先聊聊拓扑结构的选择。入门级的线性稳压器（如 LDO）虽然电路简单、噪声低，但效率随压差陡降，只适合小电流（<1A）场景，比如传感器的 3.3V 供电；若需要大电流（5A 以上）或宽输入电压（如 12V 转 5V），同步 Buck 转换器是更优解，其同步整流管（MOS 管）比二极管减少了导通损耗，效率能冲到 95% 以上。而 Boost 架构适合电池供电设备（如蓝牙音箱），能把 3.7V 锂电池电压升到 5V 或 12V；至于需要正负电压输出的运放电路，隔离式 Flyback 或 SEPIC 拓扑更合适，前者通过变压器实现电气隔离，后者则能在单电感下完成升降压，灵活性拉满。
元器件选型藏着大学问。电感不仅要看感值，更得盯着饱和电流 —— 比如 12V 转 5V/3A 的 Buck 电路，电感饱和电流至少得留 20% 余量（即 3.6A 以上），磁芯选铁氧体还是铁粉芯？高频（>1MHz）用铁氧体（如 PC40），低频（<500kHz）用铁粉芯（如 CSD），前者损耗小，后者抗饱和能力强。电容的 “脾气” 更大：MLCC 的 ESR（等效串联电阻）随温度变化明显，-55℃到 125℃间可能差 3 倍，高温下容值还会衰减（X7R 材质比 Y5V 稳定 10 倍）；电解电容别只看容量，纹波电流额定值必须大于电路实际纹波，否则寿命会从 2000 小时骤降到几百小时。
功率器件的选择直接戳中效率痛点。MOS 管的 Rds (on)（导通电阻）是核心指标，同样 60V 耐压的管，10mΩ 比 20mΩ 在 3A 电流下少损耗 0.09W；但栅极电荷 Qg 也不能忽略，高频下（>2MHz）Qg 小的管（如 10nC）能减少驱动损耗，搭配低导通电阻的栅极驱动芯片（如 TC4420），效率还能再提 2%。二极管则要避开 “反向恢复” 坑 —— 高频场景选肖特基（反向恢复时间近乎 0），但耐压别超 40V；高压场景（如 220V 输入）只能用快恢复二极管，恢复时间控制在 50ns 以内，否则开关损耗会飙升。
PCB 布局是 “隐形效率杀手”。功率回路（输入电容→开关管→电感→输出电容）必须走 “短直粗” 的铜皮，长度控制在 2cm 内，否则寄生电感会在开关瞬间产生尖峰电压（比如 10nH 电感在 1A/10ns 的电流变化下，尖峰 = 10nH×1A/10ns=1V），击穿器件；接地更要分层处理 —— 功率地（PGND）和信号地（AGND）用 0 欧电阻或磁珠连接，避免大电流干扰反馈信号。开关节点（SW）是 EMI 重灾区，裸露铜皮面积要小于 1cm²，周围铺接地铜皮并打满过孔，像 “围栏” 一样锁住辐射噪声。
热设计决定电源的 “耐用度”。功率器件的结温（Tj）不能超 datasheet 上限（通常 150℃），计算散热时得算清 “热阻链”：芯片结到壳（Rjc）+ 壳到 PCB（Rcs）+PCB 到空气（Rsa）。比如一颗 10W 损耗的芯片，Rjc=5℃/W，PCB 敷铜 2oz（70μm）的 Rcs=10℃/W，自然散热 Rsa=25℃/W，总热阻 40℃/W，环境温度 50℃时，Tj=50+10×40=450℃，早烧穿了 —— 这时候就得加散热片，把 Rsa 压到 5℃/W，Tj 才能降到 150℃以内。
调试时别只看输出电压。用示波器测纹波时，探头接地线必须用 “弹簧线”（长度 < 5cm），否则会引入高频噪声，误以为纹波超标；环路稳定性更关键，用波特图仪测反馈环路，相位裕度至少 60°，增益裕度 20dB 以上，否则负载跳变时会出现振荡。轻载效率低？试试让芯片工作在 PFM（脉冲频率调制）模式，负载 < 10% 时自动降低开关频率，减少开关损耗；但要注意，PFM 模式下纹波会略大，敏感电路可能需要加 LC 滤波后级。
最后想说，好的电源设计是 “平衡的艺术”—— 追求效率时别丢了可靠性，抠体积时得留足散热空间，抗干扰和成本之间更要找到临界点。毕竟，用户不会关心你的电源用了多先进的拓扑，但一定会记得 “这设备从来没烧过”。
