二极管有若干种不同的形状和特点，从微小型玻璃封装齐纳二极管到大型整流二极管PUK模块。肖特基二极管在这一范围中处于中间位置。那么肖特基有什么特别之处呢？
一般来说，二极管可具备许多常见的参数，因此，作为参考，我们可以将肖特基二极管与“标准”二极管进行比较，也就是极其常见的硅P-N结整流二极管；如1N400x。
肖特基二极管因其独特的结构而得名。正是这种结构赋予了它独特的特能。
结构
肖特基二极管的结构与硅P-N结二极管有所不同。肖特基二极管使用的是键合到N型掺杂材料中的单层薄金属，而不是双层掺杂半导体材料。这种金属与N型半导体层叠的组合也称为M-S结（金属-半导体结），而这两种材料的会聚则称为肖特基势垒，二者皆以华特‧H‧肖特基（Walter H. Schottky）的名字来命名。
这种金属可以是贵金属中的任何一种（如铂、钨、金等），具体取决于厂商的绝密配方。
特性
肖特基势垒具有一些独特的特性，使该二极管成为某些应用的理想之选。与P-N结相比，M-S结产生的电子耗尽区更窄。
这使得肖特基二极管具有以下优点：
- 低正向电压
- 正向偏压时，肖特基二极管只需0.3-0.4 伏即可开始导通，而P-N结则需要0.6-0.7伏。这在必须节能的应用中非常有益，如电池驱动和太阳能电池应用。
- 借助低正向电压的优势，肖特基二极管可以有效地保护敏感器件不受过电压的影响。
- 高速开关
- 这种窄耗尽区非常适合高速开关应用，在该应用中，二极管需要在正向和反向偏压之间快速导通和断开。这种特性很适合降压升压转换器等开关电源。
- 低噪声
- 窄耗尽区可形成低电容二极管。这意味着，与P-N结二极管相比，肖特基二极管可避免嗡嗡声和其他电容噪声，因此成为RF电路的首选。
- 性能优势
- 与类似规格的P-N结二极管相比，肖特基二极管在高功率应用中的功耗更低且散热效率更高。
另一方面，窄耗尽区也有缺点：
- 漏电流
- 并非每个二极管都是完美无缺的，在反向偏压时，二极管可能会出现漏电流的情况。与P-N结二极管相比，肖特基二极管的耗尽区较窄，因此容易产生高漏电流。
- 反向电压较低
- 由于耗尽区较窄，与P-N结二极管相比，肖特基二极管无法承受高反向电压；肖特基二极管的电压范围在50V以内，而P-N结的电压范围通常从500V至上千伏不等。
应用
肖特基势垒的独特特性使其可广泛应用于大量电气和电子电路。举几个最为典型的例子：
- 电压箝位——由于肖特基二极管的正向电压较低，因此常被用于保护器件免受过电压或反向电压的影响，只需将电压箝位到简单的电压轨中即可，有时称为轨至轨控制电路。
- 高效阻塞二极管——同样由于正向电压较低，肖特基二极管还可用于光伏系统，有助于防止在产生的电量低于电池电压时通过太阳能电池放电。当太阳能电池全量生产时，肖特基二极管在电池充电过程中的开销很低。
- 开关模式电源——得益于其效率高且恢复时间短，肖特基二极管常用于高效率电源和直流-直流电压转换器电路内。
- 电池供电器件——如果低电压开销和高效率是关键考量因素，那么肖特基二极管就是不二之选。在电池供电的器件中，电压开销非常高，因此当需要阻塞二极管时，即可借助肖特基的低正向电压特点。有时候，肖特基二极管也不太用于电池供电的器件中：当它主要处于反向偏压状态时。因为与传统的P-N结二极管相比，肖特基二极管的漏电流会导致电池更快耗尽。
偏压？
肖特基二极管至少可用于数千种应用。如果某种应用需要使用二极管，则应考虑肖特基二极管，而不是习惯性地使用1N400x。可用的肖特基二极管请见：https://www.digikey.cn/short/z0hp01
在下一次浏览Digi-Key网站时，你可以查看参考设计库（https://www.digikey.com/reference-designs/en），了解包含肖特基二极管的众多电路图。
1. 结构原理不同
2. 恢复时间（反向恢复时间）
3. 正向压降（VF）
4. 漏电流（IR）
5. 应用场景
（漏电流大）