Name: TK12E80W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12E80WS1X-ND
Price: 27.67 CNY
Availability: OutOfStock

TK12E80W,S1X
DigiKey 零件编号	TK12E80WS1X-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK12E80W,S1X
描述	MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
原厂标准交货期	26 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 800 V 11.5A（Ta） 165W（Tc） TO-220
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK12E80W,S1X 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	DTMOSIV
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	450 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 570µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1400 pF @ 300 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	165W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220
封装/外壳	TO-220-3
基本产品编号	TK12E80

TK12E80W,S1X