TO-220-3 单 FET,MOSFET

结果 : 3,479
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi Corporation
系列
-*AlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, UltraFET™Cool MOS™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CE
包装
剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V24 V25 V28 V30 V33 V34 V35 V40 V50 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)250mA(Tc)400mA(Tc)500mA(Tc)500mA(Tj)600mA(Tc)700mA(Tc)750mA(Tc)800mA(Tc)1A(Tc)1.2A(Ta),7A(Tc)1.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V2.5V,4.5V2.8V,10V3.5V,10V4V,10V4V,5V4.3V,10V4.5V4.5V,10V4.5V,7V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.15 毫欧 @ 100A,10V1.25 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 25A,10V1.4 毫欧 @ 100A,10V1.4 毫欧 @ 25A,10V1.47 毫欧 @ 90A,10V1.5 毫欧 @ 100A,10V1.5 毫欧 @ 195A,10V1.5 毫欧 @ 20A,10V1.6 毫欧 @ 100A,10V1.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 2mA(最小)700mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 250µA1.7V @ 250µA2V @ 1.54mA2V @ 100µA2V @ 110µA2V @ 125µA2V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.1 nC @ 10 V2.63 nC @ 10 V3 nC @ 10 V3.7 nC @ 10 V3.9 nC @ 10 V4 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.5 nC @ 10 V4.6 nC @ 5 V4.7 nC @ 10 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±8V+10V,-8V±10V±12V±15V±16V±17V±18V+20V,-12V+20V,-16V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
95 pF @ 100 V100 pF @ 25 V102 pF @ 100 V104 pF @ 25 V105 pF @ 100 V115 pF @ 100 V120 pF @ 25 V122 pF @ 100 V130 pF @ 100 V130 pF @ 25 V133 pF @ 25 V140 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
300mW(Tc)1.04W(Ta),62.5W(Tc)1.1W(Ta),25W(Tc)1.25W(Ta),74.4W(Tc)1.5W(Ta),100W(Tc)1.5W(Ta),119W(Tc)1.5W(Ta),20W(Tc)1.5W(Ta),56W(Tc)1.5W(Ta),84W(Tc)1.75W(Ta),40W(Tc)1.75W(Ta),45W(Tc)1.75W(Ta),60W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO220-3-904PG-TO220-3-U05TO-220 [K]TO-220TO-220-3TO-220-3(IXFP)TO-220ABTO-220AB-LTO-220ABATO-220AB(H)TO-220AB(IXFP)TO-220AB(TH 型)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3,479结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 3,479
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
41,330
现货
1 : ¥7.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
34,054
现货
1 : ¥7.63000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
14A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7545PBF
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Infineon Technologies
50,065
现货
1 : ¥7.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
95A(Tc)
6V,10V
5.9 毫欧 @ 57A,10V
3.7V @ 100µA
110 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
61,667
现货
1 : ¥9.60000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
18A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRLZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Infineon Technologies
8,419
现货
1 : ¥10.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
47A(Tc)
4V,10V
22 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
23,196
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
49A(Tc)
10V
17.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
142,363
现货
1 : ¥10.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Vishay Siliconix
4,953
现货
1 : ¥11.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
14A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 25 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRL540NPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Infineon Technologies
22,936
现货
1 : ¥11.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
36A(Tc)
4V,10V
44 毫欧 @ 18A,10V
2V @ 250µA
74 nC @ 5 V
±16V
1800 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Infineon Technologies
39,400
现货
1 : ¥11.33000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
31A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
5,768
现货
1 : ¥11.41000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Tc)
10V
117 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP3NK60Z
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
STMicroelectronics
5,876
现货
1 : ¥12.40000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.4A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
4.5V @ 50µA
11.8 nC @ 10 V
±30V
311 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
22,428
现货
1 : ¥13.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
110A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 62A,10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Infineon Technologies
6,769
现货
1 : ¥13.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9530PBF
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Vishay Siliconix
13,140
现货
1 : ¥14.28000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Tc)
10V
300 毫欧 @ 7.2A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF840PBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,058
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
8A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IXTP44N10T
MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB
IXYS
2,299
现货
1 : ¥15.68000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
44A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 22A,10V
4.5V @ 25µA
33 nC @ 10 V
±30V
1262 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB
IRF740PBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
2,870
现货
1 : ¥16.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
10A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF540PBF
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Vishay Siliconix
34,369
现货
1 : ¥16.99000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
28A(Tc)
10V
77 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9540PBF
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
3,651
现货
1 : ¥16.99000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Infineon Technologies
3,944
现货
1 : ¥17.57000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
43A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 22A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
CSD18532KCS
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Texas Instruments
1,684
现货
1 : ¥17.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4680 pF @ 30 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Infineon Technologies
25,707
现货
1 : ¥18.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6540 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
44,745
现货
1 : ¥18.47000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
74A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 38A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
6,112
现货
1 : ¥19.78000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 24A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 3,479

TO-220-3 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。