11.5A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

AO4294 MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SO Alpha & Omega Semiconductor Inc.	13,432 现货	1 : ¥9.44000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.53002 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	12 毫欧 @ 11.5A，10V	2.4V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±20V	2420 pF @ 50 V	-	3.1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
DMN4010LFG-7 MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 Diodes Incorporated	1,100 现货 48,000 工厂	1 : ¥5.42000 剪切带（CT） 2,000 : ¥1.83204 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	12 毫欧 @ 14A，10V	3V @ 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	1810 pF @ 20 V	-	930mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
TK12P50W,RQ PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA Toshiba Semiconductor and Storage	1,917 现货	1 : ¥15.27000 剪切带（CT） 2,000 : ¥6.90156 卷带（TR）	DTMOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	11.5A（Ta）	10V	340 毫欧 @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 nC @ 10 V	±30V	890 pF @ 300 V	-	100W（Tc）	150°C	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK12P60W,RVQ MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	1,949 现货	1 : ¥17.57000 剪切带（CT） 2,000 : ¥7.91804 卷带（TR）	DTMOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	11.5A（Ta）	10V	340 毫欧 @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 nC @ 10 V	±30V	890 pF @ 300 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FDM6296 MOSFET N-CH 30V 11.5A 8POWER33 onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	10.5 毫欧 @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	17 nC @ 5 V	±20V	2005 pF @ 15 V	-	2.1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-Power33（3x3）	8-PowerVDFN
TK12A80W,S4X MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	40 现货	1 : ¥23.89000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	11.5A（Ta）	10V	450 毫欧 @ 5.8A，10V	4V @ 570µA	23 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 300 V	-	45W（Tc）	150°C	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK12Q60W,S1VQ MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK Toshiba Semiconductor and Storage	61 现货	1 : ¥15.68000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	11.5A（Ta）	10V	340 毫欧 @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 nC @ 10 V	±30V	890 pF @ 300 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK
TK12A50W,S5X PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Toshiba Semiconductor and Storage	50 现货	1 : ¥16.17000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	11.5A（Ta）	10V	300 毫欧 @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 nC @ 10 V	±30V	890 pF @ 300 V	-	35W（Tc）	150°C	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK12E60W,S1VX MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220 Toshiba Semiconductor and Storage	50 现货	1 : ¥25.78000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	11.5A（Ta）	10V	300 毫欧 @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 nC @ 10 V	±30V	890 pF @ 300 V	-	110W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	TO-220	TO-220-3
TK12A60W,S4VX MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	91 现货	1 : ¥30.46000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	11.5A（Ta）	10V	300 毫欧 @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 nC @ 10 V	±30V	890 pF @ 300 V	-	35W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK12E80W,S1X MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220 Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	1 : ¥27.67000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	11.5A（Ta）	10V	450 毫欧 @ 5.8A，10V	4V @ 570µA	23 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 300 V	-	165W（Tc）	150°C	通孔	TO-220	TO-220-3
DMP3017SFG-13 MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 Diodes Incorporated	0 现货	3,000 : ¥1.22297 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	10 毫欧 @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±25V	2246 pF @ 15 V	-	940mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
DMN4010LFG-13 MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 Diodes Incorporated	0 现货 6,000 工厂查看交期	3,000 : ¥1.78646 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	12 毫欧 @ 14A，10V	3V @ 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	1810 pF @ 20 V	-	930mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
AO4294A N Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 现货查看交期	3,000 : ¥3.99316 卷带（TR）	AlphaSGT™	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	12 毫欧 @ 11.5A，10V	2.5V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±20V	2305 pF @ 50 V	-	3.1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
DMP3017SFG-7 MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 Diodes Incorporated	0 现货	1 : ¥4.10000 剪切带（CT） 2,000 : ¥1.38566 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	10 毫欧 @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±25V	2246 pF @ 15 V	-	940mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
FDR6674A MOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8 onsemi	0 现货	3,000 : ¥4.51580 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	9.5 毫欧 @ 10.5A，4.5V	2V @ 250µA	46 nC @ 4.5 V	±12V	5070 pF @ 15 V	-	1.8W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SuperSOT™-8	8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）
AO4406 MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 现货	1 : ¥4.76000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.80775 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.5A（Ta）	2.5V，10V	14 毫欧 @ 12A，10V	1.5V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±12V	2300 pF @ 15 V	-	3W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
DMP3017SFGQ-7 MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 Diodes Incorporated	0 现货	停产	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	10 毫欧 @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±25V	2246 pF @ 15 V	-	940mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
IRF7426TR MOSFET N-CH 20V 8SO Infineon Technologies	0 现货	4,000 : ¥7.16795 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	11.5A（Ta）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDS6680AS MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®, SyncFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	10 毫欧 @ 11.5A，10V	3V @ 1mA	30 nC @ 10 V	±20V	1240 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDS6680 MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC onsemi	0 现货	1 : ¥9.60000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.98160 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	10 毫欧 @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	27 nC @ 5 V	±20V	2070 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SI7452DP-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	0 现货	3,000 : ¥14.01171 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	11.5A（Ta）	10V	8.3 毫欧 @ 19.3A，10V	4.5V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.9W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7452DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	0 现货	3,000 : ¥14.01171 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	11.5A（Ta）	10V	8.3 毫欧 @ 19.3A，10V	4.5V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.9W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
NDT455N MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT223-4 onsemi	0 现货	1 : ¥15.52000 剪切带（CT） 2,500 : ¥6.99151 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.5A（Ta）	4.5V，10V	15 毫欧 @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	61 nC @ 10 V	20V	1220 pF @ 15 V	-	3W（Ta）	-65°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-223-4	TO-261-4，TO-261AA
TK12V60W,LVQ MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	1 : ¥19.46000 剪切带（CT） 2,500 : ¥8.51726 卷带（TR）	DTMOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	11.5A（Ta）	10V	300 毫欧 @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 nC @ 10 V	±30V	890 pF @ 300 V	-	104W（Tc）	150°C（TJ）	表面贴装型	4-DFN-EP（8x8）	4-VSFN 裸露焊盘