单 FET,MOSFET

结果 : 78
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
-N 通道
漏源电压(Vdss)
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A(Tc)6A(Tc)7A(Tc)8A(Tc)9A(Tc)12A(Tc)14A(Tc)15A(Tc)16A(Tc)17.5A(Tc)18A(Tc)19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 58.2A,10V24毫欧 @ 42.4A,10V29 毫欧 @ 35.8A,10V31 毫欧 @ 32.6A,10V35 毫欧 @ 24.9A,10V40 毫欧 @ 24.9A,10V41 毫欧 @ 24.8A,10V45 毫欧 @ 18A,10V55 毫欧 @ 15.1A,10V55 毫欧 @ 18A,10V60 毫欧 @ 16.4A,10V60 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1.24mA4.5V @ 1.25mA4.5V @ 1.63mA4.5V @ 1.79mA4.5V @ 140µA4.5V @ 180µA4.5V @ 2.12mA4.5V @ 2.91mA4.5V @ 240µA4.5V @ 250µA4.5V @ 300µA4.5V @ 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 10 V18 nC @ 10 V23 nC @ 10 V28 nC @ 10 V31 nC @ 10 V36 nC @ 10 V41 nC @ 10 V42 nC @ 10 V51 nC @ 10 V53 nC @ 10 V67 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
679 pF @ 400 V807 pF @ 400 V1015 pF @ 400 V1016 pF @ 400 V1190 pF @ 400 V1199 pF @ 400 V1283 pF @ 400 V1329 pF @ 400 V1330 pF @ 400 V1503 pF @ 400 V1504 pF @ 400 V1694 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
23W(Tc)24W(Tc)26W(Tc)43W(Tc)51W(Tc)52W(Tc)64W(Tc)68W(Tc)75W(Tc)76W(Tc)77W(Tc)83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HDSOP-10-1PG-HSOF-8-2PG-TO220 整包PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO220-FPPG-TO247-3PG-TO247-3-21PG-TO247-3-41PG-TO247-4-3PG-TO252-3PG-TO252-3-313PG-TO263-3PG-TO263-3-2
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerSFN10-PowerSOP 模块TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
78结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 78
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R070CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Infineon Technologies
1,093
现货
1 : ¥53.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
31A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 15.1A,10V
4.5V @ 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-21
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R055CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
Infineon Technologies
1,048
现货
1 : ¥57.38000
剪切带(CT)
1,000 : ¥32.55729
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
38A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 18A,10V
4.5V @ 900µA
79 nC @ 10 V
±20V
3194 pF @ 400 V
-
178W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
1,190
现货
1 : ¥25.94000
剪切带(CT)
2,500 : ¥12.64476
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16A(Tc)
10V
145 毫欧 @ 6.8A,10V
4.5V @ 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 400 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
430
现货
1 : ¥57.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
36A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 16.4A,10V
4.5V @ 860µA
68 nC @ 10 V
±20V
3288 pF @ 400 V
-
171W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R040CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Infineon Technologies
4,080
现货
1 : ¥72.65000
剪切带(CT)
1,000 : ¥41.23219
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 24.9A,10V
4.5V @ 1.25mA
108 nC @ 10 V
±20V
4351 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R031CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Infineon Technologies
249
现货
1 : ¥89.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
63A(Tc)
10V
31 毫欧 @ 32.6A,10V
4.5V @ 1.63mA
141 nC @ 10 V
±20V
5623 pF @ 400 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
240
现货
1 : ¥115.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
69A(Tc)
10V
29 毫欧 @ 35.8A,10V
4.5V @ 1.79mA
145 nC @ 10 V
±20V
7149 pF @ 400 V
-
305W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IPW60R024CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Infineon Technologies
259
现货
1 : ¥121.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
77A(Tc)
10V
24毫欧 @ 42.4A,10V
4.5V @ 2.12mA
183 nC @ 10 V
±20V
7268 pF @ 400 V
-
320W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO252-3
IPD60R360CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Infineon Technologies
1,536
现货
1 : ¥15.68000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.06099
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.9A,10V
4.5V @ 140µA
14 nC @ 10 V
±20V
679 pF @ 400 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R280CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Infineon Technologies
4,881
现货
1 : ¥17.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.03804
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
9A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.6A,10V
4.5V @ 180µA
18 nC @ 10 V
±20V
807 pF @ 400 V
-
51W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
435
现货
1 : ¥22.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
210 毫欧 @ 4.9A,10V
4.5V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
1015 pF @ 400 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
936
现货
1 : ¥23.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
17.5A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.3A,10V
4.5V @ 700µA
68 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
IPP60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Infineon Technologies
359
现货
1 : ¥24.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
14A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 6A,10V
4.5V @ 300µA
28 nC @ 10 V
±20V
1199 pF @ 400 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
230
现货
1 : ¥24.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
8A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 6A,10V
4.5V @ 300µA
28 nC @ 10 V
±20V
1199 pF @ 400 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
499
现货
1 : ¥28.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16A(Tc)
10V
145 毫欧 @ 6.8A,10V
4.5V @ 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 400 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Infineon Technologies
143
现货
1 : ¥33.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
14A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 6A,10V
4.5V @ 300µA
28 nC @ 10 V
±20V
1199 pF @ 400 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-21
TO-247-3
TOLLLEADLESS
IPT60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
Infineon Technologies
1,730
现货
1 : ¥36.45000
剪切带(CT)
2,000 : ¥17.73285
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
24A(Tc)
10V
105 毫欧 @ 7.8A,10V
4.5V @ 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
1,736
现货
1 : ¥38.99000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.14344
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 9.7A,10V
4.5V @ 480µA
41 nC @ 10 V
±20V
1942 pF @ 400 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
490
现货
1 : ¥39.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 9.7A,10V
4.5V @ 480µA
41 nC @ 10 V
±20V
1942 pF @ 400 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
2,765
现货
1 : ¥41.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥20.32446
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
25A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 1.4A,10V
4.5V @ 570µA
51 nC @ 10 V
±20V
2103 pF @ 400 V
-
147W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4-1
4-PowerTSFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R090CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Infineon Technologies
1,254
现货
1 : ¥44.58000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.80864
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
25A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 11.4A,10V
4.5V @ 570µA
51 nC @ 10 V
±20V
2103 pF @ 400 V
-
124W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
198
现货
1 : ¥47.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
25A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 12.5A,10V
4.5V @ 630µA
53 nC @ 10 V
±20V
2513 pF @ 400 V
-
127W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-VSON-4
IPL60R075CFD7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Infineon Technologies
5,890
现货
1 : ¥50.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥24.67237
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
33A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 15.1A,10V
4.5V @ 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
189W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
x-xSOF-8-1
IPT60R075CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Infineon Technologies
1,269
现货
1 : ¥51.80000
剪切带(CT)
2,000 : ¥25.19966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
33A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 11.4A,10V
4.5V @ 570µA
51 nC @ 10 V
±20V
2103 pF @ 400 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R070CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Infineon Technologies
1,893
现货
1 : ¥53.28000
剪切带(CT)
1,000 : ¥27.53144
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
31A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 15.1A,10V
4.5V @ 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 78

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。