 通孔 SP2 | |
| 规格书 | 点击此处 |
单 IGBT
产品属性
A. IGBT 类型
B. 电压 - 集射极击穿（最大值）
C. 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
D. 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
E. 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
F. 功率 - 最大值
G. 开关能量
H. 输入类型
I. 栅极电荷
J. 25°C 时 Td（开/关）值
K. 测试条件
L. 反向恢复时间 (trr)
M. 工作温度
N. 安装类型
O. 封装/外壳
P. 供应商器件封装
产品示例：
表面安装 TO-268 封装
| 制造商产品编号 | IXYT25N250CHV | |
|---|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | IXYT25N250CHV-ND | |
| 制造商 | IXYS | |
| 详细描述 | IGBT 2500 V 95 A 937 W 表面贴装型 TO-268 | |
| 规格书 | 点击此处 |
通孔 TO-220FP 封装
| 制造商产品编号 | IKA15N60TXKSA1 | |
|---|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | IKA15N60TXKSA1-ND | |
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 详细描述 | IGBT 沟槽型场截止 600 V 14.7 A 35.7 W 通孔 PG-TO220-3-31 | |
| 规格书 | 规格书 |