碳化硅 (EliteSiC) MOSFET

onsemi 的 EliteSiC MOSFET 可提供高效率、更高的功率密度和更小的系统尺寸

onsemi 的碳化硅 (SiC) MOSFET 图片onsemi 碳化硅 (EliteSiC) MOSFET 使用的技术与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统优势包括高效率、更快的工作频率、更高的功率密度,更低的 EMI 和更小的系统尺寸。

特性
  • 额定 1200 V
  • VGS = 20 V、ID = 20 A 时,最大 RDS(on) = 110 mΩ
  • 高速开关和低电容
  • 100% 通过 UIL 测试
  • 根据 AEC-Q101,符合汽车要求
应用
  • PFC
  • OBC
  • 升压逆变器
  • 电动汽车充电
最终产品
  • 用于 EV/PHEV 的汽车 DC/DC 转换器
  • 汽车车载充电器
  • 汽车辅助电机驱动器
 
  • 太阳能逆变器
  • 网络电源
  • 服务器电源

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更新日期: 2020-04-07
发布日期: 2019-05-29