单 FET,MOSFET

结果 : 54
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
漏源电压(Vdss)
40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A(Ta),63A(Tc)18A(Tc)19A(Ta),77A(Tc)20A(Tc)21A(Ta),98A(Tc)24A(Ta),121A(Tc)24A(Tc)28A(Tc)29A(Ta),170A(Tc)30A(Tc)33A(Ta),206A(Tc)40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V7V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1 毫欧 @ 100A,10V1.12 毫欧 @ 60A,10V1.2 毫欧 @ 100A,10V1.2毫欧 @ 90A,10V1.4 毫欧 @ 100A,10V1.5 毫欧 @ 100A,10V1.5 毫欧 @ 50A,10V1.5 毫欧 @ 60A,10V1.7 毫欧 @ 100A,10V1.9 毫欧 @ 100A,10V1.9 毫欧 @ 50A,10V2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 10µA2V @ 11µA2V @ 17µA2V @ 21µA2V @ 30µA2V @ 8µA2V @ 90µA2.2V @ 12µA2.2V @ 15µA2.2V @ 19µA2.2V @ 29µA2.2V @ 65µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V13.7 nC @ 10 V14 nC @ 10 V15.1 nC @ 10 V16 nC @ 10 V16.3 nC @ 10 V17 nC @ 10 V20 nC @ 10 V21 nC @ 10 V22.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
380 pF @ 75 V460 pF @ 50 V470 pF @ 50 V599 pF @ 40 V670 pF @ 50 V771 pF @ 25 V832 pF @ 50 V840 pF @ 50 V867 pF @ 40 V920 pF @ 25 V1099 pF @ 30 V1100 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
3W(Ta),100W(Tc)3W(Ta),115W(Tc)3W(Ta),42W(Tc)3W(Ta),50W(Tc)3W(Ta),63W(Tc)3W(Ta),75W(Tc)30W(Tc)34W(Tc)38W(Tc)42W(Tc)45.5W(Tc)48W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
PG-HSOF-5-1PG-HSOF-5-2PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-33PG-TDSON-8-34PG-TDSON-8-43PG-TDSON-8-53PG-TO263-3PG-TO263-3-2PG-TO263-7PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-32
封装/外壳
5-PowerSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
54结果
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/ 54
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
20,000
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.64631
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
7.4 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 10µA
17 nC @ 10 V
±16V
920 pF @ 25 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
14,332
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.03445
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 17µA
29 nC @ 10 V
±16V
1560 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-33
IAUC24N10S5L300ATMA1
MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Infineon Technologies
9,626
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.09158
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
24A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 12A,10V
2.2V @ 12µA
11 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 50 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
30,176
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.82782
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 30µA
52 nC @ 10 V
±16V
2800 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S53R1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
5,725
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.82782
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
7V,10V
3.1 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 30µA
41 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
TDSON833
IAUZ30N10S5L240ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Infineon Technologies
4,070
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.79549
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
30A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 15µA
14 nC @ 10 V
±20V
832 pF @ 50 V
-
45.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
TDSON833
IAUZ40N10S5N130ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Infineon Technologies
19,687
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.50154
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
6V,10V
13 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 27µA
24 nC @ 10 V
±20V
1525 pF @ 50 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
ISC015N04NM5
ISC028N04NM5ATMA1
40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Infineon Technologies
5,545
现货
1 : ¥11.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.69557
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
24A(Ta),121A(Tc)
7V,10V
2.8 毫欧 @ 50A,10V
3.4V @ 30µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 20 V
-
3W(Ta),75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
ISC015N04NM5
ISC015N04NM5ATMA1
40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Infineon Technologies
5,419
现货
1 : ¥14.12000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.11350
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
33A(Ta),206A(Tc)
7V,10V
1.5 毫欧 @ 50A,10V
3.4V @ 60µA
67 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 20 V
-
3W(Ta),115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-34
IAUC100N10S5N040ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Infineon Technologies
12,201
现货
1 : ¥21.51000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.33371
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 90µA
78 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
6,435
现货
1 : ¥27.34000
剪切带(CT)
2,000 : ¥13.29060
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
200A(Tc)
6V,10V
2.3 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 130µA
110 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
5,497
现货
1 : ¥40.31000
剪切带(CT)
2,000 : ¥19.62579
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
260A(Tc)
6V,10V
1.9 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 210µA
166 nC @ 10 V
±20V
11830 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Infineon Technologies
2,497
现货
1 : ¥44.58000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.04036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
114A(Tc)
8V,10V
7.3 毫欧 @ 57A,10V
4.6V @ 160µA
61 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 75 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
3,005
现货
1 : ¥45.56000
剪切带(CT)
2,000 : ¥22.18592
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tc)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Infineon Technologies
3,181
现货
1 : ¥54.43000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.13532
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
3.3 毫欧 @ 100A,10V
4.1V @ 150µA
102 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 50 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Infineon Technologies
651
现货
1 : ¥66.58000
剪切带(CT)
1,000 : ¥37.74786
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
176A(Tc)
10V
2 毫欧 @ 100A,10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TDSON-8-33
IAUC28N08S5L230ATMA1
MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Infineon Technologies
14,248
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.98810
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
28A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 14A,10V
2V @ 11µA
15.1 nC @ 10 V
±20V
867 pF @ 40 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IAUZ20N08S5L300ATMA1
MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Infineon Technologies
5,101
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.98271
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
20A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 8µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
599 pF @ 40 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S55R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
9,049
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.03445
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
7V,10V
5.4 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 17µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
TDSON833
IAUZ18N10S5L420ATMA1
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Infineon Technologies
2,139
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.19937
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
18A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 9A,10V
2.2V @ 8µA
8 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 50 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
IAUZ40N06S5N050ATMA1
IAUZ40N06S5N050ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Infineon Technologies
10,159
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.27626
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tj)
-
5 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 29µA
30.5 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 30 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
6,060
现货
1 : ¥11.00000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.33877
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
6V,10V
10 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 27µA
24.2 nC @ 10 V
±20V
1591 pF @ 40 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
IAUZ40N06S5L050ATMA1
IAUZ40N06S5L050ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Infineon Technologies
4,510
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.36788
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tj)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 29µA
36.7 nC @ 10 V
±16V
2500 pF @ 30 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
ISC015N04NM5
ISC019N04NM5ATMA1
40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Infineon Technologies
12,178
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.60404
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
29A(Ta),170A(Tc)
7V,10V
1.9 毫欧 @ 50A,10V
3.4V @ 50µA
55 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 20 V
-
3W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-33
IAUC70N08S5N074ATMA1
MOSFET N-CH 80V 70A 8TDSON-33
Infineon Technologies
6,905
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.15263
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
70A(Tc)
6V,10V
7.4 毫欧 @ 35A,10V
3.8V @ 36µA
30 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 40 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。