650 V EliteSiC 碳化硅二极管

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            650 V EliteSiC 碳化硅二极管  
                    onsemi 的二极管具有出色的开关性能和高可靠性

onsemi 的 650 V 碳化硅二极管图片 onsemi 碳化硅 (EliteSiC) MOSFET 使用的技术与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度独立的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体材料。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更低的系统尺寸和成本。

特性

易于并联
高浪涌电流电容
最高结温：+175 °C
没有反向恢复/没有正向恢复
更高的开关频率
低正向电压 - VF
正温度系数
通过 AEC-Q101 鉴定，具有 PPAP 能力

应用

汽车 HEV-EV DC/DC 转换器
汽车 HEV-EV 车载充电器
工业电源
PFC
太阳能
UPS
焊接

650 V Silicon Carbide Diodes

	图片	制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
		FFSPF2065A	DIODE SIC 650V 20A TO220F-2FS	740 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
		FFSH1665A	DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2	159 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
NTHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
NCD57001DWR2G	DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC	867 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
NCP51705MNTXG	IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN	3564 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
NTHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情