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市场产品
EliteSiC 二极管和 FET
onsemi 采用在恶劣环境条件下具有卓越稳定性的专利端接结构，帮助客户打造完整的 WBG 生态系统。从内部制造到用于模拟 onsemi 的物理设备模型确保所有 EliteSiC 设备的可靠性。
大功率转换解决方案
onsemi 提供完整的电源产品组合，在 MOSFET、宽带隙、IGBT 及电源模块方面拥有适用于各种电源转换应用的领先技术。onsemi 是一个增值合作伙伴，搭配出色的电源产品，提供从保护到开关的完整解决方案。onsemi 有能力支持工程师在电动车充电、AC-DC 电源及电池蓄能应用方面进行创新设计。
- 产品
- 应用
- EliteSiC 二极管和 FET
- SuperFET® III
- T8 MOSFET
- 数字隔离
- 门驱动器
特色产品
900 V 碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi EliteSiC MOSFET 提供高效率、更高的功率密度和更小的系统尺寸
1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi EliteSiC MOSFET 提供高效率、更高的功率密度和更小的系统尺寸
650 V 碳化硅二极管
onsemi EliteSiC 二极管提供卓越的开关性能和高可靠性
1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管
onsemi EliteSiC 二极管的优势包括更快的工作频率、更高的功率密度和更低的 EMI
1700 V 碳化硅 (SiC) 二极管
onsemi EliteSiC 二极管具有与温度无关的开关特性和出色的热性能
SuperFET® III
作为 MOSFET 的行业领导者，onsemi 为电源转换应用提供完整的高压产品组合。此外，垂直整合的供应链确保可靠性以及 SMPS 和 PFC 设计的定制选项。
| 零件编号 | 说明 | 查看详情 |
|---|---|---|
| FCB070N65S3 | N 沟道 44A (Tc) 312W (Tc) 表面贴装 D²PAK (TO-263AB) | 查看详情 |
| FCB099N65S3 | N 沟道 30A (Tc) 227W (Tc) 表面贴装 D²PAK-3 (TO-263) | 查看详情 |
| FCB125N65S3 | N 沟道 24A (Tc) 181W (Tc) 表面贴装 TO-263 (D²Pak) | 查看详情 |
| FCB199N65S3 | N 沟道 14A (Tc) 98W (Tc) 表面贴装 D²PAK (TO-263) | 查看详情 |
| FCB260N65S3 | N 沟道 12A (Tc) 90W (Tc) 表面贴装 D²PAK (TO-263) | 查看详情 |
| FCD260N65S3 | N 沟道 12A (Tc) 90W (Tc) 表面贴装 TO-252，(D-Pak) | 查看详情 |
| FCD360N65S3R0 | N 沟道 10A (Tc) 83W (Tc) 表面贴装 D-PAK (TO-252) | 查看详情 |
| FCD600N65S3R0 | N 沟道 6A (Tc) 54W (Tc) 表面贴装 D-PAK (TO-252) | 查看详情 |
T8 MOSFET
凭借一流的 MV 技术，onsemi 的 Trench8 器件的 RDS(ON)*Qg FOM 比最好的竞争对手低 20%。具有基于 T6 技术的优化开关性能，与 T6 相比，Qg 和 Qoss 降低了 35-40%。
| 零件编号 | 说明 | 查看详情 |
|---|---|---|
| NTBLS1D1N08H | N 沟道 41A (Ta)、351A (Tc) 4.2W (Ta)、311W (Tc) 表面贴装 8-HPSOF | 查看详情 |
| NTLJS4D7N03HTAG | N 沟道 11.6A (Ta) 860mW (Ta) 表面贴装 6-PQFN (2x2) | 查看详情 |
| NTLJS4D9N03HTAG | N 沟道 9.5A (Ta) 860mW (Ta) 表面贴装 6-PQFN (2x2) | 查看详情 |
| NTMFD6H846NLT1G | Mosfet 阵列 2 N 沟道（双）80V 9.4A (Ta)、31A (Tc) 3.2W (Ta)、34W (Tc) 表面贴装 8-DFN (5x6) 双标志 (SO8FL-Dual) | 查看详情 |
| NTMFD6H852NLT1G | Mosfet 阵列 2 N 沟道（双）80V 295mA 250mW (Ta) 表面贴装 8-DFN (5x6) 双标志 (SO8FL-Dual) | 查看详情 |
| NTMFS4H01NFT1G | N 沟道 54A (Ta)、334A (Tc) 3.2W (Ta)、125W (Tc) 表面贴装 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 查看详情 |
| NTMFS4H01NFT3G | N 沟道 54A (Ta)、334A (Tc) 3.2W (Ta)、125W (Tc) 表面贴装 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 查看详情 |
数字隔离
onsemi 提供广泛的隔离产品组合，其专利技术结合了光耦合器的安全特性和数字隔离器的性能特性。
| 零件编号 | 说明 | 查看详情 |
|---|---|---|
| NCID9211 | I²C、SPI 数字隔离器 5000Vrms 通道 50Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 查看详情 |
| NCID9211R2 | I²C、SPI 数字隔离器 5000Vrms 通道 50Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 查看详情 |
| NCID9401 | I²C、SPI 数字隔离器 5000Vrms 通道 10Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 查看详情 |
| NCID9411 | I²C、SPI 数字隔离器 5000Vrms 通道 10Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 查看详情 |
高压栅极驱动器
onsemi 的栅极驱动器产品组合包括 GaN、IGBT、FET、MOSFET、H 桥 MOSFET 和 SiC MOSFET 反相和非反相驱动器，非常适合开关应用。
特色产品
NCx5700x：隔离式大电流高效率 IGBT 栅极驱动器
onsemi 的 NCx5700x 可在大功率应用中实现高系统效率和可靠性
- 电动汽车充电
- AC/DC 电源
- 电池储能
- 汽车 OBC
- 汽车 DC/DC
- 自动牵引逆变器
电动汽车充电
凭借领先的电源模块和 EliteSiC 技术以及全面的整体产品组合，onsemi 是您在快速直流 EV 充电解决方案方面的增值合作伙伴。
AC/DC 电源
onsemi 全面的 MOSFET 和其他产品组合为电源应用提供了多种选择。onsemi 的产品和解决方案可在从电源链路线路到负载的每个点上提高有源模式效率、降低待机模式功耗并提供功率因数校正。
电池储能
随着电网现代化，对储能系统的需求不断增加，onsemi 的高压 MOSFET 和 EliteSiC 分立器件产品组合可帮助提供完整而稳健的解决方案。
汽车 OBC
插电式和纯电动汽车需要连接到电网的双向车载充电器系统 (OBC) 进行快速充电，以补充汽车电池能量。onsemi 为车载充电系统提供全面的稳健高功率密度分立和模块化解决方案组合。
汽车 DCDC
onsemi 提供具有低开关和传导损耗特性的分立和模块化组件解决方案，有助于高效 DC/DC 转换系统的设计。
自动牵引逆变器
为了在电动汽车中实现更长的行驶距离、高扭矩和加速，onsemi 提供分立式和模块化组件解决方案，以设计高效、经济且可靠的牵引逆变器系统。
